斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论.应用此测试方法得到了75mm的全片电阻率分布的mapping图,测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性,是一种行之有效的测量方法.     

斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术

介绍了一种应用斜置式方形探针测量单晶断面电阻率的测试方法 ,将Rymaszewski直线探针测试方法引入到方形探针测试 ,并对测试过程中产生的游移以及图像监控问题进行了讨论 .应用此测试方法得到了 75mm的全片电阻率分布的mapping图 ,测试结果表明该方法可以在测量区域明显减小的同时保证测量的精确性 ,是一种行之有效的测量方法     

两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析

从理论上分析方形四探针和直线四探针薄层电阻测试方法中探针游移所造成的系统偏差,推导出计算游移偏差的公式,并作图展示探针游移后的电阻与理想值之比的分布情况,分析了两种四探针测试方法出现最大误差的情况。用方形四探针测试方法不仅比普通直线四探针测试方法所测量的微区小,而且方形四探针测量的游移偏差小于直线四探针测量所产生的偏差。经试验发现,实际测试过程中,方形四探针只要在合理压力范围内,探针游移完全在合理范围内,能够保证测试的准确性。     

四探针技术测量薄层电阻的原理及应用

对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考.     

无测试图形薄层电阻测试仪及探针定位

研制出检测U L SI芯片的薄层电阻测试仪,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性,用斜置的方形四探针法,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机,从计算机显示器观察,用程序及伺服电机控制平台和探针移动,使探针处于规定的位置,实现自动调整、测试;对测试系统中的探针游移造成的定位误差进行分析,推导出探针游移产生误差的计算公式,绘制了理论及实测误差分布图;测出无图形10 0 m m样品电阻率,并绘制成等值线Mapping图.     

无测试图形薄层电阻测试仪及探针定位

研制出检测ULSI芯片的薄层电阻测试仪,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性,用斜置的方形四探针法,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机,从计算机显示器观察,用程序及伺服电机控制平台和探针移动,使探针处于规定的位置,实现自动调整、测试;对测试系统中的探针游移造成的定位误差进行分析,推导出探针游移产生误差的计算公式,绘制了理论及实测误差分布图;测出无图形100mm样品电阻率,并绘制成等值线Mapping图.     

对L型宽频微带天线的改进

宽频带技术是微带天线研究的一个重要方向.依据矩形微带天线理论,设计了以空气做介质层,采用在脊形接地板顶端用同轴探针对单层方形贴片进行馈电的新型天线,目的是减小探针引起的电感,从而扩展了微带天线的工作频带.利用Ansoft HFSS软件对天线进行仿真和优化,并进行实物加工和测试,最后达到了天线设计的要求.     

一种新型宽频带微带天线的研究

宽频带技术是研究微带天线的关键之一。天线采用空气介质层,通过在脊形接地板顶端用同轴探针对单层方形贴片进行馈电,在减小探针产生电感的基础上,实现了工作宽带的扩展。利用Ansoft HFSS软件对天线进行了建模仿真和优化;通过实物加工和测试,仿真和测试结果都表明设计达到了预期目的:该天线的仿真和实测驻波比VSWR≤2的阻抗带宽达到66.67%,覆盖了1 GHz~2 GHz的频率范围,同时该天线还具备了宽波束特性,具有一定的工程实用价值。     

一种微型探针台的设计和应用

介绍了一种便携式探针台,其结构小巧,功能实用,成本较低,可以满足基本的试验需求。特别之处在于显微镜和探针台采用分体结构设计,使得探针台部分能从整个探针台系统中独立出来,可以应用于辐照试验中。固定在探针台上的芯片可以与探针台一起放置于空间任意位置,方便将芯片对准辐照源中心。该探针台也可放置在高低温箱中,用于芯片的三温测试。加上显微镜固定采用多角度云台支架设计,支持全方位观察,可以使得观察更加立体直观。探针卡采用多探针结构,可实现多路测试,并且探卡及其信号连接线采用了低漏电及EMI设计,测试精度可以达到0.1 n A以下,配合接地良好的铝制屏蔽盒,增加了抗干扰能力,其测试数据更加精确。     

三,四探针测试双极电路外延层电阻率的分析

在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率的测试;四探针适用于N/P型结构的外延层的电阻率测试.双极电路所使用的外延片,在外延之前已作有局部埋层,这就不能完好地满足三、四探针的测试条件,如果用三、四探针测试这类外延片的电阻率,总会产生不同程度的误差.