X-射线衍射与火焰原子吸收法联合测定ZnS：Mn薄膜屏中Mn含量

提出一种X-射线衍射(XRD)与火焰原子吸收法(FAAS)联合测定ZnS:Mn交流电致发光(ACEL)薄膜中Mn含量的新方法.首先用XRD测定ZnS薄膜的结构,判断薄膜是否符合它的化学式量.在符合化学式量基础上,再用FAAS分别测定Zn与Mn的质量分数,最终确定Mn在ZnS薄膜中的含量.与单独采用FAAs测定相比较,测定结果的相对误差,相对标准偏差相同.但是,该方法具有样品处理简单,分析周期短,所需样品量少等优点.不仅可以提供Mn在ZnS薄膜中的含量与构成质量,同时也可以对ZnS:Mn交流电致发光膜薄的浓度分布以及均匀度提供客观的评价指标,以利于镀膜工艺中各参数指标的改善.     

采用绝缘介电陶瓷片的低压驱动ZnS:Mn薄膜电致发光器件

采用BaTiO_3陶瓷片作为绝缘层,制备出具有金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的ZnS:Mn交流薄膜电致发光(EL)器件。我们发现EL特性与介电常数、绝缘陶瓷片的损耗及ZnS:Mn发光层的结晶性能有很密切的关系。制备了具有用金属有机化学气相沉积技术沉积的发光层的EL器件,得到最大亮度为6300cdm~(-1),发光效率为11lmW~(-1)。     

稀土掺杂的碱土金属硫化物交流电致发光薄膜研究现状和前景

一、引言信息科学的发展和计算机技术的广泛应用促进了信息显示技术的进步,发光二极管、液晶,等离子体,电致发光等新型显示器件的出现打破了阴极射线管在显示领域里的统治地位。近年来电致发光薄膜器件的研究非常活跃,并获得了可喜的进展,ZnS:Mn交流驱动的薄膜电致发光器件(ACEL     

用连续沉积MOCVD技术制备5英寸的ZnS:MnTFEL屏

引言由于薄膜电致发光(TFEL)显示器具有高亮度和高效率,所以它作为一种平板显示器而受到人们的关注。然而,目前巳实现商品化的仅有黄色发光ZnS:Mn器件。ZnS∶Mn荧光粉薄膜和绝缘层是用物理汽相沉积(PVD)或化学汽相沉积技术制备     

ACEL荧光粉粉末ZnS:Cu,X的电荷陷阱的性质与其电致发光频谱之间的联系

ZnS:Cu,X(X = Cl,Br,I) ACEL 荧光粉的性质主要决定于 Cu 发光中心的电子发光复合、ZnS 点阵中电子的注入效率、诱捕电子和逃逸电子的比率.热致发光中的电子陷阱依赖于掺杂剂以及荧光粉制备方法.文章描述了 ACEL 荧光粉的退火过程对其电致发光性质的深远影响.从热释光发光曲线上,我们可以看到烧结条件对电子陷阱特征的作用.由于荧光粉的 ACEL 性质与电子陷阱有关,为了提高荧光粉的性能,对电子陷阱的成因和所起的作用的了解就显得尤为重要.     

多孔氧化铝模板制备ZnS∶Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板。利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS∶Mn纳米晶。对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试。结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致。对ZnS∶Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS∶Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS。从电负性角度讨论了ZnS∶Mn纳米晶的形成机制。     

多孔氧化铝模板制备ZnS:Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板.利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS:Mn纳米晶.对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试.结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致.对ZnS:Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS:Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS.从电负性角度讨论了ZnS:Mn纳米晶的形成机制.     

用电子束蒸发和射频磁溅射制备ZnS:Tb,F电致发光薄膜的差别

一引言近十年来,经细致的研究后,ZnS:Mn电致发光(EL)薄膜器件已经达到实用阶段。但ZnS:Mn荧光体只能给出橙黄色辐射光。最近,人们集中于彩色EL器件的研究,如绿色 ZnS:Tb,F_(?)蓝色SrS:Ce和红色CaS:Eu。它们当中,绿色ZnS:Tb,F薄膜是最突出的,并达到实用水平。ZnS:Tb,F荧光膜最初在1968年由Kahng提出,因这种发光中心是以Tb F_3分子形式掺入,所以称之为分子中心。制备方法是用两个蒸发源,一     

用双π环戊二稀基锰作为新锰源,由等离子体辅助MOCVD制备ZnSe直流电致发光器件

对光发射器件和平板显示器来说,电致发光是最有前景的方法之一。近来,人们已把ZnSe,ZnS和像CaS之类的Ⅱ_2—Ⅵ_5族化合物用做荧光物质。通常含有绝缘夹层的ZnS:Mn薄膜电致发光器件,需要非常高的工作电压,其峰值电压超过100V。和ZnS:Mh比较,目前看来,ZnSe:Mn的最大优点是工作电压非常低。ZnSe:Mn直流驱动电致发光器件可以用真空蒸发,射频溅射,分子束外延等方法来制备。但是当虑及生产大面积电致发     

ZnS薄膜脉冲激光沉积及其发光特性

综述了ZnS的发光机制,脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜的原理、特点,分析了在用PLD制备ZnS过程中各主要沉积条件对成膜质量的影响,展望了ZnS薄膜的应用前景。     

助熔剂对AC EL发光材料粒度及发光特性的影响

本文定性地比较NH_4Cl、NH_4Br、NH_4I三种不同的助熔剂对晶粒生长和发光特性的影响。在材料的制备过程中改变烧结温度、时间、助熔剂浓度等条件,绘出相应的规律性曲线,从而找出制备优质ZnS:Cu ACEL材料的最佳条件。     

磁场对ZnS:Mn薄膜电致发光的影响

在温度为1.8-77K,磁场高达5T的条件下,研究了磁场(H)对ZnS:Mn薄膜电致发光(EL)的影响,ZnS:Mn薄膜是用电子束蒸发(EBE)和原子层外延技术制备的。在接近EL阈值电压条件下,随着电场H的增强,亮度B增加;而在高激发条件下,亮度降低.通过样品的电荷量有稍许改变而EL光谱和衰减率保持不变。在磁场垂直于和平行于电场方向的条件下,分别测量了B_H/B_O对温度和磁场的依赖关系,在EBE薄膜中观察到磁场作用的各向异性。考虑到磁场对自由载流子产生速率及对载流子自由通路的影响,同时注意到Mn~(2 )的碰撞截面和Lorenz势位对自由载流子运动的作用,分析了磁场作用的机制。对实验结果和理论计算进行了比较。     

在低压卤素输运系统中ZnS:Mn电致发光薄膜的化学气相沉积

引言夏普公司首次用电子束(EB)蒸发技术研制了ZnS:Mn薄膜电致发光(TFEL)显示器。从那时起,为了进一步改进薄膜特性对各种沉积技术进行了广泛而深入的研究。为了获得高质量和高产率的EL器件,在制备技术方面必须考虑到两个重要因素;一是要有结晶质量高的发光层,二是要具备大批量生产的设备条件。化学气相沉积法     

ZnS:Er量子点材料制备及其受激发光特性研究

在水性介质中，制备了ZnS：Er量子点，并对其的X射线（XRF）谱、X射线衍射（XRD）谱、透射电子显微镜（TEM）图像和光致发光（PL）谱进行了研究，确定了所制备的ZnS：Er量子点材料中Er的浓度，观测到ZnS：Er量子点呈粒径为4nm的近球型结构。利用LD激发，在LD不同电流强度下得到ZnS：Er量子点从波长1500nm到1650nm的宽谱发射，并随着电流强度的增加ZnS：Er量子点的发射强度明显增加，当电流强度达到1．5A时，1545nm波长处的发射峰更明显。     

射频磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上制备ZnS薄膜及其特性研究

为使Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS薄膜具有可弯曲性,选用柔性的聚酰亚胺作为衬底材料,用射频磁控溅射法沉积ZnS薄膜,对所制备薄膜的结晶结构、组分和光学特性进行分析.实验结果表明,所制备薄膜为结晶态的闪锌矿ZnS结构,择优取向为(111)晶面,晶粒尺寸为25.6 nm.薄膜组分接近化学计量比,并具有少量的S损失.薄膜在可见光区和近红外光区的平均透射率分别为82.0％和90.5％,透光特性良好.作为对比,在钠钙玻璃衬底上溅射的ZnS薄膜的结晶度高于聚酰亚胺衬底薄膜,但其透射率略低于柔性ZnS薄膜.实验结果表明了用磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上制备ZnS薄膜的可行性.     

ZnS/PS复合体系的白光发射

用电化学方法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法以多孔硅为衬底生长一层ZnS薄膜.ZnS的带隙较宽,对可见光是透明的,用适当波长的光激发,PS发射的橙红光可以透过ZnS薄膜,与ZnS的蓝绿光相叠加,得到了可见光区较宽的光致发光带,呈现较强的白光发射.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了ZnS薄膜的结构性质.结果表明,沉积的ZnS薄膜结晶质量较差,薄膜表面起伏不平,这是由于衬底PS的表面不平整所致.     

光电、光敏与发光材料

2001805共激活剂 Br~-、I~-对 ZnS:Mn,Cu·X 发光性能的影响[刊]/李志强//发光学报.—1999,20(增刊).—121～123(E)2001806橙色电致发光屏的发光特性[刊]/董国义//发光学报.—1999,20(增刊).—118～120(E)2001807退火处理对 ZnS:Cu 蓝色粉末 ACEL 的影响[刊]/韦志仁//发光学报.—1999,20(增刊).—115～117(E)2001808     

ZnS/PS复合体系的白光发射

用电化学方法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法以多孔硅为衬底生长一层ZnS薄膜.ZnS的带隙较宽,对可见光是透明的,用适当波长的光激发,PS发射的橙红光可以透过ZnS薄膜,与ZnS的蓝绿光相叠加,得到了可见光区较宽的光致发光带,呈现较强的白光发射.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了ZnS薄膜的结构性质.结果表明,沉积的ZnS薄膜结晶质量较差,薄膜表面起伏不平,这是由于衬底PS的表面不平整所致.     

核/壳结构ZnS:Mn/ZnS量子点光发射增强研究

利用水溶性前驱体材料在水性介质中制备了ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构量子点(QDs,quantum dots),并用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)对ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS核/壳结构QDs的结构和发光性能进行研究.ZnS:Mn和ZnS:Mn/ZnS QDs XRD谱与标准谱吻合,根据De...     

Zn沉积时间对低温硫化制备ZnS薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在不同时间下沉积了Zn薄膜,接着先后在200℃和400℃温度下的硫蒸气和氩气氛中进行了低温硫化退火,时间都为1 h,最后得到不同厚度的六方相ZnS薄膜。以XRD、SEM、EDS和紫外可见分光光度计对薄膜进行表征。研究表明:随着Zn沉积时间的增加,硫化制备的ZnS薄膜的晶粒尺寸、光透过率、带隙、S/Zn摩尔比都发生了明显变化,但变化趋势不同。并且,对其低温硫化生长ZnS薄膜的机理进行了讨论。此外,硫化前的抽真空处理可以明显改善ZnS薄膜的质量。所有低温硫化制备的ZnS薄膜在400~1100 nm范围光透过率约为70%,带隙值为3.49~3.57 eV。其中,3 min沉积的Zn在抽真空后低温硫化生长的ZnS薄膜质量最佳。