光电子集成电路进展

较详细地介绍了光电子集成电路(OEIC)中研究最广泛、并取得可喜成就的OEIC光接收机和OEIC光发射机的最新进展,展望了OEIC的应用前景,并提出了目前应解决的课题。     

10～40Gb/s OEIC光接收机前端的最新研究进展

基于OEIC光接收机前端的集成方式和前放电路形式介绍了OEIC光接收机前端的最新研究进展.     

Si基芯片光互连研究进展

综述了近年来Si基光互连,尤其是和微电子工艺兼容程度较高的芯片间和芯片内的光互连的进展。Luxtera公司已经率先实现了除光源外的所有光子器件的单片集成,IBM也提出并开始实施微电子学领域的片内光互连的技术方案,但Si基光互连大部分还停留在各构建单元器件性能提高的阶段,例如Si基发光、Si波导、Si波导耦合器、Si基调制器及光开关、Si基探测器以及用于光波导器件阵列的WDM技术。此外,还对Si基光源、光纤耦合、偏振敏感性以及光子器件的热稳定性提出了看法。总之,随着各种构建单元器件的综合性能、CMOS工艺兼容度、制备成品率的提高以及光电融合单片集成工艺的突破,光互连最终会成为现实,并引发微电子技术和IC行业的下一场革命。     

Si基光电子学的研究与展望

Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要，在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路．本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科，近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展，并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。     

韩国的OEIC研究

本文按年代介绍韩国光电子和光电集成电路（OEIC）的进展以及用于通信的OEIC发射机和接收机，用于光开关和光计算的半导体激光逻辑器件。     

OEIC_s的现状和未来

本文介绍系统集成OEIC的进展,阐述该领域集中研究的三个系统目标——集成先发射机、集成光接收和集成光开关芯片。最后介绍了日本光技术实验室(OTL)构思的九十年代OEIC发展蓝图。预言下一世纪的信息产业中光电子将与微电子平分秋色,互为融合。     

Si基IV族光电器件的研究进展(一)—激光器

Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si基光互连的关键器件中,除了Si基高效光源以外,其他的器件都已经实现。同为IV族元素的Ge具有独特的准直接带隙的能带结构,有望通过能带工程等手段实现高效发光。近年来,Si基IV族发光材料和发光器件有了许多重要进展。回顾了Si基IV族发光材料和发光器件的最新成果,如Si衬底上张应变的Ge、Ge发光二极管及激光器、GeSn发光器件,并对结果进行了讨论。最后展望了Si基IV族激光器的发展趋势。     

厚二氧化硅光波导薄膜的制备

随着光通信的飞速发展，Si基SiO2平面光波导集成器件的应用更加重要和广泛。在Si基上制备高质量的厚SiO2薄膜，是制作SiO2光波导及其集成器件的基础。本文介绍了Si基厚SiO2薄膜的几种制备方法。     

热门光电子技术——OEIC和PIC

光电子集成和光子集成(OEIC和PIC)技术是当今的热门技术,它们借鉴并发展了电集成的许多概念和方法。先从分离的光学、电子器件和简单功能的OEIC开始,再发展到多功能的超大规模OEIC。OEIC与IC的重要区别是:OEIC除了控制不同元件之间电子流动外,还必须控制光子流动。OEIC是以高频率的光波作为载波,因此不仅具有功能强、体积小、重量轻、功耗小、工作稳定可靠、成本低、便于大规模生产等IC的一般特点外,还具有响应速度快、频带宽、光并     

Si基复合衬底碲镉汞液相外延技术的研究

文章报道了采用Si基复合衬底，利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况，并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱仪等手段对碲镉汞薄膜进行了表征。Si基复合衬底碲镉汞外延膜晶体结构为单晶，并且它的双晶衍射半峰值接近国外同类产品的先进水平。