激光场空间的横向分布对多光子电离过程的影响

多光子电离技术(MPI)使研究原子、分子体系单分子禁戒跃迁能级成为可能,同时是研究里德伯态的有效手段。激光场对MPI的影响已做了不少分析和研究,但是以往的工作中,在讨论激光场的空间横向分布对分子共振多光子电离(RMPI)过程的影响时,许多因素未加以考虑,使分析问题的前提条件与实现情况有较大的偏离。     

利用分子束技术研究CS_2多光子电离过程

本文报道了在分子束条件下CS_2多光子电离的研究结果。线性的i(p)关系与理论结果相吻合,从而表明CS_2的多光子电离过程是一个单分子反应。在i(I)∝I~b的关系中,其b值随激光强度而变,这表明离子是通过不同的途径形成的。根据母体分子离解——中性碎片电离模型,我们对此进行了定性的分析。     

激光飞行时间质谱技术——一种快速探测微量元素的方法

本文报道了利用飞行时间质谱技术检测分子在XeCl准分子激光作用下产生的离子产物的结果,与金属固体靶在激光直接辐照下所得的飞行时间质谱。 当与脉冲激光相互作用时,分子(包括原子)通过选择性激光多光子电离及离解过程生成     

355 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离

利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下研究了CH3I分子在355 nm激光作用下的多光子电离解离机制.得到了分子的飞行时间质谱,质谱中有较强的H 、CH 3和I 信号,较弱的C ,CH 、CH 2和母体离子CH3I 信号,CH3I 的出现表明CH3I分子的多光子电离解离(MPID)属母体离子阶梯模式:CH3I分子由双光子共振激发到里德堡C态,处于该激发态的母体分子继续吸收光子上泵浦至电离态形成母体离子CH3I ,碎片离子可由母体离子解离形成.同时结合母体离子及碎片离子的出现势对CH3I分子的多光子电离解离通道进行分析,提出了可能的解离电离通道.     

三乙胺分子共振多光子电离及解离机理

利用可调谐脉冲染料激光器，用多光子电离飞行时间质谱法在波长为４４５．９－４６５．９ｎｍ范围内获得了三乙胺分子共振光子电离谱和质谱。测得了三乙胺分子ＭＰＩ过程产生的离子信号的激光能量的气压依赖关系。     

NoCl分子束紫外激光多光子离解和电离动力学研究

本文报道NOCl分子束在强XeCl准分子激光作用下多光子离解和电离的实验研究。在我们的实验条件下,只观测到离解碎片NO(m/e=30)的离子峰。动力学过程的分析表明,电离过程属于中性碎片电离类型。其主要通道是,NOCl分子同时吸收两个光子,立即离解为电子激发的中性碎片NO(A~2∑~+),然后NO(A)继续吸收又一个光子而电离为离子NO~+。     

丙酮在XeCl准分子激光作用下的多光子电离和碎裂

最近我们在分子束条件下研究了丙酮在XeCl准分子激光作用下的多光子电离和碎裂。首次观察到,在我们的实验条件下,基本上没有出现丙酮的母体离子峰(m/e=58),只看到m/e=43和m/e=15的两个强峰,分别对应于乙酰基(CH_3CO)和甲基(CH_3)碎片离子。这与文献中已报道的丙酮单光子和多光子电离的其他实验结果不同。测量其离子信号强度与激光     

XeCl准分子激光诱导的Fe(CO)_5多光子电离质谱

本文报道了在扩散分子束条件下对Fe(CO)_5的XeCl准分子激光诱导多光子电离质谱研究,并分析研究了各离子的生成机理。 实验观察到高度碎裂的多光子电离质谱。结果表明:Fe~+的形成过程始终占支配地位,     

紫外激光作用下四甲基硅的MPI光谱和TOF质谱研究

本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离（ＭＰＩ）光谱及飞行时间（ＴＯＦ）质谱的研究。得到了激光激发波长在３８３～３７３ｎｍ内的多光子电离光谱，获得了某些波长点处的飞行时间质谱，并据此讨论了该分子可能的ＭＰＩ机理。     

355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论     

硷土金属原子的多步共振光电离研究

原子、分子的激光多光子电离光谱学是近年来发展起来的研究原子、分子物理的新领域。原子内部能级之间的光激发、光电离以及自电离态能级等的研究和光电离截面的测量,是原子、分子物理中非常感兴趣的问题之一。同时也是激光物理、天体物理、等离子体物理等其它领域的研究所感兴趣的课题。在激光分离同位素的研究中,最关键的问题是能否找到     

266nm激光作用下1,3-二溴苯的多光子电离和解离研究

在波长为266 nm的激光作用下对1,3-二溴苯分子的多光子电离解离过程进行了研究,获得了溴苯分子的MPIF-TOF质谱,并测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系.用这些实验结果分析1,2-二溴苯分子的多光子电离解离机理,得出1,3-二溴苯的MPI过程主要是母体分子解离-中性碎片电离C6H 4,C5H 3,C4H 2,C3H 等碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的,并给出了可能的解离通道.     

266nm的激光作用下溴苯分子的多光子电离碎片化机理

在266nm激光作用下,利用多光子电离-飞行时间质谱法获得了溴苯分子的MBPIF-TOF质谱。实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系,并用这些实验结果对溴苯分子的多光子电离解离机理做了分析,还对C6H5 ,C5H3 ,C4H2 ,C3H 等碎片离子的可能形成过程作了讨论,结果证明母体分子吸收光离解离是主要通道,且碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的。     

390.60nm激光作用下Si(CH3)4的多光子解离与硅原子的(1+1)电离

在390.60nm的紫外激光作用下，利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱，在较低能量的激光作用下主要检测到了Si(CH3)^ 、Si^ 、C2^ 等离子的信号，有时甚至只检测到了Si^ 离子的信号：在较高能量的激光作用下主要检测到Si(CH3)^ n(n=1,2,3,4)、Si^ 、C2^ 甚至还有SiC3^ ,SiC2^ 等离子的信号。据此并结合以前得到的结论，讨论了四甲基硅分子可能的MPI过程。得出了Si^ 主要来自于Si(CH3)4的多光子解离－Si原子的（1＋1）电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3)的（3＋1）电离、Si(CH3)^ 4来自于Si(CH3)4的（3＋1）电离的结论。     

超声分子束激光光谱学

本文阐述原子束和分子束技术的发展,着重讨论超声分子束技术,超声分子束激光光谱学的特点及其发展趋向。最后简要介绍超声分子束荧光光谱、重元素同位素低温光谱、多光子电离光谱和超声分子束CARS光谱。     

CH3I在532nm及455.5nm激光作用下多光子电离研究

本文利用飞行时间质谱仪研究了532nm和455.5nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离（MPID）。在532nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的A2态，它的MPID属母体离子阶梯模式;在455.5nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的3E态，它的MPID属中性碎片光电离模式。     

NH_3多光子电离动力学过程分析

本文利用速率方程方法分析NH_3多光子电离动力学过程,导出NH_2~+、NH_3~+、NH_4~+等离子产额的数学表达式,并在实验条件下计算出各离子强度的光强指数因子,与实验结果基本一致。 我们实验研究了分子束条件下NH_3的多光子电离质谱,及其光强相关和气压相关关     

碘化钠分子的光离解及其生成物钠原子的共振电离研究

利用脉冲激光与分子的相互作用，用波长３３０ｎｍ激光脉冲对ＮａＩ分子进行了光离解；同时对光离解后的产物之一Ｎａ原子实行了共振电离。通过对Ｎａ＋离子飞行时间质谱（ＴＯＦＭＳ）结果的分析，讨论了Ｎａ＋离子质谱的特点，并对过程中存在的多光子电离（ＭＰＩ）进行了讨论。     

用可见激光研究丙胺分子的多光子电离

本文在４４３ｎｍ，４７８ｎｍ和５３２ｎｍ处，获得了不同激光强度下丙胺分子多光子电离飞行时间－质谱。     

飞行时间质谱法研究Si（CH3）4分子的多光子解离和电离过程

采用超声分子束技术,以飞行时间（TOF）质谱仪,于410－371nm内,在不同能量的激光作用下,着重检测了气相Si(CH3)4分子在15个波长点处的多光子电离（MPI）TOF质谱分布。根据实验结果,讨论了Si(CH3)4可能的MPI机理,得到了Si^ 主要来自于母体分子及中性碎片的多光子解离－硅原子的共振电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3）主要来自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3）的自电离、而Si(CH3)4^ 则来自于母体分子的（3＋1）电离的结论。