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本文利用LP-MOCVD系统在InP(001)衬底上先生长约2nm的GaAs张应变层,再依据S-K生长模式生长InAs量子点层。用量子力显微镜(AFM)对InAs量子点(岛化)进行了研究。研究发现当InAs层的厚度为2个单原子层(ML)时,刚刚有InAs自组装量子点在表面形成;当InAs层的厚度为ML时,有大量的InAs自组装量子眯在表面形成,且量子点的有规律地沿两个正交方向排列,沿某一方面排列较 相似文献
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利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点 总被引:1,自引:1,他引:0
在GaAs基InxGa1-xAs(x=0.15)应变层上生长了InAs量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD 相似文献
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Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献
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用低压MOCVD(LP-MOCVD)生长三种不同的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,其中两种含AlGaAs限制层。结果表明,AlGaAs限制层对量子阱的发光强度影响很大,与没有AlGaAs限制层的结果相比,带AlGaAs限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。在低温(18K)PL光谱图中,我们看到,除了存在主峰以外,在主峰两侧还各有一个子峰,这些子峰可能与量子阱的质量有关。 相似文献
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本文介绍了InAsSb应变层超晶格用于红外探测器的基本特点,简述了国外InsSb应变层超晶格研究现状及我们研究所的研究成果,并指出存在的差距及发展前景。 相似文献
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通过研究GaAs衬底上不同厚度InAs层光致发光的退火效应,发现它和应变量子阱结构退火效应相类似,InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强,量子点发光峰蓝移.量子点中或其附近一旦形成位错,其中的应变得到释放,互扩散现象就不明显了,退火倾向于产生更多的位错,量子点的发光峰位置不变,但强度减弱. 相似文献