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宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步.宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能.文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结合宽禁带半导体器件的特点,阐述了该类器件的发展现状,给出了发展趋势及应用展望. 相似文献
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三代半导体功率器件的特点与应用分析 总被引:2,自引:1,他引:1
以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。 相似文献
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SiC宽带功率放大器模块设计分析 总被引:1,自引:1,他引:0
功率放大器是射频前端中的关键部件,宽带是目前功率放大器的主要发展趋势。基于碳化硅(SiC)宽禁带功率器件,利用ADS仿真软件,依据宽带功率放大器的各项指标进行电路的设计、优化和仿真,制作了500~2 000 MHz波段宽带功率放大器,并对放大器进行了性能测试和环境实验。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的,SiC宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。 相似文献
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宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望 总被引:7,自引:0,他引:7
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望. 相似文献
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功率MOSFET的研究与进展 总被引:1,自引:1,他引:0
器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。 相似文献
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SiC电力电子器件喷薄欲发 总被引:1,自引:0,他引:1
以Si为代表的传统半导体电力器件可满足电力电子对功率大、工作速度快、通态电阻小、驱动功率低等方面的应用要求。但是,只有SiC等宽禁带半导体材料才能根本上解决电力电子对高击穿电压高工作温度等方面的要求,并有可能省去过流、过压、过温等保护装置。这主要归功于SiC具有很高的击穿场强良好的热导率和热稳定性。 相似文献
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宽禁带SiC材料被认为是高性能电力电子器件的理想材料,比较了Si和SiC材料的电力电子器件在击穿电场强度、稳定性和开关速度等方面的区别,着重分析了以SiC器件为功率开关的电力电子装置对电力系统中柔性交流输电系统(FACTS)、高压直流输电(HVDC)装置、新能源技术和微电网技术领域的影响。分析表明,SiC电力电子器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、损耗小、动态性能优良等特点,在较高电压等级(高于3 kV)或对电力电子装置性能有更高要求的场合,具有良好的应用前景。 相似文献
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将全碳化硅开关器件应用于大功率高压电源的设计中,可有效提高开关频率和减小散热器的体积,从而增加了移动微波武器系统的机动性。文中分析了提高开关频率的困难,并提出了实现小型化大功率高压电源的系统方案。最后结合数学推导及saber软件的强大仿真功能,设计了一款5KV-1A的高压电源模块。 相似文献
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Impressive radio frequency power performance has been demonstrated by three radically different wide bandgap semiconductor
power devices, SiC metal semiconductor field effect transistors (MESFETs), SiC static induction transistors (SITs), and AlGaN
heterojunction field effect transistors (HFETs). AlGaN HFETs have achieved the highest fmax of 97 GHz. 4H-SiC MESFETs have achieved the highest power densities, 3.3 W/mm at 850 MHz (CW) and at 10 GHz (pulsed). 4H-SiC
SITs have achieved the highest output power, 450 W (pulsed) at 600 MHz and 38 W (pulsed) at 3 GHz. Moreover, a one kilowatt,
600 MHz SiC power module containing four multi-cell SITs with a total source periphery of 94.5 cm has been demonstrated. 相似文献
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WANGQiang LIYu--guo SHILi--wei SHUNHai--bo XUECheng--shan 《半导体光子学与技术》2003,9(3):182-188
Silicon carbide (SiC) is an excellent microelectronic material used to fabricate high frequency, high temperature, high power and non--volatile memory devices. But due to its indirect band gap, SiC based LED can‘t emit light so efficiently as GaN based LED, so people are eager to seek effective means to improve its luminescence efficiency. Amorphous SiC, porous crystalline SiC, nanometer SiC produced by CVD methods and porous SiC formed by ion implantation are investigated, and great progresses have been gained during the latest few years, which make SiC a promising material for developing OEIC. 相似文献