玻璃釉的酸碱性对厚膜导电浆料性能的影响

<正> 设计和生产厚膜电路通常需要了解厚膜浆料的主要成份及各成份之间的量变关系。众所周知,厚膜浆料中很小的无机颗粒分散在粘性的有机载体里。厚膜导电浆料要求低方阻、高附着力、可焊性良好、耐腐蚀等。为了使产品的性能得到改良,改进和提高产     

烧结温度对厚膜电阻的影响研究

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。     

无铅银浆烧结工艺与导电性能研究

制备了无铅低温玻璃粉,将其与银粉和有机载体混合配制成无铅导电银浆并烧结。通过SEM和EDX观察浆料烧结银膜的形貌并进行成分分析,用四探针测试仪测量烧结银膜的电阻率,讨论了浆料成分配比、烧结时间、烧结温度等方面对银膜导电性能的影响。确定了无铅导电银浆的最佳配比为:质量分数w(银粉)72%,w(玻璃粉)3%和w(有机载体)25%,最佳烧结温度为580℃,最佳保温时间为5min。     

低温共烧陶瓷内电极用导电银浆烧结匹配性能

采用优化后的玻璃粉配制成导电银浆,与MgSiO3-CaSiO3生瓷片共烧后形成导电厚膜,探讨了不同玻璃粉配方对所制厚膜的微观结构、热学性能、附着力、线膨胀系数和导电性能的影响,研究了导电银浆与基片低温共烧的匹配性能。结果表明,SiO2-Al2O3-B2O3-CaO-Li2O系玻璃粉配制的导电银浆低温共烧后获得的导电厚膜平滑、均匀、致密;随着该系玻璃粉中Li2O含量的增加,导电银浆的线胀系数逐渐降低;Li2O的质量分数为6%时,该浆料线胀系数最低,为18.482×10–6℃–1;Li2O的质量分数为2%时,导电厚膜与基片的线膨胀匹配性良好,导电性能最好,方阻为3.02 m?/□。     

无铅石墨导电浆料的制备和性能

以导电石墨粉、低熔无铅玻璃和乙基纤维素松油醇溶液制备了无铅石墨导电浆料。分析了浆料中玻璃粉含量对烧结膜表面电阻、威氏硬度和附着力的影响,给出了石墨导电浆料的配方。研究了浆料的流变性、触变性和粘弹性。用玻璃转变温度为476℃的无铅低熔玻璃配制的浆料在520~580℃烧结后,外观致密光洁;当烧结膜厚度为(25±3)μm时,方阻为80~135?/□,硬度为12.3 N/mm2,附着力为45.6 N。     

导电银浆的制备和性能研究

采用商用微米银片为导电相,玻璃粉为粘结剂,乙基纤维素、松油醇和曲拉通为有机载体制备了烧渗型银浆。利用扫描电子显微镜、方阻仪和百格测试法对烧结银浆的显微结构、导电性和附着力进行表征和研究。实验结果表明:烧结温度、玻璃粉含量和导电相的性质对银浆烧结后的显微结构、导电性和附着力均有较大影响。其中,烧结温度不仅对玻璃粉的熔化情况有影响,而且对烧结后的银浆中银片间的接触程度和与基材的润湿性等也有影响;玻璃粉的含量是影响烧结银浆的导电性和附着力的主要因素;微米银片中掺杂纳米银会导致烧结体中导电颗粒间的致密性下降,进而导致烧结后的银浆的导电性和附着力均下降。     

片状银粉对烧结型银浆性能的影响

调节球形银粉和片状银粉不同配比,使片状银粉的质量分数为:0、20%、40%、60%、80%和100%。通过黏度、电阻率和附着力测试,以及可焊性实验和水煮实验,对片状银粉质量分数对烧结型浆料各性能的影响进行了研究。结果显示随着片状银粉用量的增加,浆料的黏度、触变性、电阻率及可焊性也随之增加;随着片状银粉质量分数的增加,烧结膜附着力先增加后降低,当质量分数达到40%时附着力最佳;随着片状银粉用量的增加,浆料的可靠性呈下降趋势。     

铜厚膜环行器的研制

采用新型的在大气气氛中烧结的铜厚膜多层导电浆料,应用厚膜混合技术制作了2。2GHz和2.8GHz的环行器。其性能指标可与同类型采用薄膜贵金属制作的环行器相媲美,且工艺简单,成本低及生产周期短。     

复合玻璃粉在ZnO压敏电阻用银浆料中的作用

ZnO压敏电阻器对所用银浆附着力要求较高,通过对ZnO压敏电阻器用银浆料中玻璃粉的研究,提出了用复合玻璃粉制备ZnO压敏电阻器用银浆料。浆料经不同温度烧成后,测得了烧成膜与基体附着力的数据,复合玻璃粉S2:S5的最佳质量比为1:2.5,复合玻璃粉添加量(质量分数)为3.5%时,可显著提高浆料对基体的附着力。结果表明:可采用适合于480~580℃烧成温度的复合玻璃粉来提高烧成膜的致密性及对基体的附着力。并对其机理进行了探讨。     

Fe_3Si基厚膜电阻的制备与电阻特性研究

采用传统固相合成法制备Fe3Si粉体,用作厚膜电阻的功能相,并用玻璃粉作为无机粘接相制备Fe3Si基厚膜电阻浆料。运用正交试验方法研究了浆料中玻璃粉含量、固含量对Fe3Si基厚膜电阻电学性能的影响。结果表明：浆料中粉料与有机载体的比例对其方阻影响最大,并且当浆料中固含量为69%wt~81%wt时,厚膜电阻的方阻变化范围为37KΩ/□~200KΩ/□;当固含量为75wt%、玻璃粉含量为45%时厚膜电阻的方阻最小。     

厚膜电阻浆料的研究现状与发展趋势

针对厚膜电阻浆料的研究现状,探讨厚膜电阻浆料中功能相的种类和粒度,玻璃相、有机载体的成分及含量等因素对厚膜电阻浆料的印刷性能和电性能的影响,简述了添加剂的种类对厚膜电阻的电导率等电性能的影响。因此,厚膜电阻浆料的性能参数是各因素相互作用的结果,通过改变各组分的成分、含量等,获得高性能厚膜电阻浆料配方。     

贱金属电子浆料导电机理研究

报道了铝、铜、镍、锌等贱金属的电子浆料。通过对铝电子浆料进行Ｘ射线衍射分析、扫描电镜分析、热重和差热分析，表明贱金属电子浆料内的玻璃成分熔蚀了贱金属粒子表面的氧化物，使其能互相熔接在一起，形成导电网络。而贱金属表面氧化物的钝化性使烧结后的导电膜具有一定稳定性。这一导电机理能成功地解释贱金属电子浆料的一些实验现象     

空气中烧成镍电极浆料的研究

介绍了空气中烧成的Ni电极浆料的制备。讨论了浆料中玻璃粉、硼粉含量及烧渗工艺等对电极性能的影响。结果表明:浆料中Ni粉的纯度应为99.5%,粒度为500目;w(Ni)应不低于65%;玻璃粉的软化温度为450℃左右;粒度为300目,w(玻璃)为20%左右。加入硼粉系作为抗氧化剂。于810℃的大气中烧渗,保温5 min,此贱金属镍电极可牢固地附着在陶瓷基体上,并具有良好的欧姆接触性能。     

Electrical Conductivity of Thick Films Made from Silver Methylcarbamate Paste

We have explored the electrical conductivity of thick films made from silver methylcarbamate paste using metallic silver as the electrically conductive phase. The paste was composed of 30 wt.% to 90 wt.% organic vehicle and 10 wt.% to 70 wt.% functional phase precursor (silver methylcarbamate). After the paste was sintered, films with thickness of 4.50 μm to 12.70 μm were obtained, in which the elemental percentage of silver varied from about 5 wt.% to above 99 wt.%. Experiments showed that both the electrical conductivity and the elemental percentage were mainly affected by the initial silver content in the paste and the parameters of the sintering process. For given sintering conditions, higher initial silver content led to higher elemental percentage of silver, improving the electrical conductivity of the thick film. The conditions of the sintering process had a significant influence on the evaporation and decomposition rates of the paste components, the elemental percentage of silver, and the microstructure of the thick film. Higher temperatures, longer times, lower heating rates, and more oxygen-rich sintering atmospheres were found to accelerate the evaporation and decomposition and increase the elemental percentage of silver, both of which served to enhance the electrical conductivity. For initial silver contents less than about 10 wt.%, the lowest electrical resistivity of the thick film only reached the order of 10^?4 Ω cm, irrespective of the sintering conditions. For contents between 10 wt.% and 25 wt.%, it was possible to attain lowest resistivity values on the order of 10^?5 Ω cm. Above 25 wt.%, the lowest resistivity could reach 10^?6 Ω cm, comparable to that of bulk silver.     

一种低熔点玻璃保护浆料

研制了一种厚膜片电阻用低熔点玻璃保护浆料。这种浆料由玻璃粉、颜料及有机载体按一定比例混合而成。烧结温度约６００℃，黏度１８０～２４０Ｐａ·ｓ，颗粒度不大于３μｍ，被封电阻烧成后，平均阻值变化率为０．６５％。     

Active brazing alloy paste as a totally metal thick film conductor material

A silver-based active (titanium-containing) brazing alloy, namely 63Ag-34.25Cu-1.75Ti-1.OSn, was found to serve as a totally metal (no glass) thick film conductor which exhibited lower electrical resistivity, much greater film/substrate adhesion, much lower porosity, similar solderability, and lower scratch resistance compared to the conventional silver-glass thick film. The brazing alloy film was formed by screen printing a paste containing the alloy particles and then firing at 880°C in vacuum.     

高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究

从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界面状况 ,有利于 Al N/玻璃复合材料和银共烧的实现     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。