Y2O3:Eu电致发光膜的制备与结构表征

采用电子束蒸发和射频磁控溅射技术沉积了Y2 O3 :Eu电致发光薄膜 ,对膜进行了不同温度的大气热处理。用原子力显微镜 (AFM)观察了Y2 O3 :Eu膜的表面形貌 ,用X射线 (XRD)分析了Y2 O3 :Eu膜的结构 ,并对两种Y2 O3 :Eu膜的微结构和表面形貌进行了比较。结果表明 ,射频磁控溅射Y2 O3 :Eu膜与电子束蒸发Y2 O3 :Eu膜相比 ,结构更致密 ,表面更平滑 ,而且 ,在 90 0°C高温热处理后 ,溅射膜呈现单斜晶系结构 ,具有该结构的Y2 O3 :Eu膜适宜于作电致发光膜。     

HfO2-SiO2混合膜力学性能

利用离子辅助电子束双源共蒸发工艺方法,制备了SiO2掺杂含量分别为0、13%、20%、30%、40%和100%的六组HfO2-SiO2混合膜。采用纳米压痕法测量了不同组分混合膜的杨氏模量和硬度,并研究了混合膜杨氏模量和硬度随SiO2含量增长的变化规律。结果显示,随着SiO2含量增加,混合膜杨氏模量和硬度均减小,双组分复合材料并联模型可以较好地拟合杨氏模量随混合膜SiO2含量变化关系。为了解释混合膜力学性能随SiO2含量变化规律,对混合膜进行了XRD测试,研究了混合膜微观结构与杨氏模量和硬度的关系,发现结晶对硬度影响显著,对杨氏模量影响较小;用Zygo干涉仪测量了样品的面形,获得了薄膜残余应力随SiO2含量的变化规律,表明SiO2掺杂能减小HfO2薄膜压应力。     

热氮化SiO_2膜性能的试验研究

本文报导对热氮化SiO_2膜的研究结果.热氮化SiO_2膜的腐蚀特性、抗氧化特性的研究表明膜的化学结构与SiO_2不同.采用AES表面分析技术观察了膜中化学成份,从而证实了膜中的氮含量取决于氮化前的SiO_2膜厚和氮化时的条件,热氮化SiO_2膜的电学特性、抗辐射性能明显优于SiO_2膜.     

双层介质膜的辐照效应

作者研究了在辐射加固的Si器件中用于Si表面钝化的双层介质膜。与称为双层SiO_2膜的CVD-SiO_2/SiO_2膜相比,Si_3N_4/SiO_2和PSG/SiO_2双层介质膜表现出对电离辐射具有较低的灵敏度。然面,Si_3N_4/SiO_2和PSG/S_1O_2膜比双层SiO_2膜表现出大得多的初始界面态密度。作者还研究了后氧化退火对辐射引起的界面态的影响。采用了双层SiO_2膜来实现辐射容限大于1兆拉德(硅)的IIL器件。     

光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用

本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。     

磁控溅射制备Ga2O3/ITO深紫外透明导电膜的光电性能

采用磁控溅射方法在石英玻璃基底上制备了Ga2O3/ITO膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对ITO膜和 Ga2O3/ITO膜的光学透过率和面电阻进行了表征,详细研究了ITO层和Ga2O3层的厚度对Ga2O3/ITO双层膜光电性能的影响。研究表明,Ga2O3(50nm) /ITO(23nm)膜在280nm处的深紫外光学透过率高达77.6%,面电阻为323Ω/sq;ITO层控制Ga2O3/ITO膜的面电阻,影响Ga2O3/ITO膜的紫外透过率;Ga2O3层厚度调控Ga2O3/ITO膜的紫外区域的光谱形状。     

PECVD SiO_2薄膜应力特性的研究

本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。     

O2分压和退火对TiO2/SiO2纳米多层膜结构和光学性能的影响

利用Mass软件设计了TiO2/SiO2纳米多层光学增透膜膜系,并采用高真空电子束蒸发系统在不同O2分压条件下制备了TiO2/SiO2纳米多层膜,TiO2/SiO2薄膜多层膜体系在沉积条件下获得了很好的宽光谱光学透射性能,在可见光谱范围内透射率接近设计值,平均透射率达到90%以上。通过一系列测试方法对多层膜退火前后的透射率、组分结构和退火以后的残余应力以及表面形貌进行了研究。实验结果表明:在较高O2分压条件下,由于多层膜结构中O空位的减少,使得多层膜透射率逐渐增加。在退火条件下,随着退火温度的增加,导致了表面均方根粗糙度(RMS)的增加以及晶粒的聚集长大,500℃时多层膜组分结晶化明显加强,使得缺陷增多;同时受退火温度的影响,残余应力逐渐增加,组分相互扩散加剧使得多层膜界面受到破坏。这些因素最终导致TiO2/SiO2多层膜的透射率逐渐降低。     

电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究

本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波导器件的SiO2膜。采用高温退火处理工艺使SiO2膜的光学和物理特性稳定。在蒸镀过程中,输入不同压力的O2,可以改变和控制SiO2膜的组分,达到控制膜折射率的目的。通过逐次蒸镀、退火的工艺,实现1μm以上厚SiO2膜的制备。     

1.06微米宽带硬膜偏振片的研制

本文用自动设计的方法设计了在较宽光谱范围内具有优良特性的偏振膜,并对该膜系的稳定性以及厚度控制误差对其特性的影响进行了分析。本文选用TiO_2和SiO_2作为偏振膜的材料。在实验的基础上,建立了TiO_2膜的折射率与基体温度的关系以及TiO_2膜的吸收率与淀积条件的关系。制成的偏振膜的性能,在1.0μm附近约200(?)的范围内,T_p≥95%,T_s≤1%。这种偏振膜可以作为大功率激光系统的偏振元件。     

Development of planar microwave filters from double sided YBCO thin films on MgO substrates

Planar microwave filters patterned from thin film HTS on low loss substrates can offer waveguide-like performance at a fraction of the component mass and volume. First results are presented for a microstrip filter at 6.2 GHz fabricated from YBCO thin films deposited onto both sides of an MgO substrate. The measured results are compared with identically patterned filters assembled from gold and YBCO single sided films.<>     

红外探测器用滤光片的技术现状及应用

近红外滤光片和中红外带通滤光片在航天、气象和遥感等领域都有重要的应用。红外滤光片是让红外光透过而使其他波长光截止的滤光片,它的主要指标是峰值透过率。带通滤光片的重要指标是峰值透过率和通带半宽度。光学薄膜的膜系结构和具体设计对这些指标起决定性作用。本文主要介绍这两种滤光片的几例实际运用。     

高温超导微波滤波器研究进展

滤波器作为通信系统射频前端的关键部件,其性能至关重要。在微波频段,高温超导薄膜材料的表面电阻比普通金属铜低两个数量级以上。由于用高温超导体可以制备出性能优异的微波滤波器,并且现代无线通信系统多网络、多制式和多业务以及抗干扰的发展需求,使得小型多频带滤波器和具有抗噪声干扰的平衡滤波器的研究备受关注。研究团队长期从事该领域研究,并已取得一些研究成果。文章从不同谐振器结构类型以及频率特性等方面介绍了多频带和平衡滤波器的研究设计工作。     

钝化层对声表面波滤波器的影响

为了研究钝化层对声表面波(SAW)滤波器性能的影响,以二氧化硅(SiO₂)薄膜为钝化层,对厚度为12~80 nm 的SiO₂膜钝化层工艺数据进行分析。结果表明,当SiO₂膜钝化层覆膜厚度大于25 nm时其膜层质量均匀性好,致密度高。同时SiO₂膜钝化层厚度对膜层间的粘性、传播损耗、自身的质量负载及谐振峰处的频率均有影响,且会引起过渡带宽发生变化。     

A Polylithic Filter Channel Bank

The advent of AT-cut quartz crystal resonator filters has made possible the design of high-quality channel translation equipment with reduced cost and size. This paper describes a new channel bank, with built-in carrier generation, employing 8-MHz polylithic crystal filters for sideband selection and singleresonator filters for carrier selection. Integrated and hybrid thick film circuits have been used to provide increased reliability and size reduction The modulation plan, equipment design, and performance are discussed.     

Closed-Form Expressions for the Design of Ladder-Type FBAR Filters

Filters based on film bulk acoustic resonators (FBARs) promise to improve the performance of actual filters, however, to the authors' knowledge, their systematic implementation is not straightforward. This letter presents a collection of closed-form expressions for the systematic design of ladder-type filters using FBARs. The procedure is validated against the work of other authors, finding a very good agreement between results     

Third-order intermodulation measurements of microstrip bandpass filters based on high-temperature superconductors

The insufficient power-handling capability of high-temperature superconducting microwave filters has been a serious barrier to their application. To clarify the key parameters for improving the power-handling capability of RF filters based on high-temperature superconductors (HTSs) with microstrip structures, we synthesized bandpass filters with different layouts using several kinds of HTS thin films and performed third-order intermodulation measurements on them. The experimental results indicate that increasing the film thickness and utilizing molecular-beam-epitaxy-grown films of NdBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7/ (NBCO) are effective in obtaining microstrip filters with high power-handling capability. For NBCO filters, we also investigated the effects of oxygen annealing, passband width, and the frequencies of the input signals on the power-handling capability.     

1.8GHz AlN薄膜体声波谐振器的研制

提出了基于AlN压电薄膜多层结构的1.8 GHz射频薄膜体声波谐振器(FBAR),并进行了研究。采用修正后的MBVD等效电路模型对器件的谐振特性进行了分析和模拟。给出了采用半导体加工工艺制备器件的工艺流程,并实际制做谐振器样品,样品的测试结果:器件的串联谐振频率fs和并联谐振频率fp分别为1.781和1.794 GHz,相应的有效机电耦合系数为1.8%;串联谐振频率处和并联谐振频率处的Q值分别为308和246。该谐振器样品实际尺寸为0.45 mm×0.21 mm×0.5 mm,可以用来制备高性能的滤波器、双工器和低相噪射频振荡器等。     

声表面波滤波器理论研究进展

为使声表面波(SAW)滤波器技术向更高的频段发展,对SAW滤波器的基础理论进行了分析：展示了压电材料压电效应(逆压电效应)的产生机理,并通过例子对比说明压电材料的晶体结构属性。介绍了重要的物理量机电耦合系数以及SAW传播的物理机理;重点推导了SAW在压电介质中的传播性质,并同非压电介质的传播特性进行了对比。得出SAW在压电介质中是非色散波,存在3个方向的质点位移分量;压电薄膜中SAW是色散波,且压电薄膜使得声表面波速度发生变化。     

红外滤光片激光损伤的研究

介绍了利用１．０６μｍ准连续ＹＡＧ激光对红外滤光片进行损伤的实验，从薄膜热物性的角度确定红外滤光片的损伤阈值．通过对红外滤光片的损伤过程的研究，初步提出红外滤光片的损伤机理。