0—3型压电陶瓷—聚合物复合材料的乘积性质

提出０－３型压电陶瓷－聚合物复合材料具有乘积性质，并基于复合材料的串联和并联模型进行了理论分析，分析表明，０－３型压电陶瓷－聚合物复合材料产生最大乘积效应的必要条件为两组元的体积分数约０．５左右，作为实例，分析了ＰＺＴ－ＰＶＤＦ、ＴＧＳ－ＰＶＤＦ和ＢＴ－ＰＶＤＦ热释电复合材料的实验结果，发现了增强热释电效应，结果与理论预测相符合。     

夹层压电复合材料的研究

使用碳黑／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）导电复合材料与０－３型ＰＺＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料进行二次结构复合,形成夹层压电复合材料,对其压电性能进行了分析测试。研究结果表明,夹层压电复合材料的压电系数（ｄ３３、ｄ３１）比原单层０－３型ＰＺＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料有明显提高。此外,从理论上分析说明了其压电系数提高的原因在于夹层压电复合材料受到外部应力作用时,产生了内部应力。     

PT／P（VDF—TrFE）复合材料的压电和热释电性能

采用压塑方法成功地制备了掺钙钛酸铅／偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）０－３型复合材料。对两种极化样品的方法进行了讨论，其一是仅仅让复合样品中的陶瓷极化，另一种是让两相均被极化，当陶瓷和聚合物在同一方向极化时，其二相的压电性能部分抵消，而热释电性能增强，因此，在一定的体积比下，陶瓷与聚合物复合材料存在热释电性而无压电性，最后，测量和讨论了样品的压电常数ｄ３３，厚度耦合系数ｋｒ和热释电系     

大面积水听器用0-3型压电复合材料的制备

以钛酸铝（ＰＴ）和Ｆ２４「Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）」为原材料，利用热轧法和旋转电晕放电极化方法制备出面积达３７５ｃｍ＾２，厚为首领μｍ的大面积０－３型ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料。其压电应变系数为３２ｐＣ／Ｎ，静水压压电系这到７８２．６ｍＶ．ｍ／Ｎ，并对其温度和压力稳定性进行了分析测试。     

串联2—2复合材料的介电性和压电性

以ＰＺＴ为陶瓷相，以聚偏二氟乙烯（ＰＶＤＦ）为聚合物相，采用热压法制备了串联２－２型样品。测试了串联２－２型压电复合材料的介电、压电性能。实验结果表明，串联２－２型复合材料的压电应变系数ｄ３３及介电常数ε均较小；在低频，由于界面极化引起的夹层损耗，其介电损耗ｔｇδ则较大。     

球形铁电陶瓷颗粒—聚合物复合材料的热释电性

基于球形增强颗粒复合材料的热应力分析，从理论上推导了包含乘积效应的球形铁电陶瓷颗粒－聚合物复合材料热释电系数和热释电优值的公式。     

PZT—PVDF复合材料的制备及其压电性

采用陶瓷ＰＺＴ微粉和高聚物ＰＶＤＦ制备复合材料，并形成一整套成熟的工艺，对复合材料的压电常数ｄ３３和介电常数进行了测量，结果显示ＰＺＴ－ＰＶＤＦ复合材料具有良好的压电性能。     

PZT－PVDF复合材料的制备及其压电性

采用陶瓷ＰＺＴ微粉和高聚物ＰＶＤＦ制备复合材料，并形成一整套成熟的工艺。对复合材料的压电常数ｄ＿（３３）和介电常数进行了测量，结果显示ＰＺＴ－ＰＶＤＦ复合材料具有良好的压电性能。     

PT／P（VDF—TrFE）复合膜及悬空结构热释电传感器研究

将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜热释电传感器形成悬空结构。实验结果表明，掺入体积比为０．１２ＰＴ粉粒的ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜，比同样成膜条件的Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）膜的热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％；悬空结构大大降低了热导，使传感器在低频段的电压灵敏度和电流灵敏度提高了１０倍以上。根据实验结果，提出了弱铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后，计算复合膜介电系数和热电系数的方法。     

0-3型压电复合材料的硬球无规堆积模型

根据换能器用０－３型压电复合材料中压电陶瓷颗粒精度相等及分布均匀的特性,建立了０－３型压电复合槽糕的硬球无规堆积模型,阐明了复合材料中包裹压电陶瓷颗粒的聚合物厚度随压电陶瓷体积比的变化,给出了不同制备工艺（流延法、热压法）制备理想换能器用０－３电压复合材料的最大压电陶瓷的体积比。并基于广义自洽模型分析了０－３压电复合材料的中压电陶瓷颗粒的有效极化场。     

磁电复合薄膜用高性能压电陶瓷靶材的制备

采用固相法制备了高性能的Pb(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷靶材。通过调整Sr掺杂比例,获得高性能的压电陶瓷配方,以高性能锆钛酸铅(PZT)粉体为原料,经冷等静压和高温烧结制备出磁控溅射需要的、直径为73.6mm的压电陶瓷靶材。     

Sustainable Vibration Energy Harvesting Based on Zr‐Doped PMN‐PT Piezoelectric Single Crystal Cantilevers

In this paper, we present the results of a preliminary study on the piezoelectric energy harvesting performance of a Zr‐doped PbMg_1/3Nb_2/3O₃‐PbTiO₃ (PMN‐PZT) single crystal beam. A novel piezoelectric beam cantilever structure is used to demonstrate the feasibility of generating AC voltage during a state of vibration. The energy‐harvesting capability of a PMN‐PZT beam is calculated and tested. The frequency response of the cantilever device shows that the first mode resonance frequency of the excitation model exists in the neighborhood of several hundreds of hertz, which is similar to the calculated value. These tests show that several significantly open AC voltages and sub‐mW power are achieved. To test the possibility of a small scale power source for a ubiquitous sensor network service, energy conversion and the testing of storage experiment are also carried out.     

改进的共沉淀法制备PZT压电陶瓷粉体

采用正交实验方法研究了共沉淀法制备PZT压电陶瓷粉体的工艺过程。对粉体进行了SEM、电子能谱观察 ,结果表明 :对粉体粒度和形状影响最大的是沉淀剂种类 ,而沉淀剂加入方法则无明显的影响。正交实验优化出了制备PZT粉体的最佳工艺参数。事实证明 :以Pb(Ac) 2 ·3H2 O为Pb源 ,采用共沉淀法制备PZT粉体 ,可以降低生产成本 ,缩短生产周期 ,简化工艺流程     

Sr1-xMexBi2(Nb1-yWy)2O9系陶瓷压电性能的研究

在相对较低的温度下合成了致密的无铅压电陶瓷Sr1-xMeBi2(Nb1-y Wy)2O9(Me为镧系元素)。研究了钨(W)、Me含量对材料压电性能的影响。结果表明，W可以降低材料烧结温度，同时削弱了材料的压电性能。Me部分取代Sr，材料的压电性能增强，但取代量有一最佳值。此压电陶瓷适合于压电陶瓷振子。     

A Study of Ferroelectric Properties of the Oscillator Model of PZT‐22

In this letter, we study the contemporary technologies for making ferroelectric films and the possibility of using the oscillator model of PZT‐22 to analyze its ferroelectric properties. The material showed permittivity dispersion at 65 KHz and 88.5 KHz. We obtained relative attenuation γ, relaxation time τ, and ?_max of the material as 0.0008319, 0.5 s, and 603.438, respectively.     

A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响

以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。     

钨青铜Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6陶瓷的制备及介电性能研究

以SrCO3、BaCO3和Nb2O5为原料,采用传统固相法制备了SrxBa1-xNb2O6(SBN,x=0.49～0.56)无铅压电陶瓷。研究了SBN陶瓷组分及烧结温度对其相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,所有陶瓷组分在1380℃下烧结均可获得钨青铜结构单相。随着x值的增大,陶瓷致密化速度减慢,晶粒生长趋向均匀,介电性能提高,居里温度向低温方向移动。借助居里外斯公式证明了所有陶瓷组分均为典型的弛豫型铁电体。     

高频压电陶瓷滤波器的研制

介绍了一种高频压电陶瓷滤波器的制造及其所用材料，这种采用双重能阱模式的陶瓷滤波器是用掺Ce和Mn的Pb(Zn1/3Nb2/3)(ZrTi)O3压电材料制造的，具有插入损耗小，阻带衰减大和温度稳定性高的特点。     

基于驱动量补偿的压电型微小机器人运动控制

为解决一种左右平行驱动式压电陶瓷微小机器人,由装配误差和压电陶瓷特性的不一致所带来的运动偏差,提出了一种基于驱动量补偿的方法对微小机器人进行运动控制.在详细分析微小机器人的stick-and-slip 运动原理的基础上进行实验设计,对左右压电陶瓷驱动器分别输入不同的驱动量,得到多个微小型机器人在横向位置上的位移偏差量.对所得实验数据用最小二乘法进行处理,并拟合出曲线,进而确定微小型机器人的输入驱动量的补偿值.实验表明,加入了补偿输入后,微小型机器人在相同步数下的直线前进运动中,横向的位置偏差减少为原来的6.1％.利用最小二乘法所得到的基于驱动量补偿的运动控制,能有效抑制微小机器人直线运动中横向位置的偏差.     

Li_2CO_3掺杂对PZN-PNN-PZT陶瓷结构及性能的影响

采用固相法制备了0.1Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.1Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.8Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3+x%Li_2CO_3(PZN-PNN-PZT,x为质量分数)低温压电陶瓷,研究了Li_2CO_3掺杂对PZN-PNN-PZT压电陶瓷晶体结构、微观形貌及电学性能的影响。实验结果表明,随着Li_2CO_3含量的增加,PZN-PNN-PZT陶瓷晶体结构从三方相向四方相转变,陶瓷晶粒尺寸先增大后减小。掺杂适量的Li_2CO_3能有效提高PZN-PNN-PZT陶瓷的电学性能。当x=0.3时,PZN-PNN-PZT陶瓷具有最好的综合性能:压电常数d_(33)=530 pC/N,机电耦合系数k_p=0.55,品质因数Q_m=60,居里温度T_C=176℃,相对介电常数ε_r=2 800,剩余极化强度P_r=32.80μC/cm~2,矫顽场E_c=0.96 kV/mm。