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以安森美公司的低功率通用离线式开关电源电流模式PWM(脉宽调制)控制器NCP1200芯片为核心,设计了一个结构简单、性能稳定的150 W DC/DC电源.在对NCP1200的结构、工作原理和应用电路进行分析的基础上,对由NCP1200组成的开关电源的控制电路和主电路进行了参数设计和元器件选择,最后对该电路进行了分析和讨论. 相似文献
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峰值电流模式降压DC/DC变换器芯片设计 总被引:3,自引:1,他引:2
设计了一种基于UMC 0.6μm BCD工艺的降压DC/DC转换芯片.采用固定频率脉宽调制(PWM)、峰值电流模式控制结构以提供优良的负载调整特性和抗输入电源扰动能力;在电流检测输出加斜坡补偿消除峰值电流模式次谐波振荡;设计增益较高、带宽较大的电压反馈误差放大器以提供大的负载调整率和提高负载的瞬态响应能力;设计高单位增益带宽的PWM控制器以适应高开关频率工作的要求,同时提高转换效率.系统仿真结果表明,在4~20 V的输入电压范围内,芯片的开关频率为600 kHz,开关电流限制值为1.8 A,典型应用下转换效率高达90%,并具有良好的抗输入扰动和负载调整能力、快速的瞬态响应能力、小的输出纹波等特点. 相似文献
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一种高效率绿色模式开关电源控制器的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种高效率绿色模式降压型开关电源控制器芯片的设计,特点是采用PWM/Burst多模式控制策略提高全负载条件下的电源转换效率. 由于降低了低负载和待机条件下的电源功耗,可减小由电池供电的现代便携式设备的静态功耗,延长设备的待机时间和电池的寿命. 芯片还实现了模式转换过程中的平滑过渡以及过冲电压的抑制. 此外,还引入一种高精度、高效率的片上电流检测技术,进一步降低了功耗. 该芯片在1.5μm BCD (bipolar-CMOS-DMOS)工艺下设计和制造,测试结果表明芯片已达到预期的性能要求. 相似文献
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一种DC/DC斜坡补偿电路的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出了一种峰值电流模式控制的DC/DC转换器中斜率补偿电路.电路采用上斜坡补偿(补偿信号与采样信号叠加)方式.电路由采样电路、斜坡信号产生电路、叠加电路共同组成.采样电路采样电感电流信号,并生成一个带有采样信号信息的电流信号,输入到叠加电路,与斜坡信号产生电路生成的一个斜坡电流信号进行叠加,然后共同作于一个电阻之上,输出一个带有采样信号信息与斜坡补偿信息的电压信号,实现斜坡补偿.该信号与误差放大器的输出信号共同输入到PWM(脉冲宽度调制)比较器,两信号经比较后输出驱动信号,控制功率管的关断. 相似文献
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论述了一种应用于Buck型开关电源控制器的仿真电流模式控制方法及相应的电路设计。该技术可用于新一代符合VRMIO标准的处理器供电电路。分析了传统电流模式控制在此应用条件下的局限性,提出了利用仿真电流模式实现Buck型开关电源的电流跟踪控制,并分析了电路的工作原理及设计实现。电路采用1.5μm BCD工艺实现。电路与系统的仿真结果表明,所预期的设计要求均已实现。 相似文献
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峰值电流控制开关电源的反馈补偿问题研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对电流控制模式降压型开关电源芯片,探讨了输入电压的不同以及工作温度的差异造成对输出带负载能力和峰值电流的影响。在电流反馈回路的斜坡补偿模块中,加入随输入电压线性变化的基准电流源,以补偿不同输入电压对采样与斜坡补偿峰值电压造成的差异。此外,对反馈环中的比例电阻采用不同的工艺制作,通过电阻的温度系数补偿由采样电阻随温度变化所造成的采样电压的变化,减小温度对电路的带负载能力和峰值电流的影响。改进后,在相同环境温度下,4.7V到30V输入时,输出最大负载电流差异由2A降为0.5A。电阻改进后,从27℃到150℃,输出最大负载电流几乎不变。 相似文献
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电流模式反激变换器中功率限制电路的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论电流模式反激变换器的工作原理与优点,重点分析反激变换器中的过功率保护模块的功能与实现方式。提出在过功率保护电路中利用斜坡电压取代传统的固定电压,以达到不同输入电压下的恒定功率限制。基于CMOS工艺设计了相应的斜坡电压产生电路,该电路结构简单,可广泛适用于各类反激开关电源控制电路。最后并对电路进行了仿真。 相似文献
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介绍了双环电流型脉宽调制(PWM)控制器UC3842的工作原理、特点以及使用中的功率因数校正和斜坡补偿方法.双环电流型PWM控制器是在普通电压反馈PWM控制环内部增加了电流反馈的控制环节,因而除了包含电压型PWM控制器的功能外,还能检测开关电流或电感电流,实现电压电流的双环控制. 相似文献
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提出了一种高效率绿色模式降压型开关电源控制器芯片的设计,特点是采用PWM/Burst多模式控制策略提高全负载条件下的电源转换效率.由于降低了低负载和待机条件下的电源功耗,可减小由电池供电的现代便携式设备的静态功耗,延长设备的待机时间和电池的寿命.芯片还实现了模式转换过程中的平滑过渡以及过冲电压的抑制.此外,还引入一种高精度、高效率的片上电流榆测技术,进一步降低了功耗.该芯片在1.5μm BcD(bipolar-cMOS-DMOS)工艺下设计和制造,测试结果表明芯片已达到预期的性能要求. 相似文献