一种基于SOI材料的新型可调谐光衰减器的设计

设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率.用BPM方法分析了波导结构的传输损耗,用有限元法分析了二维PIN结的电注入特性.结果表明该结构的光衰减器有良好的性能.     

微带巴仑双极PIN管电调衰减器分析与设计

本文分析了一种具有微带已仑结构的双极PIN管电调衰减器，该衰减器结构合理，衰减动态范围大，并可以实现双极衰减特性。文中给出了设计方法和实验结果。实验表明，该衰减器在2.10～2.30GHZ电调范围±5V内最大衰减可达35dB。     

宽频带毫米波匹配型PIN衰减器

<正>PIN电调衰减器可分匹配型和反射型二种.常用的是匹配型衰减器;而反射型衰减器一般要配有隔离元件才能使用,所以实用价值较小.有关毫米波段PIN电调衰减器,迄今虽未见有产品报道;但实验型毫米波段的PIN电调衰减器已有报道,其结构均是采用鳍线插入单脊或双脊波导中.对毫米波段匹配型PIN衰减器,文献[1]作了尝试;采用了双向鳍线结构,将衰减管与匹配管分别接于鳍线的两面;这种结构的衰减器,其缺点是衰减量受到限制.这是由于微波能量不可能集中到双向鳍线的一个侧面的衰减管上.文献[1]所报导的典型结果是:工作频带为28—40千兆赫,零偏插损     

电控遮挡式光衰减器的设计与实现

利用一种新的简易的方法,实现了一种高精度连续可调的遮挡式光衰减器,它由光纤准直器、分路器,光电PIN管、控制电路、步进电机、挡光片组成.通过准直器对光的扩束和挡光片的精加工,保证了遮挡式光衰减器的可行性;光路反馈系统的控制,提高了衰减器的可靠性和精度.该技术容易实现,具有很大的使用价值和广泛的市场前景.     

频率合成器、功率合成器、均衡器、衰减器

Y99-61799-601 0007680宽带微波 PIN 二极管衰减器=Broadband microwavePIN diode attenuators[会,英]/Iordaneseu,S.&Simion.G.//Proceedings of 1998 International Semicon-ductor Conference,Vol.2.—601～604(UG)介绍了装有 ROV211芯片式 PIN 二极管的可变衰减器的分析和设计结果,也分析了这种开关式 PIN二极管衰减器的非线性效应。这种衰减器是一种软微波型衬底上的混合式微波集成电路。对于两倍频程带宽,其插入损耗小于2dB,动态范围为27dB。参6     

高速匹配型PIN衰减器

<正> 为了适应当前电子系统工程中所提出的要求,南京电子器件研究所开展了宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作。 众所周知,受控速度低的PIN衰减器,一般电性能指标均较为优良,尤其插入损耗可以做得较小,在C,X,Ku波段内可分别小于0.6dB,0.8dB,1.0dB。然而,当要求受控速度高时,尤其控制速度在纳秒数量级时,PIN衰减器的研制不仅对PIN二极管有较高要求,而且还须精心考虑偏置电路与要求提供快速激励源。此外,对PIN衰减器本身的研制也带来一定的困难,主要表现在:由于PIN二极管的Ⅰ层减薄引起微波插入损耗增大和承受功率降低。为此,宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作重点放在减小插入损耗,提高受控速度,增大动态范围等几个方面。 在部件设计中采用了CAD技术。编制了三个分析程序和一个综合程序,对快速受控匹配型PIN衰减器进行了优化设计,其典型性能列于表1,实物外形见本期封底照片。     

大功率短波发射机射频自动增益控制分析与探讨

本文在阐述了PIN二极管工作原理的基础上,介绍了TSW2500进口发射机中使用的射频衰减器控制系统,通过控制馈入的直流电流信号大小来改变PIN管的导通程度,使PIN二极管成为一个射频可变电阻,衰减器在较宽的频带范围内实现了较好的匹配和较平坦的衰减。     

全集成宽带微型化可变衰减器模块产品

Avago Technologies（安华高科技）推出一款新全匹配宽带可变衰减器模块产品，适合各种广泛的宽带系统应用。频率范围涵盖50MHz到4GHz的PIN二极管衰减器模块ALM-38140是一款采用Avago低失真硅PIN二极管的全集成解决方案．采用具备6个配置接点的微型化3．8mm×3．8mm×1．0mm多芯片MCOB封装，这个模块非常适合如CATV、WCDMA、VSAT、WiMAX和移动通信基站等无线基础设施应用。Avago是为通信、工业和消费类等应用领域提供模拟接口零组件的领导厂商。     

宽频带毫米波匹配型PIN衰减器

本文采用有向图理论分析了匹配型多管阵PIN衰减器。直接从电网络的有向图中求得电调衰减器的衰减特性和驻波特性。对玻璃钝化无封装棒状型PIN管进行了研究。在较高的微波频率上,所使用的无封装二极管装入微波电路引起的寄生电抗,其重要性显著增加。极端情况下,这些寄生电抗将确定电路工作频率的上限。然而,这个上限频率尚未清楚;为此,本文采用某些独特的技术,将匹配型PIN衰减器的工作频率扩展到毫米波频段。文中给出了五管匹配型PIN衰减器产品的典型性能。工作带宽为26.5—40千兆赫,零偏插损和零偏下的电压驻波系数分别小于1分贝和1.4。衰减量的动态范围大于25分贝,动态衰减下的最大电压驻波系数小于1.4。     

脉冲激光测距漂移误差的研究

光脉冲接收是脉冲激光测距的关键技术之一。稳定有效地探测反射激光脉冲信号和提高脉冲激光测距戗的环境抗干扰能力，是光脉冲接收技术需解决的主要问题。对PIN光电二极管的光探测过程进行了理论分析。指出PIN管中的光生载流子和耗尽层电荷的相互作用导致了耗尽层宽度的改变，进而引起PIN管的光接收响应时间的变化。结合半导体基本理论，构建了相应的PIN管光探测过程理论模型，定义两个描述PIN结性能的特征参数单位光功率敏感度K和单位时间抖动△rp0，进一步给出了PIN管的光响应时间及其抖动大小与光照强度的近似函数关系。该理论模型成功用于解释自触发脉冲激光测距中的漂移误差现象，经过对实验现象和相应实验结果的定性分析，验证了理论分析的正确性。