X波段脉冲耿氏振荡器

文章描述了X波段脉冲耿氏二极管、微波电路、脉冲调制器结构和设计原理以及脉冲耿振荡器的研制结果:在9～10GHz范围内,脉冲功率一般值为5～9W,最佳值10.8W,最大效率为5.5%,最大工作比为1%.     

3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs

<正>GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3.5W。 为合理利用器件自身的寄生电抗作反馈元件。以实现振荡电路简单化,并有利于提高振荡频率,器件采用共漏工作模式。器件单胞FET的栅宽为2mm。包含10条200μm的栅指。用     

高稳定度中功率C波段耿氏DRO

文章介绍了 C 波段介质谐振器稳频耿氏振荡器实用电路结构,简明分析了耿氏 DRO 稳频和工作原理以及用高 Q 介质谐振器稳频和双金属补偿所得的实验结果:在5.3GHz 附近,振荡器输出功率为280mW,在-40～+60℃范围内,振荡器频率温度系数为0.56PPm/℃,功率温度系数小于0.01dB/℃。     

X波段GaAs单片压控振荡器

本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3～11.6GHz,输出功率大于10dBm.     

W波段宽带机调Gunn振荡器

本文介绍了一种宽带机调Gunn振荡器。该振荡器结构简单可靠,单只振荡器就几乎可覆盖整个W波段,振荡器的最大输出功率可达25mw,在所有各频率点上的电调带宽约为450MHz。     

一种高性能X波段介质振荡器

详细介绍了Ｘ波段介质振荡器（ＤＲＯ）的设计方法、实验过程和测试结果。此种高性能ＤＲＯ在控制相位噪声等方面取得一定成绩。     

Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器

<正>目前,大多数FET DRO都采用反射型或反馈型电路形式。由于反馈型结构电路简单,频带宽,调试方便,不跳模,为此,采用反馈型电路,变容管通过一开路线与介质谐振器耦合,研制出一Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器,其电路结构如图1所示。整个电路制作在22mm×15mm×0.6mm,ε_r=9.6的陶瓷基片上。     

C波段高频率稳定度宽带FET电压控制振荡器

本文叙述了用场效应振荡管和砷化镓常γ电调变容二极管及恒温控制电路等构成的C波段高频率稳定度宽带场效应管电压控制振荡器(VCO)的设计和电性能.通过合理的设计,VCO在4～6～8GHz的频率范围内,得到输出功率大于30mW,功率平坦度小于1dB,频率稳定度在10~(-5)量级.     

Ka波段双调谐VCO的分析和研制

本文分析了反射式腔稳双变容管调谐耿氏振荡器的调谐特性和相位噪声性能，研制出的Ka波段双调谐VCO的性能为：输出功率50－100mW，粗调谐10－20MHz/0-15V，细调谐±1－3MHz/0.-15V，相位噪声为－60dBc/Hz(fm=1KHz),-95dBc/Hz(fm=50KHz)。该双调谐VCO已成功地应用于某毫米波系统中。     

基于YIG振荡器实现的X波段频率合成器

本文介绍了一种YIG(Yttrium Iron Garnet)振荡器的X波段频率合成器的设计方案，实验结果表明，该合成器性能稳定可靠。