0.1 THz鳍线单平衡式基波混频电路研究

研究了一种基于石英基片的0.1 THz频段的鳍线单平衡混频电路,混频电路的射频和本振信号分别从WR10标准波导端口通过波导单面鳍线微带过渡和波导微带探针过渡输入,中频信号通过本振中频双工器输出。这是一种新型的混频电路形式,与传统的W波段混频器相比,混频电路可以省略一个复杂的W波段滤波器,具有电路设计简单、安装方便的特点。该电路使用两只肖特基二极管通过倒装焊工艺粘结在厚度为75 m的石英基片上,石英基片相对传统基板,可以极大提高电路加工精度。在固定50 MHz中频信号时,射频90~110 GHz范围内,0.1 THz混频器单边带变频损耗小于9 dB。     

三毫米波亚谐波混频器研制

采用鳍线结构研制出三毫米波亚谐波混频器.混频的核心元件是反向并联的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据亚谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络.然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此设计出射频网络.中频网络采用微带线结构实现.该混频器工作在射频92～96GHz,中频8～12GHz,实测带内变频损耗小于19.1dB.     

基于新型超宽带平面巴伦的双平衡混频器

首次基于新型超宽带平面巴伦,设计了工作于超宽带(3.1¹0.6GHz)频段的二极管双平衡混频器。微带到槽线过渡巴伦具有高通性质,可以阻断直流和中频分量,而微带到共面带线(CPS)过渡巴伦可以提供中频和直流回路,二者与交叉二极管对一起构成平面超宽带双平衡混频器。同时,可在中频端口串接宽阻带低通滤波器,进一步改善射频(RF)和本振(LO)端口到中频(IF)端口的隔离度。根据测试结果,当射频和本振信号工作于3.110.6GHz)频段的二极管双平衡混频器。微带到槽线过渡巴伦具有高通性质,可以阻断直流和中频分量,而微带到共面带线(CPS)过渡巴伦可以提供中频和直流回路,二者与交叉二极管对一起构成平面超宽带双平衡混频器。同时,可在中频端口串接宽阻带低通滤波器,进一步改善射频(RF)和本振(LO)端口到中频(IF)端口的隔离度。根据测试结果,当射频和本振信号工作于3.1¹0.6GHz,中频在DC10.6GHz,中频在DC¹00MHz时,变频损耗小于13dB,三个端口之间的隔离度大于25dB。     

S波段PHEMT单片阻性混频器

南京电子器件研究所最近研制出一种低中频的S波段单片PHEMT混频器,具有电路结构简单、三阶交调优越、噪声性能良好等优点,另外混频器要求的本振功率极低,并且基本无直流功耗。GaAs三端器件作为混频元件,其混频方式一般分为有源混频模式与阻性混频模式两种。本研究采用阻性混频方式,其特点是器件的源漏电压为零,电路仅需要提供一个接近夹断的负栅压,本振信号从概极注入,射频信号从漏极注入,中频信号从漏极经滤波电路输出。这种结构最大优点是:（1）低的1／f噪声,对于低中频的混频器,这种结构噪声性能较好;（2）优越的交调特性,当信号功率…     

Ka波段宽带混频器

一种采用电子部五十五所的小型砷化镓肖特基势垒混频二极管设计研制的双脊波导型鳍线式的八毫米混频器取得了良好的性能.这种电路简单到只用三种零件构成,即拼合波导,鳍线及调节牲.电路型式采取平衡式联接的混频电路,信号波导采取双脊型的.鳍线在电路中能起三个作用:本振的耦合,信号的匹配,低通滤波器.     

0.03GHz～3GHz宽带取样混频器的研制

阐述了宽带微波取样混频器的工作原理,分析了其与一般平衡式混频器的区别。同时对脉冲信号发生器也做了研究。通过对取样器的分析设计,得到了实际的测试数据,表明此混频器能在0.03GHz～3GHz的射频范围内与较低的本振混频得到几百kHz的中频,宽带混频效果明显。     

毫米波谐波混频器扩频技术

文章主要介绍了3mm谐波混频器的设计方法并用于毫米波扩频,对毫米波宽带匹配技术、宽带滤波桥路技术、毫米波电路加工及微组装工艺也作了阐述。毫米波谐波混频器采用波导和带状线混合结构,混频二极管采用梁式引线二极管对,滤波电路采用带状线结构的高低通滤波器。毫米波信号与本振信号的18次谐波混频,输出一个中频信号,通过与安捷仑的8563EC、8566等频谱议的配合使用,达到频谱仪的扩频,也可用于网络分析仪、频率综合器、频率计等仪器的扩频。     

平衡双输出混频器电路

研究背景本文略述一般的平衡混频器电路,并特别讨论将两个射频输入信号混频产生音频或射频输出信号的平衡双输出二极管混频器电路。平衡混频器电路通常也属于环形调制器电路。通常它包含二个变压器和二极管或其他开关型网络。变压器的次级绕组均有中心抽头,而二极管或其他开关型网络则耦合于有中心抽头的绕组之间。典型的方式是第一个射频信号激励第一级变压器的初级绕组,第二个射频     

小型电路问答:相位检波器

1.什么是相位检波器? 相位检波器输出一个直流电压,此电压与两个射频输入信号之间的相位差成正比例。 2.用一对二极管就可以连接成一个相位检波器,为什么特意花费四管用双平衡混频器(DBM)来完成同一功能? DBM对于相位检波器来说是一个理想的器件,因为它使基准信号(本振)、输入射频信号和输出中频信号这三者之间具有很高的隔     

12GHz GaAs单片混频器

分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。     

X波段低变频损耗混频器设计

采用商用肖特基势垒二极管HSMS-2822,研制了低变频损耗、高隔离度X波段单平衡混频器。为实现所需要的混频带宽,本振信号和射频信号采用三分支定向耦合器耦合输入,仿真研究表明其能有效地改善工作频率带宽,提高本振端口与射频端口间的隔离度。通过设计合理的空闲频率回收电路,回收利用空闲频率能量,能有效地降低混频器变频损耗,提高本振信号、射频信号及空闲频率信号到中频端口的隔离度。在10.6GHz,测得最小变频损耗5.67dB;在10～11.5GHz,混频器变频损耗为6.4±0.7dB,变频损耗平坦度好,RF-IF隔离度优于27dB,LO-IF隔离度高于24dB,LO-RF隔离度优于14dB。     

三毫米波段二次谐波混频器

采用微带结构研制出三毫米波段二次谐波混频器.该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对.根据二次谐波混频器对本振、射频和中频网络的要求,先用谐波平衡法分析出反向并联二极管对在本振信号单独激励下的大信号阻抗,由此设计出本振网络;然后模拟出该器件在大信号本振激励下的小信号射频输入阻抗,并由此...     

宽带高线性高隔离无源双平衡混频器

基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器,针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题,采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构,不仅提高了隔离度和线性度,同时扩宽了带宽,改善了混频器整体性能.射频、本振频率为1.5～5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm...     

基于GaAs肖特基二极管的330GHz接收前端技术研究

基于GaAs肖特基二极管,设计实现了310~330 GHz的接收机前端.接收机采用330 GHz分谐波混频器作为第一级电路,为降低混频器变频损耗,提高接收机灵敏度,分析讨论了反向并联混频二极管空气桥寄生电感和互感,采用去嵌入阻抗计算方法,提取了二极管的射频、本振和中频端口阻抗,实现了混频器的优化设计,提高了变频损耗仿真精度.接收机的165 GHz本振源由×6×2倍频链实现,其中六倍频采用商用有源器件,二倍频则采用GaAs肖特基二极管实现,其被反向串联安装于悬置线上,实现了偶次平衡式倍频,所设计的倍频链在165 GHz处输出约10 dBm的功率,用以驱动330 GHz接收前端混频器.接收机第二级电路采用中频低噪声放大器,以降低系统总的噪声系数.在310~330 GHz范围内,测得接收机噪声系数小于10.5 dB,在325 GHz处测得最小噪声系数为8.5 dB,系统增益为(31±1)dB.     

K波段集成双平衡混频器

本文叙述在三个端口之间具有良好隔离的一种新型微波集成电路(MIC)双平衡混频器。该混频器是用微带线、开槽线和耦合开槽线与4个梁式引线肖特基势垒二极管相连而成的。已研制出双平衡混频器用K波段魔T电路。在19.6千兆赫信号频率上,测出的最小变频损耗为4.7分贝。在18～21千兆赫频率上,射频端与本振端之间的隔离大于20分贝。可望,该混顿器能广泛用于微波集成电路接收机和发射机,直到毫米波波段。     

超宽带谐波混频器的设计

叙述了一种超宽带谐波混频器的原理、设计以及测试结果。该混频器主要由微带线巴伦、倍频器、单平衡混频器三部分组成。按中心频率为4.5 GHz设计出微带线巴伦结构,平衡端口输出相位差180°,具有尺寸小、损耗低、幅度相位一致性好等优点;采用AEROFLEX公司的MSPD2018型相位检波器作为混频器,该混频器采用阶跃恢复二极管倍频器与单平衡混频器并联结构,先倍频n次谐波后再与信号进行混频;传输线为四分之一波长线以提高端口间隔离度;利用微波电路仿真软件ADS对混频器进行基波和谐波分析。测试结果表明,在3～25 GHz的频率范围内,本振至中频的隔离度优于66 dB,其变频损耗的实测结果满足设计要求,在现有的宽带混频器中具有较好性能。     

1-18GHz微带巴伦双平衡混频器

本文介绍了一种微带巴伦多倍频程微波集成双平衡混频器。它是由宽带微带巴伦和二极管电桥组成。这种微带巴伦双平衡混频器显示了良好的噪声特性和隔离特性。在1-18GHz工作频率范围内,最大双边带噪声系数为8.7dB,平均双边带噪声系数约6dB;本振端一信号端、本振端一中频端隔离度均大于15dB。     

用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器

基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本振端口VSWR的测试结果在0.7~4.0GHz范围内均小于2,IF端口的VSWR测试结果在25 MHz~1GHz范围内小于2。当差分输出时,该混频器的功率转换增益为10dB,1dB压缩点输出功率为3.3dBm。电源电压为2.5V,静态电流为64mA,芯片面积仅为1.0mm×0.9mm。     

一种无源高线性混频组件的设计与实现

在射频通信系统中,混频器作为接收机的核心器件,其线性指标将直接影响整个接收系统的性能。文中设计并实现了一种无源高线性混频组件电路,采用“平衡混频器+吸收式滤波器”的方式达到了高线性要求。平衡混频器采用一对双平衡混频器互联,通过相位抵消达到优化线性的目的;吸收式滤波器吸收混频器产生非线性谐波,使其无法在空间中进行反射,两者共同作用优化了组件整体的线性指标。测试显示,在射频频率为30~1 350 MHz,本振频率为3 030~4 350 MHz,中频频率为3 000 MHz的条件下,混频组件的IIP₂可以达到94 dBm,IIP₃可以达到29 dBm。相比于单独混频器,新电路的线性性能得到极大的优化,更适合高性能的接收机使用。     

W 波段单平衡混频器的设计

本文设计并制作了一种微带形式W 波段单平衡混频器。该混频器采用微带环形电桥结构,射频和本振信号分别从环形电桥的隔离端口由标准波导BJ-900 输入,经对脊鳍线微带波导过渡输入到微带电路,中频信号通过跳线方式连接并通过一段高阻抗线引出到输出口。该电路使用两只DMK2790 肖特基二极管制作在介电常数为2.2,厚度为0.127mm 的RT/Duriod5880 基片上,在固定本振94.5GHz,射频90GHz 到98GHz 范围内,变频损耗小于14.5dB。