S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的     

Zn：Fe：LiNbO3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

Ce:Mn:SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究

采用垂直提拉法生长了Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率,自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ;Ｍｎ：ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值,增益反馈系统,以Ｚｎ;Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为存储介质,实现了关联存储。Ｃｅ：Ｍｎ：ＳＢＮ晶体的位相共轭性能优于ＳＢＮ晶体。     

Fe：LiNbO3晶体的生长及其多波耦合效应

报道了Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长。测试了晶体的放大率，指数增益系数，衍射效率相位共轭反射率和响应时间；对Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变机理进行探讨。     

Ce∶Mn∶SBN晶体的生长及位相共轭效应的研究

采用垂直提拉法生长了Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体。测试了晶体的位相共轭反射率、自泵浦位相共轭反射率和响应时间。以Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体位相共轭镜作阈值、增益反馈系统,以Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３ 晶体作为存储介质,实现了关联存储。Ｃｅ∶Ｍｎ∶ＳＢＮ晶体的位相共轭性能优于ＳＢＮ晶体。     

Linear Phase FIR Filter on Measuring 3-D Surface

ＬｉｎｅａｒＰｈａｓｅＦＩＲＦｉｌｔｅｒｏｎＭｅａｓｕｒｉｎｇ３－ＤＳｕｒｆａｃｅ①ＷＡＮＧＹｕｎｓｈａｎ，ＹＡＮＧＦｕｊｕｎ，ＬＩＷｅｉ（ＳｈａｎｄｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｊｉｎａｎ２５００６１，ＣＨＮ）Ａｂｓｔｒａｃｔ...     

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

二次谐波产生的4.75μm激光

可重复生长的非线性红外晶体ＡｇＧａＳｅ２是Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２簇化合物之一。具有４２ｍ对称的负单轴特性。使用光栅选频要中调谐ＴＥＡ ＣＯ２激光器输出的９Ｐ支线泵浦ＡｇＧａＳｅ２晶体可产生波长４．７５μｍ左右的激光。晶体长度为６．７ｍｍ，在１０．６μｍ处按Ⅰ类相位匹配加工。     

双掺杂Zn,Fe：LiNbO3晶体的二波耦合效应的研究

在固液同成分ＬｉＮｂＯ３中，同时掺入６％ＺｎＯ（摩尔比）和０．０５％Ｆｅ２Ｏ３（摩尔比），用提拉法生长了双掺杂Ｚｎ，Ｆｅ，ＬｉＮｂＯ３晶体，这是一种性能优良的光折变晶体材料。文章用二波耦合技术研究了晶体的耦合增益和衍射效率，Ｚｎ，Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３的光致折射率变化值达１０＾－５，且响应速率达到秒量级，这是双掺Ｚｎ，Ｆｅ两种杂质共同作用的结果。     

紫外可调谐激光晶体Ce^3＋：LiSrAlF6生长及其光谱特性

在国内首次用提拉法生长出Ｃｅ＾３＋：ＬｉＳｒＡｌＦ６晶体,晶体尺寸达φ２０ｍｍ×８０ｍｍ,测定了其在室温下的吸收及发射光谱,并计算了晶体的主吸收系数及残余吸收系数。     

掺铒铌酸锂晶体光放大器的理论研究

阐述了掺铒铌酸锂晶体的光学性能.对由该材料制成的光放大器进行了理论分析.由此可以得出只要晶体的质量足够好.那么制成有实用价值的掺铒铌酸钾晶体光放大器是完全可能的.     

三次泛音49U/S晶片的研制

三次泛音49U／S石英谐振器因Q值高、频率牵引小、跌落性能好而被一些有特殊要求的电路所采用。三次泛音石英谐振器因谐振电阻大，难以控制成为晶片加工技术中的一个主要难题。通过对晶片的选材、切割角度的控制和晶片长度、宽度、厚度的设计以及晶片加工工艺技术的改进，进行研究和探讨。结果表明，取得了满意的效果。     

Zn,Mg:LiNbO3晶体的光学特性研究

为了研制出结合Zn:LiNbO3与Mg:LiNbO3优点的晶体,采用提拉法从熔体中生长了Zn,Mg:LiNbO3晶体,并对它的配方和生长性能、光学均匀性、抗光折变以及倍频性能进行了研究,生长出了尺寸达40mm×70mm、双折射率梯度优于10-4/cm量级的Zn,Mg:LiNbO3晶体,倍频得到了20mJ的0.532μm的绿光输出,转换效率达到45%。该晶体是一种很有前途的非线性光学材料。     

液晶材料与3D显示

介绍了3D显示的基本原理,重点介绍了目前3D显示的主流技术类型,包含了眼镜式3D技术以及裸眼式3D技术,其中眼镜式3D技术包含色差式3D技术、偏光式3D技术和主动快门式3D技术;裸眼式3D技术包含视差屏障式3D技术、柱状透镜式3D技术、指向光源式3D技术和多层显示式3D技术。阐述了各种3D显示技术的基本实现原理和应用领域、并对涉及液晶显示的几种3D技术的优缺点进行了对比。结合液晶材料的特点与3D液晶显示的实际要求,阐述了3D液晶面板对液晶材料快速响应方面的要求,以及液晶透镜对液晶材料光学各向异性参数的要求。     

沿[001]c极化0.70Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.30PbTiO_3单晶的声表面波传播特性研究

以室温下弛豫铁电单晶0.70Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.30PbTiO_3(PMN-30%PT)的材料参数为基础,研究了该晶体沿[001]c极化情况下,不同切型的声表面波传播特性.研究发现,X-切型的PMN-30%PT单晶是一种具有低相速度和高机电耦合系数的材料,同时存在许多能流角为零的传播方向,综合来看,X-切型的127°左右方向是声表面波的最佳传播方向.     

超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展

半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。     

利用非化学汽相沉积法制备掺Yb^3＋光子晶体光纤的研究

提出了一种制备掺Yb^3＋光子晶体光纤（PCF）的新方法,即：非化学气相沉积法。利用溶液掺杂法,将SiO2、YiCl3、AlCl3、K2CO3材料在水溶液中混合,再蒸发、烘干得到均匀的混合材料,经2 000℃以上高温熔炼制备出高掺Yb^3＋浓度石英玻璃。用掺Yb^3＋石英玻璃作为纤芯,通过堆积法制备光纤预制棒,再经拉丝...     

LiNbO3:Ce:Cu晶体中绿光非挥发全息记录优化

为了对在LiNbO3:Ce:Cu晶体中绿光作为记录光的非挥发全息记录进行优化,联立求解了双中心物质方程和双光束耦合波方程,数值分析了平均空间电荷场(SCF)和衍射效率随晶体的氧化还原态、记录光与敏化光的光强比以及深浅中心的掺杂浓度的变化.结果表明,采用绿光作为记录光在LiNbO3:Ce:Cu晶体中进行非挥发全息记录,可以记录得到强光折变光栅,其空间电荷场高达107V/m;获得高达80%以上的固定衍射效率,各相关参量都有较大的优化空间.     

MAPbI3单晶光电探测器的制备及应用

采用逆温法生长得到了MAPbI3单晶,经过粗磨抛光处理后,作为靶材在其表面蒸镀了Au电极,制备了Au/MAPbI3/Au光电探测器,并对其光电性能进行了详细研究。在不同光照条件下的I-V性能测试结果表明,相同的偏压下MAPbI3单晶光电探测器均具有较好的光敏感性和探测性能。通过α能谱和飞行时间(TOF)技术研究并讨论了该探测器对α粒子的探测性能,并最终得到探测器中电子和空穴的电子迁移率和寿命乘积分别为5.6×10^-4和3.3×10^-4 cm^2/V,电子和空穴的迁移率分别为24.6和59.7 cm^2/(V·s)。实验结果表明,该探测器的探测能力与室温核辐射探测材料CdZnTe的相当,证实了逆温法生长的MAPbI3单晶具有优异的电荷传输性能,在室温辐射检测领域有巨大的潜力。     

Ho^3＋，Yb^3＋：YAl3（BO3）4晶体的光谱特征

采用助熔剂法生长了Ho3+,Yb3+共掺的Ho3+,Yb3+:YAl3(BO3)4(Ho,Yb:YAB)晶体,测量了晶体的室温吸收谱,进而根据Judd-Ofelt(J-O)理论计算了Ho3+在Ho,Yb:YAB晶体中的强度参数、自发辐射几率和积分发射截面等参数,得到强度参数为Ω2=1.50639×10-18cm2、Ω4=4.86489×10-19cm2和Ω6=1.40248×10-19cm2。研究了晶体的荧光特性,并在976 nm激光泵浦下得到了上转换绿色荧光。