分子束外延(MBE)技术的最新发展

本文综述了分子束外延技术在人造结构材料及器件上的应用,重点在于用分子束外延制备掺杂超晶格;应变层结构,无针孔硅化物和单晶二氧化硅等人造结构材料及器件。介绍了迁移增强外延(MEE)、间隔生长和温度开关等改进的 MBE技术。展望了分子束外延的发展。     

PtSi红外探测器材料制备技术

介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等ＰｔＳｉ薄膜的制备方法以及应用进展。着重介绍了脉冲激光沉积和激光分子束外延技术的原理及特点。     

分子束外延法制造的激光双异质结

对使用分子束外延法制造激光器双异质结方面的研究工作进行了评述。比较了用分子束外延法和液相外延法制成的注入式激光器的性能，评价了使用分子束外延法制造较高质量的该类器件的成就和前途。     

激光分子束外延

激光分子束外延是在传统分子束外延和普通激光淀积技术基础上发展起来的一种最新制备薄膜和人工超晶格方法。本文介绍了激光分子束外延的工作原理，与传统分子束外延和普通激光淀积技术的区别，主要特点和发展现状，并对其前景进行了简要的评价。     

分子束外延及其应用

最早发表有关化合物半导体分子束外延(简称MBE)的论文大约是五年前的事。之后,贝尔实验室及国际商业机械公司对分子束外延进行了研究发展,最近,它作为半导体单晶新的生长技术而引人注目。分子束外延可以生长极薄(几十埃)的外延层,且原子能级平坦,但用目前的汽相和液相外延法生长这样的薄层就很困难。本文就分子束外延及其应用问题加以阐述。     

原子层分子束外延技术

本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延（ALMBE）。介绍了它的基本原理、生长方法和应用。     

用分子束外延制造低噪声微波场效应晶体管

报导了适用于制造场效应晶体管的砷化镓分子束外延生长。分子束外延结构由一个 n=3.5×10~(17)/厘米~3的有源层和长在它上面的一个 n~+=2.5×10~(18)/厘米~3的接触层组成。用这种材料制造的场效应晶体管在8千兆赫下的最小噪声系数为1.5分贝;相应的增益为15分贝。这是目前报导过的有关低噪声分子束外延砷化镓场效应晶体管的最好结果。     

分子束外延InAlSb/InSb晶体的质量研究

InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体质量进行了分析,找出了影响晶体质量的因素,提高了InAlSb分子束外延的技术水平。实验结果表明,通过优化生长温度、束流比、升降温速率以及退火工艺等生长条件,可以获得高质量的InAlSb分子束外延膜。     

分子束外延技术及其动力学基本理论与应用

本文介绍了分子束外延技术概况,着重论述了这种技术的理论模型、动力学参数及相应的动力学基础。最后介绍了分子束外延技术在光电子器件方面应用的最新进展。     

第十一届全国分子束外延学术会议征文通知(第二轮)

·会议时间:2015年8月25~28日·会议地点:四川省成都市(银河王朝大酒店,中国四川省成都市顺城大街88号)·会议网址:http://mbe2015.csp.escience.cn·主办单位:中国有色金属学会半导体材料学术委员会、中国电子学会电子材料分会·承办单位:中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所·会议宗旨,全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延(MBE)及其相关领域的新进展、新动态、新成果,交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向,拓宽分子束外延的应用领域,为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会,同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道,从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。     

用分子束外延方法在4"硅衬底上生长HgCdTe并制造高性能大规格中波红外焦平面列阵

美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件.测试数据表明,用分子束外延晶片制造的截止波长范围为4μm～7μm的探测器的性能堪与用液相外延方法生长的材料的趋势线性能匹敌.两者的光谱特性相似,但前者的量子效率略低,这归因于所使用的硅衬底.在R0A参数方面,HgCdTe/Si器件比用液相外延方法生长的探测器更接近理论辐射限.通过一个简单的模型,已知材料中的缺陷密度关系到器件的性能.同液相处延材料相比,分子束外延材料的1/f噪声略有增加,但测得的噪声电平还不足以明显降低焦平面列阵的性能.Raytheon公司除了用分子束外延材料制造分立的探测器之外,还用这种材料制造了两种规格的焦平面列阵.制造出来的128×128元焦平面列阵的中波红外灵敏度与用成熟的InSb工艺制造的焦平面列阵相似,而像元的可操作率已超过99%.用分子束外延材料制造的640×480元焦平面列阵则显示出更高的灵敏度和可操作率.     

原子氢辅助分子束外延生长以GaAs材料性能的改善

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了常规分子束外延和原子氢辅助分不外延生长的掺杂Ｓｉ和Ｂｅ的ＧａＡｓ同质结构样品中缺陷的电这特性。发现原以辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子对缺陷的原位中和与钝化作用。     

激光技术在分子束外延中的应用

激光具有波长选择范围宽，强度高和方向性好等优点，已在许多科学技术领域发挥了重要的作用。近年来，激光又被用于分子束外延（ＭＢＥ）技术中，并取得了很大进展。本文论述了在ＭＢＥ薄膜生长中，激光气体离化原位分子束组分监测，激光溅射产生外延分子束源以及这些新技术在材料生长中的应用。     

几种改进的分子束外延（MBE）技术

本文介绍了最近几年来发展的几种改进的分子束外延(MBE)生长技术,包括间隔生长技术、温度开关技术、迁移增强外延(MEE)、气源分子束外延(GSMBE)等。比较详细地介绍了它们的原理,并给出了主要实验结果。     

分子束外延生长的连续工作InGaAs/InP隐埋异质结激光器

人们对用于1.0～1.7μm波长光纤通信系统光源的以InGaAsP和InGaAs作有源层的半导体激光器已进行了广泛研究。本文报导一种采用分子束外延生长制备的InGaAs/InP隐埋异质结激光器,该激光器的隐埋层是用液相外延生长的。InGaAs/InP隐埋异质结激光器的结构如图1所示。该激光器是以掺Sn(100)InP为衬底,用分子束外延生长:(1) n-InP限制层;(2) 非掺杂(n-型)InGaAs有源层;(3) p-InP限制层。接着用液相外延生长隐埋层(p-InP层和n-InP层),再用分子束外延生长p-InGaAs顶层。在分子束外延生长     

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料外延及其物理化学

<正>——本文概述了近年来Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的外延,特别是有关电外延,金属有机化合物和分子束外延的国内外发展动态及其应用;同时也简要地介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物外延的物理化学.     

Ⅱ-Ⅵ族化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延

本文是有关Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延法的第一篇报导文章。外延生长是在100℃温度下、在用分子束外延得到的CdTe(111)面上进行的。     

分子束外延InSb薄膜材料的表面微观形貌研究

用原子力显微镜等方法研究了在InSb (001)衬底和(001)偏(111)B面2°衬底上分子束外延生长的同质外延薄膜和掺Al薄膜样品表面的微观形貌。对比了不同衬底同质外延时生长模式的差异,并观察了加入Al后引入的交叉影线,分析了其产生的原因。研究表明,使用有偏角的衬底更有利于减少分子束外延薄膜的表面缺陷。     

科技进展

法向美提供的工业型分子束外延反应器 法国仪器SA公司Riber分部的Opus型工业分子束外延(MBE)反应器已于1989年3月交付美国芝加哥大学的M.J.P.Faurie。Opus是为外延生长HgCdTe     

CdTe和Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延

采用分子束外延生长法在取向为的CdTeB面衬底上生长CdTe和Cd_xHg_(1-x)Te(CMT),CdTe的外延温度在25℃和250℃之间,而CMT的外延温度则为120℃。这些厚度达10μm的外延层有较好的结晶性;在77K,载流子浓度很低。分子束外延生长的CMT在生长后经过退火处理,它原来较低的霍耳迁移率会得到提高。