C6M—C38 COMMANDER 6 调制器（3）

（上接第１０期）附录Ａ技术指标Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ６调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围０．５～２．０ＶＰ－Ｐ,用于８７．５％调制度编码视频输入电平１．０ＶＰ－Ｐ,额定８７．５％调制度视频输入阻抗７５Ω标称视频输入回传损耗３０ｄＢ最小Ｒ系数２Ｔ脉冲　３％最大Ｓ／Ｎ比率６０ｄＢ最小频率响应±０．７５ｄＢ最大→５．０ＭＨｚ微分增益±０．３５ｄＢ在８７．５％调制度微分相位３％Ｐ－Ｐ最大斜率／线路时间失真１．０％最大　　音频标准输入电平范围－１０～＋１０ｄＢｍ输入阻抗６００Ω平衡频率响应±１．０ｄＢ…     

狗股动脉准分子激光加球囊血管成形术即期效果观察

对２０条血栓闭塞性狗股动脉行准分子激光血管成形术（ＥＬＡ），血管再通率为８５％（１７／２０），并发症为血管穿孔，发生率为１５％（３／２０），所有再通血管均加用球囊血管扩张成形术（ＢＡ），血管直径及残余狭窄程度均进一步改善（ＢＡ：２．０４±０．１６ｍｍＶｓＥＬＡ：１．２０±０．１４ｍｍ，Ｐ＜０．０５，ＢＡ：２０±７％ＶｓＥＬＡ：５４±５％，Ｐ＜０．０１），表明准分子激光加球囊扩张血管成形术是治疗外周闭塞性血管疾病的安全有效方法之一。     

液相添加剂AST对PTCR BaTiO_3陶瓷电气物理特性的影响

研究添加液相添加剂ＡＳＴ（质量分数ｗ为０．４％～１．０％或摩尔分数ｘ为１．６％～４．０％）的ＰＴＣＲ（Ｂａ０．９１Ｓｒ０．０６Ｃａ０．０３）Ｔｉ１．０１Ｏ３陶瓷材料。测量了烧结条件为１３２０～１３８０℃／０．５ｈ陶瓷材料试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线、Ｉ－Ｖ曲线、电阻温度系数α及开关温度Ｔｂ。在实验结果基础上，讨论了ＡＳＴ添加量对ＰＴＣＲ陶瓷主要电特性的影响。得出：ＡＳＴ添加量增加，ＰＴＣ效应变弱     

畅销产品

ＡＤ５２６软件可编程增益放大器特点·数字化可编程二进制增益１～１６·双片级联可实现二进制增益１～２５６·增益误差最大值０．０１％，Ｇ＝１，２，４（Ｃ级）最大值０．０２％，Ｇ＝８，１６（Ｃ级）温度漂移０．５ｐｐｍ／℃·快速建立时间１０Ｖ信号阶跃；在４．５μｓ内达０．０１％（Ｇ＝１６）增益变化：在５．６μ８内达０．０１％（Ｇ＝１６）·低线性误差；最大±０．００５％ＦＳＲ（Ｊ级）·优良的直流特性失调电压最大值：０．５ｍＶ（Ｃ级）失调电压漂移：３μＶ／℃（Ｃ级）·ＴＴＬ兼容数字输入；可提供ＳＭＤ军品ＡＤ…     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器。在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

泉州市火炬电子研究所邮购部供应

泉州市火炬电子研究所邮购部供应（一）ＳＭＤ贴片电容（ＡＶＸ品牌）０８０５、１２０６全系列现货０．５Ｐ～４７０Ｐ±５％０．１６元４７０Ｐ～４７００Ｐ±１０％０．１２元６８００Ｐ～０．１μＦ±２０％０．１３元０４０２、０６０３、１８１２、２２２５系列（规...     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性，大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器，在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

畅销产品

ＡＤ６９３４０～２０ｍＡ环馈电流传感器变送器特点仪表放大器前端环馈工作方式预校准输入范围３０ｍＶ或６０ｍＶ输出范围和零点可独立调整预校准输出范围：４～２０ｍＡ单极性，０～２０ｍＡ单极性，１２８ｍＡ双极性预校准１００ＲＴＤ接口可提供高达３．５ｍＡ电流的６．２Ｖ基准电压提供一个备用的放大器可外接旁路三极管以降低自热误差ＴＭＰ－０１低功耗可编程温度控制器特点工作范围－５５～＋１２５规定温度范围内精度，典型值　０．５　输出电压与温度成正比用户可编程温度设定点用户可编程滞后失调电压２０ｍＡ集电极开路设定点…     

钨铼5—钨铼26热电偶的多项式拟合

依据ＯｍｅｇａＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＨａｎｄｂｏｏｋ中的钨铼５－钨铼２６热电偶分度表和Ｓａｎｄ－ｓｔｒｏｍ＆Ｗｉｔｈｒｏｍ提供的钨铼５－钨铼２６热电偶在－２４０～０℃校正数据，对钨铼５－钨铼２６热电偶在－２４０～２３００℃进行了多项式拟合，偏差为±１℃。提供了热电势步长为０．１ｍＶＷ５％ＲｅｖｓＷ２６％Ｒｅ热电偶的分度表。     

磁光光纤大电流传感器

研制的磁光光纤大电流传感器在1～8kA测量范围内具有±0.5％的线性和±0.5％的重复性。该传感器能耐压300kV以上。方形闭环结构是实用化的电流传感头。     

一种高精度高稳定性锯齿波振荡器的设计

设计了一种应用于DC/DC开关电源管理芯片的锯齿波振荡器,该电路利用内部基准电流源产生的电流对电容进行充放电,使得产生的锯齿波信号随电源电压和温度的变化较小,采用迟滞技术提高了锯齿波信号幅值.采用基于CSMC的0.5μmCMOS 工艺进行仿真.结果表明,该电路产生的振荡频率为5MHz,信号幅值为0-3V,电源电压在2....     

一种实用化的数字体温测量算法及其ASIC实现

传统电子体温计芯片采用大量复杂模拟模块,功耗和成本都较高.文章提出了一种适合电子体温计芯片采用的温度测量算法,基于上华(CSMC)1.0μm MGLVCMOS标准工艺,设计出实用化的数字体温测量电路,并绘制了整个电路的版图.利用Spectre、Verilog_XL及Matlab对系统电路进行仿真测试,结果显示所设计的数字体温测量电路在+32.0℃～+42.0℃(+90.0°F ～+108.0°F)的温度范围内可以实现摄氏和华氏两种模式的测量,具有0.1℃(0.2°F)的精度,1.5V电源电压下系统平均电流仅为100μA,整个电路呈现低功耗和高集成度的特点.     

钛酸铋钠系陶瓷的介电热滞现象

测量了（Na0.5Bi0.5)TiO3和（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷从20－500℃的介电温谱。发现（Na0.5Bi0.5)TiO3陶瓷在150－350℃和（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷在30－300℃的热滞现象。作者认为此热滞现象是该类材料发生缓慢相变过程的外在表现,对于（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷直至室温附近的热滞现象,与其常温下处于三角－四方准同型相界（MPB）附近有关,而且这一热滞的存在必然影响（Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷谐振频率等有关压电性温度稳定性。     

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证,其结果显示,当温度在-40～＋120℃范围内变化时,输出基准电压的温度系数为15ppm/℃;电源电压在2～4V范围内变化时,基准电压摆动小于0.06mV;低频下具有-102.6dB的PSRR,40kHz前电源抑制比仍小于-100dB。     

滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计

设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5～9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。     

一种双极性高精度半导体激光器温度控制系统

温度是影响半导体激光器（LD）寿命和输出特性的重要因素之一。为保证LD输出稳定的激光模式和功率,采用以ADC和DAC集成的微处理器芯片C8051F350和具有双极性输出电流的TEC驱动芯片MAX1968为控制核心,以积分分离和变速积分增量式相结合的数字PID算法为运算程序的自动温度控制系统(ATC)控制TEC驱动电流的方向和大小,实现对LD的加热或制冷,使其工作在恒定温度。实验证明,应用该系统,LD在0℃～40℃环境温度范围内能很快稳定在设定温度,且其不确定度为±0.03℃。     

反射式相位延迟器的性能研究

多层介质反射镜在非正入射的时候,两个不同的偏振态之间会产生不同的相移。通过优化设计,入射角为45°,在1285～1345nm之间p,s波获得了270°±0.15°的相移和99.5%以上的反射率。对使用的膜系进行了每层光学厚度的误差分析。用离子束溅射技术制备相位延迟膜,在大气中对样品进行不同温度的退火,用分光光度计测试了光谱特性和用椭偏仪测试了相位特性。结果表明,未退火的样品在相应波段获得了267.5°±0.5°的相移和99.6%以上的反射率;根据拟合分析,最外层的误差和折射率与设计值的偏差是发生相移偏小的主要因素;随着退火温度的升高、折射率变小和物理厚度变大,相移将变小。     

不受温度影响的电流源

为了改进电流源电路的温度特性,提出了一种对温度不敏感的高精度电流源的实现方案。与现有的电路相比．本电路并没有改变原来的主电路结构．而仅仅在参考电流源中增加了一个小电阻。它在零下50℃到150℃的大范围内的温度效应被限制在1％-2％。该电阻在芯片上是利用闲置区域布线的,因此并不会增加集成电路的制造成本。另外．该电阻是连接在恒流源中,不会增加芯片的功耗。     

一种实用化实时测温系统的测温灵敏度

基于基尔霍夫定律,利用半导体激光器InGaAs/I及钽酸锂热释电探测器设计了一种实用化的实时测温系统。基于该系统A/D转换器件的分辨率、V(T)-T曲线的温度灵敏度及其与测温范围间的制约关系,确定了系统应选用16位的芯片为其A/D转换器件;基于该系统的测温精度、V(T)-T曲线的相对温度灵敏度及其与波长间的关系,对其工作波长的优化选择进行了进一步的讨论;基于探头的温度分辨力、A/D转换器件的分辨率以及与V(T)-T曲线的温度灵敏度间的制约关系,对其波长带宽的优化设计进行了进一步的分析,并给出了系统在673K～1473K内的测温灵敏度。对系统进行优化设计后,在测温范围的低温段,其灵敏度不低于0.5K;在测温范围的高温段,则不低于0.1K。在673K～1473K内,其测温不确定度不低于0.3%。