微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用

本文利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全乍的灰度图，这种微区薄层电阻测试Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量。在测试过程中应用微处理器，可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻，加快了计算速度并有利于控制探针的合适位置。     

微处理器在微区薄层电阻测试Mapping技术中的应用

利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图，这种Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量，在测试过程中应生处理器，可立即数字显示相应的测量电压及微区的薄层电阻，加快计算速度并有利于控制探针的合适位置。     

微区电学测试探针技术

本文阐述了微区电学测试的重要性，对探针的微区测试条件及方法作了评价。最后提出若干种适合微区薄层电阻测量的测试结构。     

四探针技术测量薄层电阻的原理及应用

对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考.     

四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展

论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法——电阻抗成像技术（EIT）。给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术。对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述．提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索。     

半导体与微电子技术

0212667微区薄层电阻四探针测试仪及其应用[刊]/孙以材//固体电子学研究与进展.—2002,22(1).—93～99(D)用斜置的四探针方法,依靠显微镜观察,将针尖置于微区图形的四个角区,用改进的范德堡公式可以得到微区的薄层电阻。文中对测准条件作了分析。并用     

方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性，由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析

从理论上分析方形四探针和直线四探针薄层电阻测试方法中探针游移所造成的系统偏差,推导出计算游移偏差的公式,并作图展示探针游移后的电阻与理想值之比的分布情况,分析了两种四探针测试方法出现最大误差的情况。用方形四探针测试方法不仅比普通直线四探针测试方法所测量的微区小,而且方形四探针测量的游移偏差小于直线四探针测量所产生的偏差。经试验发现,实际测试过程中,方形四探针只要在合理压力范围内,探针游移完全在合理范围内,能够保证测试的准确性。     

薄层电阻测试Mapping技术

利用改进的范德堡法微区薄层电阻测试探针技术对n-Si片上的硼扩散图形进行薄层电阻的测量，并用发度表示其分布，可得到薄层电阻的不均匀度及平均值．这种所谓Mapping技术更有利于评价材料质量．     

六端口技术在雷达目标散射截面分析中的新应用

本文分析了在普通实验室内用六端口技术测量目标散射截面(RCS)的一种新方法,并给出了其误差修正模型。同时对六端口反射计测量RCS的实验结果进行了讨论。     

用劳埃德镜干涉原理进行圆度误差测量

提出一种应用线阵CCD自动测量圆度误差的新方法。论述了系统利用劳埃德镜干涉装置，通过线阵CCD图像处理系统自动测量圆度误差的工作原理及过程设计。测量结果表明，新的测量方法实现了圆度误差的实时精确在线测量。该测量系统具有一定的实用价值及较广阔的应用前景。     

表面加工多晶硅薄膜热导率测试结构

提出了一种使用表面加工工艺设计多晶硅薄膜热导率的测试结构 ,论文推导了热学模型 ,给出了测试方法。由于其制造工艺能和其它微机械器件制造工艺完全兼容 ,因而能够达到监控MEMS器件制造工艺和在线检测的目的     

利用激光光热技术测量材料初始应力

阐述利用激光光热技术测量材料初始应力的原理及实验技术。根据弹性力学的基本原理所建立的热传导方程，由激光光热技术的检测原理，导出了应力与激光光束偏转角的关系式。通过对激光偏转角的测量，得到材料内的初始应力，并对环氧树脂材料内的初始应力进行了测量，其结果与理论分析一致。     

测量激光束横模结构的方法研究

分析了根据激光场强度相对分布计算激光束横模结构的方法,根据分析结果设计了利用光场分布测量激光束横模结构的实验方法。对所设计的方法进行了仿真验证,同时通过具体实验,对一款调Q激光二极管抽运固体激光器(DPL)的激光束横模结构进行了测量。实验中,在不知道谐振腔参数的情况下,根据设计的方法测量了激光束的各阶横模比例。以测量出的横模比例为基础,理论上重构出激光束,该光束和实际光束的空间传输过程基本吻合。     

频率的精密测量方法应用

本文给出了一种利用单片机进行控制的精密测频方法，以及该方法克服测量误差的原理。并对传统的测频方法中存在的精度低的问题进行了简单分析。     

提高计算全息检测非球面精度的研究

简单分析了计算全息位相探测干涉法的原理特点，为进一步提高精度提出并论述了一种计算全息（ＣＧＨ）高精度检测非球面的绝对测量方法．可使其测量精度提高到λ／５０。     

瞬态电磁场在目标识别中的新应用

本文论述了瞬态电磁场用于目标识别的一种新方法,给出了激励目标的单模散射场的基本理论及其数学推导过程。把这一理论用于线性目标和导电球体,已获得了较为满意的结果,给出了计算目标冲击响应得到的有用的结论。最后提出了一个实际可行的,在时域中测试目标冲击响应的方案。实验证明这一方案是可行的。     

THEORY AND APPLICATION OF FIELD PERTURBATION TO ELECTRICAL IMPEDANCE TECHNIQUE FOR MEDICINE

A new approach called field perturbation theory is presented to analyze the electricalimpedance technique for medicine.The formula of constant voltage and constant current fieldperturbation,modified G-L formula and the formula of electrical field perturbation evoked bysound field are derived.The application results of the theory in electroglottography are alsointroduced.     

场发射电子枪亮度测定的一种新方法

本文报导了通过测量场发射电子显微镜(FEM)分辨率,来测定场发射电子枪亮度的新方法。与考虑了系统像差影响的球——锥面模型理论的计算结果进行了比较,二者结果基本一致。