热处理对载银4A沸石抗菌剂结构与性能的影响

无机抗菌剂具有安全性高、抗菌谱广、杀菌效率高、耐热性好，使用寿命长、无毒副作用及不易产生抗药性等特点，已成为近年来抗菌材料研究领域的一大热点。本文应用热处理方法考察了载银4A沸石抗菌剂的结构与性能随温度的变化情况。结果表明，随着热处理温度的升高，样品的结构发生改变，银含量减小，抗菌能力下降。     

硅基键合激光器的研究进展

硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合。键事方法克服了异质结外 可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,它可以将具有直接带隙结构的半导体材料键合到硅片上,从而制作出硅基键合激光器件。特别是年来来发展起来的低落曙直接合技术,使发光器件与微电子器件的硅基混合光电集成成为可能。     

应用于光互连的金属限制介质辅助键合III-V/硅基混合集成激光器

硅基键合III-V 材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合III-V/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现III-V/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。     

介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器

硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。     

（100）与（111）晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术

采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将（100）晶面硅与（111）晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护（100）晶面硅衬底,再粗化（111）晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除（111）晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。     

石墨烯探测器用于高速光通讯

近期《自然光子》杂志报道：尽管硅占据电子领域40多年，但不同的其他光子材料不断地扩展工作波长范围和改进性能。例如，氮化镓基材料能够发射蓝光和紫外光，高折射率差的硅-氧化物-绝缘体更有利于高密度光子器件集成。现在，科学家们报道了一个用于10 Gbit/s光数据链上的基与石墨烯基（一种二维碳材料）的光子探测器。在这     

硅基薄膜发光材料

硅是微电子技术的基础材料，硅集成技术已高度发展，但硅却是非发光材料。为了发展硅基光电子技术，人们对硅基发光材料作了多方面的探索，其中有“缺陷工程”－在硅中引入作为辐射复合中心的杂技或缺陷，使之发光。“能带结构工程”－利用量子限制效应，利用具有不同能带结构的材料组合，获得硅基发光材料。“异质外延材料”－以硅为基底外延生长具有发光性能的材料。     

用于MEMS器件的键合工艺研究进展

随着MEMS器件的广泛研究和快速进步,非硅基材料被广泛用于MEMS器件中.键合技术成为MEMS器件制作、组装和封装的关键性技术之一,它不仅可以降低工艺的复杂性,而且使许多新技术和新应用在MEMS器件中得以实现.目前主要的键合技术包括直接键合、阳极键合、粘结剂键合和共晶键合.     

红外光电探测的垂直光路结构

近红外光电探测具有许多应用，如光纤通信、安全以及热成像等．虽然Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的光学性能比硅基材料的优越，但是硅基材料由于暗电流小及能够与硅集成电路工艺兼容，有希望制作出价格低廉的小型、高度集成的光学系统。     

钽硅介质薄膜研究

<正> 研究钽硅介质薄膜,有两个目的:(1)用同一薄膜材料制成阻容元件,简化薄膜电路的制造工艺;(2)改进钽基介质薄膜的性能。 对钽硅电阻薄膜研究表明:其电性与Ta_2N膜类似,但稳定性却优于Ta_2N电阻薄膜。本文的研究结果表明,钽硅氧化物薄膜中Si含量在20～50at％范围内,其介电