SMT生产中的静电防护技术

静电是一种电能，它存留于物体表面，是正负电荷在局部范围内失去平衡的结果，是通过电子或离子的转换而形成的。静电现象是电荷在产生和消失过程中产生的电现象的总称。如摩擦起电、人体起电等现象。     

静电与静电消除器

<正> 一、静电的起因和危害 摩擦起电就是在两种物质表面的挤压和分离过程中,一个表面会丢失电子而带正电荷,而另一表面则会得到电子而带负电荷,接触的压力和相互接触与分离的速度越大,表面所积累的静电荷就越多。除此之外,气体或液体的流动、粉状物质的气力输送、带电微粒的吸附、外电场的静电感应等,也会造成静电荷的积累。 存在于物体表面的静电荷建立起静电场,其静电电位与电荷量的关系为V=Q/C,式中V为带电体对大地的静电电位(单位为伏),Q为电荷量(单位为库仑),C为带电体对地电容(单位为法拉)。一般常见的带静电物体,如塑料、纸张、化纤织物、粉状或流体材料,因其电容非常小,即便是人体对地电容也仅为100微微法左右,所以物体带电后,静电电位高达几千伏甚至几万伏一点也不足为怪。如此     

静电防护专题讲座(续五) 生产操作系统防静电材(二)

5 消除静电离子风机和离子风枪 5．1 原理 输出的离子风中和带电物体上表面电荷。5．2 消除静电离子风机 (1)种类：①按安装形式分，有悬挂式、座台式、挂墙式。 ②按形状分，有吊扇式，台、柜、盒式、棒式和蛇管式等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放（ESD）就是一定数量的电荷从一个物体（例如人体）传送到另一个物体（例如芯片）的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35％以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多企业在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。文章针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。文章针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电放电（ESD）就是一定数量的电荷从一个物体（例如人体）传送到另外一个物体（例如芯片）的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35％以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电放电的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。针对ESD机制和防护作了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

强激光束对运动物体的加热

利用热传导理论分析了强激光对运动物体的加热问题,得出了物体表面温度、激光功率密度、光斑尺寸及光斑相对于物体运动速度之间的关系。结果表明,当激光光斑相对于物体表面运动时,表面峰值温度明显降低;在大光斑情况下,只要ｕｔ＜ω,光斑运动速度对物体表面峰值温度影响很小。     

防静电工作表面：发展和历史（四）

直到20世纪50年代，电子设备和元件还是相当粗糙的系统，很少用到静电防护。它们能吸收很大的电荷而没有太大的电压提升，这种情况随着20世纪60年代初集成电路的发展而发生了根本的改变。紧随这些早期的集成电路之后的是各种薄膜器件和更密集更小的集成电路。薄膜电路和集成电路对静电放电敏感，原因是由于它们物理和电质量小和其不能承受低至100V过压的缺陷，据报道，一些较新的芯片能被低于10V的电压毁坏。也同时出现了另一个根本的改变——合成塑料的广泛使用，可以维持1000V或更高的静电电荷集结。确实，这样的值目前在塑料包装和工作表面上经常观测到，对付静电和抑制其对电子元件损坏能力需要电子设备制造商和用户长期保持警惕。     

静电的成因与防护措施

据有关资料统计 ,全世界每年损失近 6 0亿美元用于调换或修理因静电而损坏的微电子元器件。这是因为现在的微电子元器件的集成度越来越高 ,线条越来越细 ,氧化膜厚度越来越薄 ,导致这类元器件的耐静电压强度大为降低。同时 ,有关人员对静电的成因及危害缺乏较全面的了解 ,实际工作中对静电的防护不够严密等 ,也是造成微电子元器件被静电损坏的重要原因。1　静电的成因静电即静止的电荷 ,原子受到外界作用而失去或得到电子 ,即成为离子 ,从而成为带电体。当原子未发生宏观运动时 ,就形成了静电。日常生活中 ,两个物体接触后分离或发生摩擦也…     

单电子晶体管用于电荷检测的研究

单电子晶体管可用作超灵敏电荷计进行高灵敏电荷检测。首先建立了单电子晶体管电荷检测的电路模型,阐释了其电荷检测机制;然后利用COMSOL和MATLAB软件对检测过程进行了模拟研究,分析了不同电荷量和检测距离时单电子晶体管库仑岛的电势,并研究了电荷量、检测距离及电荷间静电耦合对单电子晶体管电导的影响。结果表明,单电子晶体管电荷检测时工作点和检测距离决定其电荷检测的量程,最佳检测距离应设置在电导-距离曲线的斜率最大处。     

采用法拉第杯评价ESEM的电荷环境

采用环境扫描电镜（ESEM），非导体及含水样品不经过表面喷金或喷碳处理就能直接观察。在ESEM样品室中，电子-离子-样品相互作用，构成了一个复杂的动态电荷环境：入射电子（PE），二次电子（SE）、背散射电子（BSE）受到气体的散射作用；气体分子被PE、SE、BSE电离产生正离子流向样品表面运动，并与电子中和；离子场对SE的场助发射作用等。因此测量及评价ESEM的电荷环境，可为消除荷电效应，或利用荷电效应成像提供依据。     

超高阻接触式静电电压表——主要用于静电电压测量，阻抗远远超过了现有的电压量测仪器

Trek Infinitron 800型超高阻抗电压表主要用于静电电压测量，其高阻抗远远超过了现有的高阻抗电压量测仪器。可用于对ESD敏感元件、电路和物体表面进行精确的静电电压测量。     

利用元电荷电场的矢量叠加解释宏观带电体的电场

元电荷的电场是我们最为了解和熟悉的,也就是一个电子或质子的电场,任何宏观体都是由电子和质子构成的,所以任何宏观物体的电场其实就是各个电子和质子所产生的电场的叠加。本文将从元电荷的电场出发,通过电场叠加的方式形成宏观物体的电场,通过这种方式,对几个典型的事例的分析,提供了一种注重本元的分析事物的方式,帮助学生认识、理解宏观带电体电场的本质。     

基于CDMA 1X的企业VPN解决方案

本文利用CDMX 1X的无线接入技术,结合ATM/FR和互联网技术,为企业客户提供了一种企业VPN解决方案。     

关于组合多针图复原物体3D表面形状的研究

光度立体系统很易确定物体表面任意点方向及相对深度，但不能确定绝对深度，为确定绝对深度，本文提出的算法首先利用双目光度立体系统的每个摄象机分别获得一幅针图，并求出左、右两针图内对应区域的视差。然后，经适当组合及精确的匹配，重建３－Ｄ物体表面深度。这一方法对进一步开发３－Ｄ表面深度重建及复原景物结构探索性研究有着十分重要的意义。     

3ds Max中多维子材质的应用

现实生活中,每一种物体都由特定的材料构成,表现出独特的属性,如特定的颜色、亮度、纹理、透明度、反光度等.在3ds Max中,使用材质和贴图来描述物体的这些表面属性,通过编辑出精美真实的材质来对现实物体进行模拟是3ds Max关键之一.     

防静电工作表面：发展和历史（八）

作为对这些改变的响应，一个关键的ESD标准委员会修改了工作表面的测试标准，要求湿度的报告而不是符合特定的湿度规范。这个测试为静电放电敏感物体防护的ESD协会标准测试方法：工作表面-电阻测量，ESDS4．1—1997．更新的测试标准1999年签署，要求在15％RH和其他湿度条件下还是ANSI／ESDS20．20-1999．电气和电子部件、装配和设备（不包括电子引爆爆炸装置）防护静电放电控制程序开发的ESD协会标准，没有ESD工作台资格认证。     

钝化层及P型基底结构优化对电子轰击型有源传感器电荷收集效率影响的研究

为获得高增益的电子轰击型有源传感器(EBAPS)，对EBAPS成像器件中电子倍增层的电荷收集效率的影响因素进行了研究。基于载流子输运理论，采用蒙特卡罗方法研究了钝化层种类、厚度、入射电子能量、P型基底厚度和掺杂浓度对二次电子分布及收集的影响。结果表明：为提高入射电子的入射深度进而提高电荷收集效率，宜采用密度小的SiO₂作为钝化层；为了减少钝化层对倍增电子的复合进而提高电荷收集效率，宜降低钝化层厚度和提高入射电子能量；为了降低倍增电子扩散过程中载流子的复合进而提高电荷收集效率，宜降低P型基底的厚度和掺杂浓度。     

STM研究Si(111)7×7表面畴界结构

根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。     

静电放电器件充电模型CDM失效机理分析

CMOS集成电路进入纳米时代,电路的功能日趋复杂,面积也不断增加,电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视,在失效分析中,这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件充电模型与人体模型及机器模型在电路原理和电流波形上的不同之处,分析电路上存储电荷的机理和原因,主要是由于电路在生产和使用环境中受到静电源的感应以及电路和其他物体或空气的摩擦等造成。详细分析器件充电模型引起电路损伤的失效机理,器件充电模型作为一个电荷驱动型,其电流方向主要是由电路内部向外部流动,其电流大、上升速度快,会对电路的栅极造成损伤。