一种用于汽车电子导航的混合差值算法

介绍一种基于全球定位系统(GPS)和电子地图(GIS)的车辆路径诱导系统混合差值算法,实验结果显示,相比常用的Dijkstra's算法,混合差值算法在布线时间上减少60%。     

ZnO纳米管的制备及光学特性研究

ZnO nanotubes have been fabricated through a carbon thermal reduction deposition process. Structure characterization results show that the ZnO nanotubes have a single crystalline wurtzite hexagonal structure pref- erentially oriented in the c-axis. The diameters of ZnO nanotubes are in the range of 90-280 nm and the wall thickness is about 50-100 nm. Room-temperature photoluminescence measurements of the ZnO nanotubes exhibit an intensive ultraviolet peak at 377 nm and a broad peak centered at about 517 nm. The UV emission is caused by the near band edge emission while the green emission may be attributed to both oxygen vacancy and the surface state. Raman and cathodoluminescence spectra are also discussed. Finally, a possible growth mechanism of the ZnO nanotubes is proposed.     

题目：电子泄露有关的氮化镓蓝光发射二极管低温发光效率行为

The typical light emission efficiency behaviors of InGaN/GaN multi-quantum well （MQW） blue light- emitting diodes （LEDs） grown on c-plane sapphire substrates are characterized by pulsed current operation mode in the temperature range 40 to 300 K. At temperatures lower than 80 K, the emission efficiency of the LEDs decreases approximately as an inverse square root relationship with drive current. We use an electron leakage model to explain such efficiency droop behavior; that is, the excess electron leakage into the p-side of the LEDs under high forward bias will significantly reduce the injection possibility of holes into the active layer, which in turn leads to a rapid reduction in the radiative recombination efficiency in the MQWs. Combining the electron leakage model and the quasi-neutrality principle in the p-type region, we can readily derive the inverse square root dependent function between the light emission efficiency and the drive current. It appears that the excess electron leakage into the p-type side of the LEDs is primarily responsible for the low-temperature efficiency droop behavior.     

防熔融喷雾造粒干燥机及其工艺流程的创新

针对原离心喷雾干燥机存在的缺陷,在改进原离心喷雾干燥机工艺流程和干燥塔体结构的基础上,研发出了"防熔融喷雾造粒干燥机",其能有效防止物料熔融现象的发生,解决物料粘壁等问题。     

船坞门槛花岗石安装施工的高精度控制与技术探讨

船坞门槛一般分花岗岩与钢板两种,其中以花岗岩安装施工难度更大,其肩负着坞门止水的重任,因此无论水运规范还是设计单位均对其提出了超高精度的施工要求,本文对其施工进行了探讨。     

SOI电路可靠性筛选技术及失效机理研究

可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅（SOI）技术日益广泛的应用,通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验,并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系;其次,针对三款SOI电路分别开展了老炼应力、高温贮存及恒定加速度试验来进行可靠性筛选;最后,利用光发射显微镜、扫描电子显微镜、聚焦离子束和激励源诱导故障测试等失效分析手段,对失效样品进行了失效模式及机理分析,揭示了失效根源,为改进工艺、提高SOI电路可靠性提供了依据。     

短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型

采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。     

基于电力线载波通信的智能用电管理系统设计

为了构建一个智能化小型电能网络,实现对用电设备的精确计量和远程控制,设计一套基于电力线载波通信的智能用电管理系统。系统整合了电能计量、电力线载波通信和继电器等模块,包含PLC插座,以S3C6410为智能网关核心,内嵌Web服务器,通过PC或移动终端可完成各种电器的远程监测和管理。测试结果表明,系统达到了设计要求,且结构简单,通信稳定,具有广泛的应用价值。     

高体积分数的 SiCp/Al复合材料的 SPS致密化机理研究

运用放电等离子烧结（SPS）技术制备出体积分数达60％，致密度达99％的SiCp／Al复合材料．从烧结工艺的控制及电场的影响两方面对SPS烧结SiC，／Al复合材料的机理进行了研究，认为SPS烧结SiCp／Al复合材料的致密化过程主要依靠烧结温度、压力及升温速率的合理搭配，使Al熔融粘结SiC颗粒，而又不溢出模具；烧结过程中未发现明显的放电现象，可能由于电场太弱不足以引发放电．     

JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性研究

研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性。首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响。对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管。测试结果表明,器件的正向电压为1.52 V,特征导通电阻为2.12 mΩ·cm²,击穿电压为1 650 V。接着,研究器件的变温电流-电压特性发现,正向电流主要为热发射机制,而反向电流与电压、温度有很强的依赖关系。最后进行了高温反偏应力老化测试,结果表明,击穿电压呈下降趋势。