资料简介索引

红外技术 3001 Hg(1-x)Cd_xTe合金的低温热膨胀 The low-tempera ture thermal expansion of Hg_(1-x)Cd_xTe alloys,O.Caporaletti,Canada,Appl.Phys.Left.,1981,Vol.39,No.4,pp.338-339. 测定了对红外探测器技术有关的合金组分x=0.20和0.30的半导体Hg(1-x)Cd_xTe的热膨胀线性系数。温度关系与其他锌闪锌矿结构的化合物类似。热膨胀系数在64K时变为负值。除了温度低于30K时它不受组分影响,而这时富HgTe的合金则具有更深的最小负值。     

直拉SiGe合金的高温Seebeck系数

为了更好地发掘SiGe合金的热电转换性能的潜力,对几组不同的SiGe合金样品进行了性能测试,主要是对不同参数样品的Seebeck系数值进行对比,从而得出热电性能的最佳组合.不仅比较了不同组分、不同晶向和不同导电类型样品的Seebeck系数,还对单晶SiGe合金和多晶SiGe合金的热电性能进行了对比分析.发现SiGe合金的Seebeck系数具有明显的各向异性,(100)晶向的Seebeck系数明显优于(111》晶向.Seebeck系数与测试温度具有非常密切的依赖关系,随着温度的变化所有样品均在700～900K的温度范围内出现了峰值.此外还对SiGe合金的Seebeck系数与组分的关系进行了详细描述.     

直拉SiGe合金的高温Seebeck系数

为了更好地发掘SiGe合金的热电转换性能的潜力,对几组不同的SiGe合金样品进行了性能测试,主要是对不同参数样品的Seebeck系数值进行对比,从而得出热电性能的最佳组合.不仅比较了不同组分、不同晶向和不同导电类型样品的Seebeck系数,还对单晶SiGe合金和多晶SiGe合金的热电性能进行了对比分析.发现SiGe合金的Seebeck系数具有明显的各向异性,(100)晶向的Seebeck系数明显优于(111》晶向.Seebeck系数与测试温度具有非常密切的依赖关系,随着温度的变化所有样品均在700～900K的温度范围内出现了峰值.此外还对SiGe合金的Seebeck系数与组分的关系进行了详细描述.     

用阳极氧化和随后热处理法实现HgCdTe,HgZnTe和HgMnTe的p-n转换

HgCdTe,HgZnTe和HgMnTe经阳极氧化处理,接着作一次低温退火,形成p-n结。研究了结深与退火时间,温度,本身受主浓度以及材料组分的依赖关系。此结果可以解释为汞扩散到一个有限源的块材中,这种块材是在氧化物和汞基半导体合金间界面处阳极氧化过程中形成的。转换层显示出高的再复合次数,并且此方法可用来制作光导体及光电二极管。     

GaMnAs的Raman光谱研究

报道了磁性半导体材料GaMnAs的拉曼光谱,发现其空穴等离子体激元与LO声子振动耦合形成的CPLP模具有类LO模的偏振特性.随着Mn组分的增加,CPLP模的拉曼频率红移,通过CPLP模与耗尽层中未屏蔽的LO模的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度.发现空穴浓度随Mn组分的增加而迅速增加.测量了不同温度下GaM-nAs合金的拉曼光谱.证实合金中空穴浓度随温度的增加而增加.     

GaInAsP/InP DH激光器的温敏性

一、前言半导体激光器的阈值温度关系一般可表示为I_(th)(T)=I_(th)(T′)exp[(T-T′)/T_0] (1) 其中T_0为特征温度,表示激光器的阀值电流对温度的敏感性。GaAlAs/GaAs DH激光器在室温附近T_0≥120°K,而GaIn AsP/InP DH激光器在室温附近为50—70°K,当温度高于340°K时,T_0≈30°K。小     

(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P光致发光谱的温度依赖关系

研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17～ 2 30K范围内 ,谱线半宽从 2 4meV变到 4 0～ 6 0meV ,强度减小了大约两个数量级。对PL谱积分强度随温度变化的拟合表明 ,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于 90K ,激活能为 4～ 5meV ,温度大于 90K ,激活能为 2 5～ 55meV。认为低温区行为由带边起伏引起的载流子热离化伴随的无辐射跃迁所控制 ,而高温区取决于子晶格的有序度。     

晶格失配对GaAsSb/InP异质结中合金拉曼散射的温度依赖特性的影响

通过在3～300 K的低温变温拉曼光谱的测量,对不同Sb组分的GaAsSb/InP异质结中的由Sb组分引起的声子非谐效应进行了拉曼散射的研究。实验发现,随着温度的降低,长光学声子峰位向高波数移动,当温度低于100 K时,变化趋于平缓。分别利用三声子模型和四声子模型计算模拟了光学声子和温度的依赖关系,并和实验结果对比发现,与三声子模型相比,四声子模型与实验数据符合更好,表明温度依赖的拉曼散射峰位的变化必须考虑四次声子非谐振动。相对于晶格失配的样品S1（Sb=37.9%）和S3（Sb=56.2%）,获得的声子非谐度在晶格匹配的样品S2（Sb=47.7%）中是最小的,同时通过对声子线宽的研究表明S2中声子寿命是最长的。结合低温光致发光的实验结果,证实了GaAsSb合金晶格振动的声子非谐效应和声子寿命不仅受合金无序散射的影响,同时受到和衬底晶格失配引入的线缺陷和缺陷的声子散射影响。     

光纤Bragg光栅液氦环境下温度传感特性的研究

进行了液氦温度(4.2 K)到室温(298 K)温区内光纤Bragg光栅(FBG)温度传感性能的实验研究.重点分析了液氦温度(4.2 K)到液氮温度(77 K)FBG的温度传感特性.实验表明:FBG传感特性与温度相关.在50 K以下,温度响应基本没有变化;50 K-77 K,波长偏移量随温度上升变化不规律;150 K-298 K传感特性近似成线性.对比裸光栅与涂敷光栅,涂敷光栅的温度灵敏度远大于裸光栅的温度灵敏度.选用外加热膨胀系数大的聚合物封装,可以显著提高FBG的温敏系数和线性度.     

铸锭速率对碲镉汞晶体组分分布的影响

一前言Hg_(1-x)Cd_xTe晶体(以下简称MCT晶体)是一种由在各种化学计量比下都能形成连读固溶体的HgTe和CdTe所构成的准二元合金半导体。其禁带宽度随组分x值不同     

4J32 Invar合金的注射成形

以铁粉、镍粉和钴粉为原料,研究了4J32 Invar合金的注射成形工艺。选择了一种适合4J32 Invar合金注射成形的粘结剂体系。在烧结温度为1350℃,烧结时间为120 min,烧结气氛为H2时,烧结样品的致密度达到97.1%。在低于100℃的范围内,烧结样品的膨胀系数小于0.64×10-6/K,完全符合低膨胀系数的合金的要求:在20~100℃范围内,其热膨胀系数α≤1.8×10-6/℃。     

本征光导红外探测器中的接触效应和体效应

本文分析了内电场对本征半导体量子光子探测器性能的影响,着重研究在77K温度下工作、组分值x=0.215的窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe器件。按照提出的一维模型,在n型光电导的阴极端可能出现对过剩少数载流子的局部阻档现象,从而导致电流响应率R_i的增大并使时间响应特性变差。此外,还讨论了探测器的电压响应率R_v与外加电场E的关系。实验表明:R_v/R_i之值与测得的探测器微分电阻值r_d是一致的。r_d与E的依赖关系是在高电场下电子的附加散射(HgCdTe中高迁移率的多数载流子)造成的。本文还介绍了对小面积的HgCdTe光导探测器进行测量的结果。在温度77K和波长10微米时,测出的电流响应率R_i超过3900安·瓦~(-1),电压响应率R_v大约为5×10~5伏·瓦~(-1)。     

镁橄榄石瓷显微结构的研究

<正> 镁橄榄石瓷(以下缩写为M_2S瓷)有良好的电、热、力学性能,其热膨胀系数能与金属合金Ti-Ag-Cu或Ti-Ni相匹配,有利于真空封接。小型电子管外壳使用的M_2S瓷,要求其尺寸精度高,气密性好,以利于电子管受热冲击或长期温度变化而保持真空。     

应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算

计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数对温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中，它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。     

InSb_(1-λ)Bi_λ合金材料光学特性:Ⅱ.光吸收

测量了不同温度下合金半导体材料InSb_(1-x)Bi_x的光吸收。再用通常的自由载流子吸收及Burstein效应补偿法就可推导出此材料的禁带宽。所得结果与用霍尔效应测量法(前篇文章)推导值完全符合。并看出:减小量ΔE_G/Δ~x为每克分子3.6eV。在T≥80°K时E_G成线性变化而温度系数γ=-ΔE_G/ΔT随Bi的浓度增大而变小。因而在InSb晶格中掺入Bi就使E_G和γ减小。此现象与Ⅲ-Ⅴ族化合物在组分原子量增加时所出现的情况类似。     

8～14微米碲镉汞红外探测器(综述)

近年发展的本征材料碲鎘汞三元合金已成为一种最广泛研究和熟知的半导体合金。用它制备探测器具有以下优点:(1)改变合金组分(x值)就可调整响应波长,这样就可在最有效波长上得到最大灵敏度;(2)工作温度较高,可大大节减致冷装置,使重量和体积缩小;(3)吸收系数大,可制成较薄的探测器,对于制备阵列比较容易。但这种材料的不足     

功率载荷下叠层芯片封装的热应力分析和优化

应用有限元分析软件ANSYS,模拟功率载荷下叠层芯片封装中芯片温度和应力分布情况,得出芯片的温度、应力与材料厚度、热膨胀系数之间的关系,根据分析,对模型进行了优化.优化后的模型最高温度下降了3.613 K,最大应力下降了33.4%,最大剪应力下降了45.9%.     

稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS磁化率的研究

用振动样品磁强计和提拉法在1.5K≤T≤300K温度范围内系统测量了组分为0.03≤x≤0.45的Cd_(1-x)Mn_xS稀磁半导体单晶样品的磁化率.磁化率测量表明在高温区服从居里-外斯定律。从定量分析得到Mn~(++)离子间交换积分常数值.低场磁化率与温度变化规律(最低温度达1.5K)表明当样品x≤0.2时,体系仍然为顺磁态;而当样品组分x=0.3时,经零场冷却后磁化率在温度T_f处观测到一个尖峰,对x>0.3样品亦得到类似结果,只是磁化率在不同冻结温度T_f处对应一个较宽的峰。这些结果说明在低温区发生从顺磁态到自旋玻璃态的相变.文中给出Cd_(1-x)Mn_sS的磁相图并对此作了讨论.     

玻璃半导体的电导和开关作用

研究了 As-Te、As-Te-Ga 和 As-Te-Ga-Ge—Si 硫族化合物玻璃半导体的电导率、热激发电流、光电导率和开关效应。发现,电导率σ可由σ=σ_0exp(△E/kT)表示;在300°K～500°K 的温度范围内随着组分的变化,电导率激活能△E 从0.12电子伏变到0.47电子伏。在开关实验中呈现出记忆效应的样品,其电导率与温度的关系曲线呈现记忆效应;在 T=500°K 时的高电导率状态直至室温都保持不变。热淬火给出室温下初始的低电导率。从热激发电流的测量中,发现陷阱中心的能级大约是0.18电子伏和0.23电子伏。在室温下进行了薄样品和厚样品的开关实验。     

铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进

对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析。采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜,并在不同温度下进行合金,研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对界面形貌进行了表征,结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系,在合金温度小于350℃时,界面处不会出现空洞,若合金温度超过此值,空洞逐渐出现,并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加。金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关。通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌,金属间界面清晰无相互扩散,降低了器件比接触电阻率和常态温度下的失效率(FIT)。