网秦通讯管家V2．0：手机的贴心管家

网秦最新发布的通讯管家v2．0版本．无论在界面还是功能上对1．1版本都进行了精心改进．界面作了彻底改变。棕色的主色调搭配具有中国民族特色的图标装饰．使界面既厚重又不失现代气息；在软件主界面又新增了进入网秦主页的入口．更加方便用户访问网秦wap主站．获取更多产品的相关信息，享受更多的手机安全保护。在功能上．网秦通讯管家v2．0更加贴近用户的使用习惯．短信过滤更加智能化，过滤更精准多种拒接方式．充分满足用户的不同需求。     

1700V碳化硅MOSFET设计

设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。     

小博士V8移动存储器

周爽负责公司图纸的审核工作,晚上经常要把图纸带回家里加班审核,所以她特别需要一只存储量大、安全保密的移动存储器。金存小博士V8帮了她这个忙。金存小博士V8具有超强保护数据安全的突出特点。产品采用智能电子锁身份识别系统认证、硬盘底层信息保护和物理隔离等核心技术实现了对数据的驱动器级保护。金存小博士V8保证合法用户权限的唯一性,有效地防止了对被保护信息的非法操作和攻击,实现了对信息的有效保护功能。悬浮式结构设计、FDB液压平衡轴承马达技术使产品具有良好的静态抗震性能,对用户数据增加超强物理保护。GMR巨磁阻磁头…     

HgCdTe光伏探测器的C—V特性

引言HgCdTe是一种具有独特性能的材料,制备P—n结又常用Hg扩散方法,它与常规的杂质扩散又有不同,加之材料的组分、结构及其固有的十分小的电子有效质量往往引起n型材料的简并等等问题,使成结工艺增加许多复杂因素。为了提高元件水平改进工艺,有必要对P—n结的特性作深入了解。测定P—n结的C—V(电容—电压)特     

V5接口技术综述

本文对Ｖ５接口技术的各个方面作了较为详尽的论述,包括Ｖ５接口的起源、基本概念、协议、工作过程、网管、实现方法、技术指标、标准、现状及发展中的宽带Ｖ５接口等十个方面的内容。     

七彩闪灯 摩托罗拉V998C

2003年1月份,摩托罗拉在上海举办了一场手机产品的展示会,向人们展出了近十款功能强大、性能卓越的手机,其中不乏支持MMS、带有摄像头、高色阶屏幕的精彩之作,令人们不禁对其在今年的出品期待不已。而最近又有一款摩记的产品进入销售市场,它就是我们要介绍的V998C。 以往摩托罗拉系列产品无论是高端或者低端进入市场都会有铺天盖地的广告攻势,通过大洒金钱引起人们对其新产品的注意,并取得更高的知名度和更好的销售反应。但是这次推     

4500V碳化硅肖特基二极管研究

设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。     

IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列

功率管理技术公司I R日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机驱动器、通用换向电路、开关电源SMPS和不间断电源UPS。采用IGBT或MOSFET进行功率转换,必须对短路、过流和接地错误等进行保护。为完成保护功能,除了保护电路之外,还必须对错误状态通过传感元件进行检测。适宜工…     

通信用-48V直流配电设备保护地线选择的研究

通信用-48V直流配电设备保护地线的选择在各种规范中一直不明确。文章结合直流配电系统结构分析了直流配电设备保护地线设置的目的和原因,针对熔断器保护的直流配电设备,根据熔断器的时间电流特性,采用对电缆热稳定校验的方法给出了保护地线的最小参考截面。     

电视机烧熔丝故障的检修

在采用12伏低压电源的电视机中,一般在交流电源进线处使用0.5～1安熔丝,以保护电源变压器及整流输出线路中又串以2、3安熔丝,对稳压电路及负载电路起保护作     

1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计

设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。     

1200V碳化硅MOSFET设计

设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。     

ESD保护栅结构20V N沟道沟槽VDMOSFET设计

文章主要研究了低压ESD保护栅型沟槽VDMOSFET的设计制造方法.首先简要分析了沟槽VDMOSFET的结构、工作原理以及ESD保护结构的理论实现.基于20V N沟道设计的主要参数指标,给出了具体的外延规格、终端结构、版图、工艺流程等主要设计点.在流片的分片单中对沟槽深度、栅氧厚度、P-阱注入剂量以及ESD-poly注...     

广播电视系统的μV/m、μV与dBW的解说

在广播电视的接收系统中,接收信号的强度因传输环境和条件的不同,其计量单位也有所区别.一般在地面电视广播中,电磁波(习惯上又称电波)的信号强度是用μV/m,而在CATV中的射频信号则用μV,但在卫星广播(包括微波链路)中却是用dBW(或dBmW)表示的.这三种计量单位有何特点?三者之间又有何联系,本文拟作一解说.     

蒙恬笔V7.5

蒙恬笔V7.5是蒙恬公司继V7.0和V7.1版本之后推出的又一手写精品。它除了在功能上有所改进和增强外,还采用了多项新开发的中文输入最尖端技术。蒙恬笔V7.5增加了—个新的词汇智能核心,使蒙恬笔的辨识速度和辨识率得到提高。辨识速度在原有基础上提高了1～2字,居同类产品首位。而在辨识率上,也在原基础上提高了3～4%,对正楷字的辨     

摩托罗拉V66 V仔新一代

摩托罗拉的手机我一向比较喜欢，当年我使用的ＧＣ８７Ｃ到现在依然工作正常，令我对其信任值大幅上升。虽然摩托罗拉公司在惊世之作Ｖ９９８后沉默了很久，但是我相信沉默中一定会爆发。果然，在盼星星盼月亮似的等待中，我终于迎来了摩托罗拉的Ｖ６６。 据说这部手机是专为讲究生活质量、懂得品味优雅生活的城市精英群体设计的。我对着镜子左看右看好几次，就是不像这个市场定位中的精英人物，唉，为了赶一回时髦，俺就冒充一回“精英人物” 吧。 盾形前盖随心换 Ｖ６６粉墨一登场；就让我立刻心动了。它采用传统的贝壳类翻盖式设计，其机…     

一种具有V形阻温特性的PTC材料

本文介绍一种具有V形电阻温度特性的钙钛矿型(ABO_3)结构的半导瓷材料(简称为V-PTC材料)。这种材料在居里温度以下,具有与NTC热敏电阻相当的电阻温度系数(负值),而在居里温度以上,又具有标准的PTC特性。其制造方法有两种:Yb_2O_3掺杂法和SrPbTiO_3主晶相法。该材料可用于制作具有抑制电源冲击电流和异常过电流保护双重功能的元件,应用于电源电路中。     

一种彩电用宽适应范围（85V—270V）开关电源

介绍了一种彩电用宽适应范围（ＡＣ８５Ｖ～２７０Ｖ）开关电源。叙述了其工作原理、启动过程、误差放大原理、保护电路、抗辐射干扰、变压器的绕制方法、功能扩展电路等     

V998与终结纪念版V998C

摩托罗拉V998系列不仅引领出一个繁荣的折叠机市场，且直到今天，在一波又一波新型手机层出不穷之时，V998系列依然还能以其经典和小巧的外形。简洁实用的功能在手机市场占有一席之地，延续着它的传奇。最近，摩托罗拉公司又推出了一款以V998型号命名的手机，这就是我们今天要介绍的V998C。     

1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计北大核心CSCD

设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。