沿海滩涂盐碱地的改良措施

我国沿海滩涂面积广阔，水资源丰富。受海水的直接影响，该地区盐碱土壤发育广泛；沿海滩涂地区的盐碱土地降低了沿海地区土地的利用率，制约了农业经济的发展。根据以往的科学研究，以江苏省海滨地区盐碱土壤改良成功的实例为依据，论证改良沿海滩涂盐碱土壤所采用的物理、化学、生物工程等措施在实际生活中的应用，并且总结出我国沿海滩涂盐碱土壤改良的最佳措施为生物工程措施。在相关部门的正确管理之下，这种改良方法可以向盐碱土壤圈层中引入负熵物质，使盐碱土壤维持有序的发展；既能减轻甚至消除土壤盐碱化，又可以改善当地自然环境，提高土地利用率，增进农业生产收入。     

S波段20W单片功率PIN限幅器

功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器.     

城镇房屋拆迁法律二题

由于历史和现实的诸多原因,当前,我国的城镇房屋拆迁存在着许多不容忽视的法律问题。其中国有土地使用权的补偿和公有房屋共同居住人居住权的保护两个方面的问题表现得尤为突出,较为广泛。     

GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片

采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。     

铸铁件水冷金属型用铜合金的研究及应用

分析了铸铁件金属型铸造过程中，铁液对金属型的作用及对金属型材质的要求，在此基础上，研制开发出热导率高、综合性能优良的铸铁件水冷金属型用铬锆镁铜合金。设计制造了汽车用球铁齿轮水冷铜合金金属型，并在生产线上进行了中试生产。结果表明：铬锆镁铜合金导热性好，耐热疲劳性能和热稳定性优良，水冷铜合金金属型一次型腔的使用寿命将超过2万次，总使用寿命将超过10万次。     

Ku波段10W功率PHEMT

报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。     

一种新颖的多功能低相移DC-50 GHz单片可变衰减器

Ga As MMIC控制电路开关由于其体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高等显著优点在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多功能低相移 DC- 5 0 GHz高性能单片压控可变衰减器 ,获得了优异电性能。据了解 ,这是世界上第一次报道这种具有低相移功能的 DC- 5 0 GHz单片压控可变衰减器 ,国外的类似产品不具备这种低相移功能 ,同时还采用了直流参考电路和 MBE外延材料及相关工艺技术制造 ,不仅电路复杂 ,给工艺成品率、可靠性和成本带来不利 ,同时还会带来功耗(标称最大直流功耗 1 5 2 m…     

单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端工艺研究

利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。     

AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点     

一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT

提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构。通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压。在新型LIGBT漂移区中,当沟槽与有源区之间的距离为13 μm时,可以完全屏蔽HVI对SOI-LIGBT集电极的不良影响,HVI区域面积大幅减小。仿真结果表明,与传统结构相比,新型LIGBT的反向击穿电压提高了18.2%,为578 V,而HVI区域面积减小了60.8%。