高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用

低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比，制作工艺简单，而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压，降低了漏电电流，改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术，成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。     

有源矩阵液晶显示集成驱动电路

介绍了多晶硅薄膜晶体管的特性,分析了有源矩阵液晶显示的扫描和数据驱动电路,以及用于多晶硅薄膜晶体管的集成驱动电路的设计方案。     

液晶TFT有源矩阵单元性能分析

本文详细分析液晶薄膜晶体管(TFT)有源矩阵单元性能.其中包括薄膜晶体管单元结构特性和液晶单元电容充放电物理过程。通过分析,推导出有用的计算公式。这些结果对实际工作具有指导作用。     

彩色薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)基本原理与动态

概述了薄膜晶体管液晶显示器基本结构与原理。着重分析比较非晶硅与多晶硅薄膜晶体管的工艺、成本的区别。提出了应大力发展低温多晶硅薄膜晶体管技术，以适应下世纪大屏幕高清晰度液晶显示终端的需求。     

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ）,特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析     

有源矩阵液晶显示的进展

在分析了无源矩阵驱动的局限性的基础上，叙述和比较了ＭＩＭ薄膜二极管和ａ－Ｓｉ薄膜晶体管有源矩阵液晶显示的结构、工作原理和特性，并讨论了它们的进展与发展方向。     

Poly—Si TFT制备工艺

在有源矩阵液晶显示中，目前倍受重视的应数多晶硅有源矩阵液晶显示技术，本文较详细地给出了高温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺及其特性，并分析讨论了制备条件对多晶硅薄膜晶体管各种参数的影响。     

多晶硅有源矩阵液晶显示器

本文首先就用来制造有源矩阵液晶显示器的非晶硅和多晶硅材料作了性能比较,然后描述了多晶硅薄膜晶体管阵列的制造方法,以及在制造方法上取得的进展。     

ZnO基薄膜晶体管的研究

ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。     

具有容错功能的OLED有源驱动电路

以有机电致发光器件(OLED)为基础的显示或照明器件,通常会受到短路故障的影响,从而使得像素失效,降低面板的亮度,进而严重地影响亮度的均匀性,并且会产生大量的功耗.本文介绍了一种新的有源OLED驱动电路,以自动检测在OLED中发生的短路故障并切换至备用OLED.该电路采用p型低温多晶硅薄膜晶体管制造.当发生短路故障时,本电路可以在不改变驱动电流的情况下,保持OLED像素的亮度维持不变.实验结果表明,本电路不仅具有容错功能,而且与标准电路相比可以显著地降低功耗.