液晶显示技术的进展

通过实地考察,介绍美国、日本和欧洲的液晶显示技术,着重叙述有源矩阵液晶显示技术、制备关键工艺、新型液晶显示器件的并发以及夏普公司在LCD领域中的领先水平。     

多晶硅TFTAMLCD的现状与前景

多晶硅有源矩阵液晶显示技术，特别是一体化多晶硅有源矩阵液晶显示技术以它独特的优点，越来越受到重视，并将在液晶显示领域中占有重要地位，但是，多晶硅有源矩阵液晶显示技术还存在一些问题，这也正是目前研究的主要内容，本文对低温下淀积高质量多晶硅薄膜技术；通过退火使非晶硅结晶为多晶硅技术；器件层转移技术；钝化技术；一体化技术以及多晶硅有源矩阵液晶显示的前景等进行了分析和讨论。     

MIM有源薄膜器件及阵列的基础研究

本文详细分析了MIM有源薄膜器件及阵列的工作原理、工艺过程和器件性能.根据一种液晶有源薄膜器件阵列设计模型,设计和研制出了MIM单管性能和实验用7×5象素MIM有源矩阵液晶显示板.此显示板具有显示一定图形的功能.     

有源矩阵液晶显示的进展

在分析了无源矩阵驱动的局限性的基础上，叙述和比较了ＭＩＭ薄膜二极管和ａ－Ｓｉ薄膜晶体管有源矩阵液晶显示的结构、工作原理和特性，并讨论了它们的进展与发展方向。     

一种直接在GaAsMESFET上测定有源层载流子迁移率分布的方法

本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测定迁移率的计算公式。给出了典型器件有源层迁移率分布的实验结果。并与Sites法的测量结果进行了比较。     

Poly—Si TFT制备工艺

在有源矩阵液晶显示中，目前倍受重视的应数多晶硅有源矩阵液晶显示技术，本文较详细地给出了高温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺及其特性，并分析讨论了制备条件对多晶硅薄膜晶体管各种参数的影响。     

C60势垒二极管

本文探讨将C60富勒烯材料作为有源矩阵液晶显示的开关元件。首先介绍了Lechner二极管有源矩阵液晶显示的原理。之后介绍了本文制作的C60二极管的工艺流程及其性能。将C60薄膜淀积在Al上,制成Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60的肖特基结构与MIS结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2V时的整流比为30,而MIS结构在偏压±2V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚淀积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。最后探讨了如何将C60势垒二极管与Lechner二极管有源矩阵液晶显示进行结合。     

多层介质膜MIM薄膜二极管的I-V特性研究

制备了一种用于有源矩阵液晶显示的具有对称结构、较好 I-V特性对称性和较高电流通断比的 MIM薄膜二极管。采用了基于反应溅射的多层膜工艺制备其 Ta2 O5绝缘层。采用原子力显微镜 (AFM)对 Ta2 O5膜进行了表面分析 ,并对 MIM薄膜二极管的 I-V特性进行了测试。AFM分析结果表明 ,电子束蒸发 /反应溅射 /电子束蒸发法工艺制备的绝缘膜表面平整 ,膜层较致密 ;I-V特性测试结果显示 ,MIM-TFD的电流通断比约为 1 0 5,I-V特性曲线的非线性系数为 1 0 ,左右阈值电压分别为 6.3 V和 5 .8V,具有良好的对称性。该 MIM薄膜二极管的性能可以满足有源矩阵液晶显示的要求     

彩色液晶显示与有源矩阵

彩色平板显示中领先的是液晶显示,其中有源矩阵驱动是提高液晶显示性能的重要手段。本文叙述彩色液晶显示的最新发展,并阐述有源矩阵、滤色器阵列的种类和某些制作工艺问题。     

基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜.所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50 μm,空穴的最高霍尔迁移率为30.8 cm~2/V·s,电子的最高霍尔迁移率为45.6 cm~2/V·s.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70～80 cm~2 /V·s,亚阈值斜摆幅为1.5 V/decade,开关电流比为1.01×10~7,开启电压为-8.3 V.另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性.