铅酸电池的板栅腐蚀与内部氧气循环

对铅酸电池来说,正板栅的腐蚀与伸长是决定其浮充寿命的关键因素,内部氧气循环是阀控免维护电池的基本原理。这一现象在常规电池中同样存在而影响浮充电压,这两个问题都与正负电极的气体析出率有关,故本文先从气体析出谈起。     

依据VRLA电池的性能和特点进行维护管理

VRLA电池具有高效放电性能、自放电小、析氢过电位高，电解液中水的消耗少等优点。其设计寿命为10—15年。实际运行中，由于管理不善，使电解液中失水过快，温度过高，板栅腐蚀速度加快，隔膜的饱和度下降或机械强度下降等都会造成电池很快失效。依据VR—LA电池的性能和特点进行科学管理，以实现电池的长寿命。     

铅酸电池的浮充电压与均衡充电

一、浮充电压 一个电池组的浮充电压,其浮充电流必须能补偿其自放电损耗,在放电后用浮充电流也能使蓄电池恢复到满容量,实际上是长期处于小量过充电状态。浮充电压太高除增加系统工作电压外,也会增加水的消耗,加速正板栅腐蚀,减短电池寿命。浮充电压太低不能补偿自放电损耗。二十多年来国外对浮充电压的最佳值,电池组中每个电池的电压偏差等进行了大量研究试验,近10年来有新的认识,本文以下讨论中涉及到有关Tafel曲线,板栅腐蚀与伸     

印刷烧结工艺对单晶硅太阳电池栅线形貌及电学性能的影响

正面金属化是制备单晶硅太阳电池中的重要工艺步骤,栅线质量对电池的电学性能起着关键的作用。通过探究不同栅线处理工艺对栅线宽度的影响,发现烧结过程中栅线会向两侧崩塌,从而增加电极的遮光率,结合表征手段对这一过程进行了分析和机理阐释。在对浆料类型、网版开口宽度、网版图案以及烧结峰值温度的研究中,发现浆料中的有机物含量会影响栅线在烧结过程中的稳定性,而合适的网版开口及图案设计能降低遮光面积和栅线高度起伏,从而显著提升电池的电学性能,制得了最高转换效率为22.54%的单晶硅PERC电池。可以预见,通过优选浆料和网版,可以进一步改善单晶PERC电池的电学性能,获得更高的光电转换效率。     

UPS用12V高功率电池的设计

围绕提高UPS用12V高功率电池的恒功率放电特性、寿命、可靠性,分析影响该电池性能的主要因素,提出其设计的核心问题是如何降低电池内阻、减小压降、减缓电池极化、提高活性物质利用率。通过板栅设计、极板厚度与片数、铅膏组份、固化温度、隔膜选择、装配压缩比、连接压降等方面进行分析并提出设计思路。     

太阳电池栅线的设计

本文分析了主线上的电压降对电池栅线设计的影响,讨论了电池的功率损耗与电池栅线尺寸及厚度的关系,探讨了如何在原始设计的基础上设计出理想尺寸的太阳电池栅线。     

皮秒脉冲激光辐照太阳能电池损伤特性实验研究(特邀)

以皮秒脉宽激光多脉冲损伤太阳能电池为背景,通过激光烧蚀电池前后表面形貌、电池伏安特性、电致发光特性获得损伤特性。采用脉宽15 ps、波长1 064 nm皮秒脉冲激光辐照三结GaAs太阳能电池进行实验。通过重频调节改变激光辐照功率,对太阳能电池栅线与非栅线部位在激光辐照下的损伤特性进行分析。实验发现辐照非栅线部位时,尽管激光光斑较小,但电池内部材料已经发生损伤,主要是由于电池内部材料有序结构的破坏逐渐增大,尤其是激光功率越高时,内部损伤面积越大。当激光辐照栅线部位时,栅线部位受热熔断会极大影响太阳能电池对载流子的吸收,从而降低电池的光电转换能力,进而影响太阳能电池的电性能,使得激光辐照栅线部位损伤效果强于辐照非栅线部位。     

纳秒激光脉冲辐照太阳能电池损伤特性及对光电转化的影响

针对纳秒脉冲激光辐照三结GaAs太阳能电池损伤特性及对光电转化影响开展研究.从损伤形貌、伏安特性、电致发光三个方面建立实验系统,分别从材料烧蚀形貌、电性能输出、内部损伤情况来分析电池光电性能逐渐下降特性.在分析了激光能量密度影响的基础上,进一步分析了激光辐照部位的影响,如电池栅线与非栅线部位.纳秒脉冲激光由于峰值功率较高,能对电池产生明显损伤,激光辐照电池的栅线部位损伤效果强于辐照非栅线部位,主要由于栅线电极的作用是用于光生载流子的收集,激光辐照熔断电池栅线,降低电池输出功率.研究结论对于提高太阳能电池空间防护能力具有指导意义.     

栅格式偏置天线的关键工艺方案

通过对栅格式偏置天线的成形原理进行分析,建立了栅支板和栅条加工的数学模型,同时在建立天线 安装中栅支板定位的数学模型的基础上导出了计算公式,最后对天线主面精度进行了估算并提供出工程中实测数 据。     

阀控式密封铅酸蓄电池的失效机理分析

通过论述阀控式密封铅酸蓄电池失效的景种主要模式：干涸、早期容量损失、热失控、电池间不均衡、不可逆硫酸盐化及板栅腐蚀与增长,探讨失效模式的产生机理,并针对这些失效机理提出一些解决方法。     

背接触太阳电池的背面设计优化

利用quokka3仿真软件建立三维模型,对n型叉指背接触(IBC)单晶硅太阳电池的单元电池结构设计和栅线参数进行了仿真优化,并通过激光和丝网印刷进行了实验验证。实验结果表明,在不同IBC单元电池结构设计下,当p+发射区与n+背表面场区的宽度比值为4时,IBC太阳电池效率比宽度比值为2.3时的高0.11%。可通过减小单元电池宽度,增大p+发射区与n+背表面场区的宽度比值来获得更高的IBC太阳电池效率。在相同单元电池结构设计下,当细栅线宽度从40μm增加到60μm时,IBC太阳电池效率能够提高0.18%。且相比4主栅,6主栅IBC太阳电池效率可提高0.09%。因此,增加副栅线宽度和主栅线数量有利于IBC太阳电池效率的提升。     

太阳能电池栅电极优化设计

本文通过对聚光电池中常用的两种电极结构进行理论模拟,全面具体地分析了电池尺寸以及与电池上电极有关的各种损耗对栅电极优化设计的影响;并且对电极优化设计在不同聚光因子下的影响也进行了模拟,使太阳电池栅电极的优化设计更加完整。     

浅谈阀控式密封铅酸蓄电池的日常维护

阀控式密封铅酸蓄电池 (简称ＶＲＬＡ电池 )由于采用特殊合金作为板栅材料及特殊结构 ,使电池具有密封特性。因而 ,该电池在维护和管理上具有十分明显的优势 :安装、使用维护方便、无腐蚀、无污染、便于实现无人值守和远程监控管理。正因为ＶＲＬＡ电池具有这些优点 ,所以广泛为通讯系统使用。但由于该电池面世以来 ,生产厂家对“免维护”的含义未说清楚 ,个别厂家又加以夸大 ,造成有些用户理解为 :这种电池可以随意使用 ,不用管理。事实上 ,我们所讲的“免维护”是指不需要经常对电池加酸加水 ,绝对不是不需要基本的电池管理工作。相反 ,日…     

GaN基HEMT栅终端场板结构研究

制作了带有栅终端场板结构的GaN基HEMT,研究了击穿电压与场板长度的关系,提取了最佳场板长度为0.4,0.5,0.6μm时所对应的栅漏击穿电压最大,为120 V.研究了栅终端场板对器件小信号特性和大信号的影响,栅终端场板长度0.4μm时,器件特征频率及最大振荡频率减小量最小.在栅宽1 mm、频率8 GHz、无场板器件最大工作电压28 V时,连续波输出功率3.2 W,功率增益4.0 dB,功率附加效率17.0%;栅终端场板器件最大工作电压38 V时,连续波输出功率5.1 W,功率增益4.1 dB,功率附加效率21.0%.     

GT-2型电子管特性图示器

GT-2型电子管特性图示器是上海新建电子仪器厂1963年的新产品,它是一种能在示波管荧光屏上观察记录收信式电子管特性曲线族的图示器,并可通过标尺刻度直读其被测电子管的电压、电流值.该仪器具有测量范围广、精确度高、读测简便等主要特点,它具有能在各种不同运用条件下观察板压-板流、板压-帘栅流、板压-栅流、栅压-板流、栅压-帘栅流、栅压-栅流特性曲线族.为了适应观察极限工作特性的需要,     

高频功率AlGaN/GaN HEMT 的栅结构优化

本文研究了栅帽、栅源间距对AlGaN/GaN HEMT性能的影响。基于研究结果得出了优化高频功率AlGaN/GaN HEMT栅结构的方法。缩小栅场板可以有效提高器件的增益、截止频率（ft）、最大震荡频率（fmax）。通过减小栅场板长度,栅长0.35 器件的ft达到了30GHz、fmax达到了80GHz。采用tao型栅（栅帽偏向源侧）或者增加栅金属厚度还可以进一步优化 。缩小栅源的距离可以提高饱和漏电流和击穿电压,从而提高器件的输出功率。     

用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS

文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。     

X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究

基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响。结果表明,Γ栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率,但明显改善器件膝点电压和输出功率密度。针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1μm,得出一定范围内增加场板长度,器件输出功率大幅度提高,并结合器件小信号模型提参结果分析原因。在频率8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度0.9μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率（PAE）35.31%,相应线性增益10.25 dB。     

X波段AlGaN/GaN HEMTs厂栅场板结构研究

基于SiC衬底成功研制X波段0.25um栅长带有г栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了г栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响.结果表明,г栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率,但明显改善器件膝点电压和输出功率密度.针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1 um,得出一定范围内增加场板长度,器件输出功率大幅度提高,并结合器件小信号模型提参结果分析原因.在频率8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度0.9um的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB.     

太阳能电池的金属化技术

在工业生产中，太阳能电池在保证效率的前提下最大限度地降低成本。通过对丝网印刷太阳能电池结构介绍和局限性分析，研究了埋栅太阳能电池用电镀的方法进行产业化的步骤，进而提高太阳能的转化效率。