Ce：KNSBN晶体红光两波耦合特性研究

用红光对掺铈的铌酸钾钠锶钡(KNSBN)单晶样品进行了两波耦合的测量,研究了两波耦合中样品的增益系数Γ与两束入射光夹角2θ的关系.用光折变理论拟合了Γ-2θ关系的实验结果,求出了该样品的有效光折变电荷密度,有效电光系数和电子-空穴对抗率的数值.     

偏振光下向列相液晶(5CB:C60)取向光折变特性的研究

通过实验研究了外加电场对C60掺杂的向列相液晶(5CB)的取向光折变特性及水平和竖直偏振光对样品二波耦合和自相位调制现象的影响。通过测量样品的增益系数和光束耦合率可以看出，在水平偏振光照射下两束透射光有较强的能量转移而在垂直偏振光照射时几乎观察不到明显的能量耦合现象。可见，液晶盒中的分子取向与光束的偏振方向有很强的依赖关系。     

载流子浓度对光折变LiNbO3晶体二波耦合增益的影响

根据光折变微观机制和Ｋｕｋｈｔａｒｅｖ带导模型，分析了ＬｉＮｂＯ３晶体二波耦合系数与载流子深度的关系。结果表明二波耦合系数随流子浓度的升高而增大，并逐渐趋于一稳定值。测量了不同Ｃｅ掺杂浓度Ｃｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体二波耦合指数增益与载流子浓度的关系，实验结果与理论分析一致。     

双掺杂LiNbO3晶体光折变效应研究

研究了系列不同掺杂、不同掺杂浓度、单掺杂和双掺杂以及不同后处理态(生长态、还原态和氧化态)铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变二波耦合效应。实验结果表明，高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄；双掺杂样品比单掺铁样品的抗光折变效应增强，光折变效应降低。氧化态样品具有较大的透过率光谱范围；还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。     

用特殊泵浦方式在光折变晶体中获得高增益的两波耦合

用特殊泵浦方式在光折变晶体中获得高增益的两波耦合张家森，高宏，朱镛，叶佩弦（中国科学院物理研究所北京１００８０）由于光折变两波耦合光放大只需要很低的功率密度，它有着很广泛的应用前景。人们提出了几种方法用来减小光折变两波耦合扇形噪音的影响和提高耦合增益...     

掺铑钛酸钡晶体中温度增强的光折变性质

掺铑钛酸钡晶体是一种近年来生长成功的光折变晶体。人们对它的光折变性质如二波耦合、相位共轭、光致吸收等都做过很多研究。但关于其光折变性质随温度的变化尚未见报导。本文中我们对物理所生长的掺铑钛酸钡晶体的光折变性质对温度的依赖性进行了研究，发现其二波耦会强度及其相位共轭反射率随温度的升高而增加。在二波耦合实验中，我们用He－Ne激光器作光源，为消除强的扇光而采用o光偏振，两束对称入射（晶体外夹角2θ=18°）。泵浦光强度为0．36W／cm2，泵浦光与信号光的强度比为为20，测得二波耦合强度随温度线性增加，当温度从20℃…     

偏振光下向列相液晶(5CB∶C_(60))取向光折变特性的研究

通过实验研究了外加电场对C60掺杂的向列相液晶(5CB)的取向光折变特性及水平和竖直偏振光对样品二波耦合和自相位调制现象的影响。通过测量样品的增益系数和光束耦合率可以看出,在水平偏振光照射下两束透射光有较强的能量转移而在垂直偏振光照射时几乎观察不到明显的能量耦合现象。可见,液晶盒中的分子取向与光束的偏振方向有很强的依赖关系。     

高速调幅光束的光折变四波混频的理论研究

对高速调幅光束的光折变四波混频进行了理论研究。在无泵浦非耗竭近似下，给出了复耦合系数为任意值时稳态四波混频耦合波方程组的解析解。对方波调制光束情况进行了模拟计算。     

采用全息干涉法的纯扩散机制光折变相移研究

基于光折变两波耦合(TWC)理论，导出纯扩散机制情况下衍射再现光波和直透光波间的相位差与光折变相移的关系；把光折变晶体(PRC)作为全息干涉记录介质，基于光折变TWC机制和全息干涉技术，提出了一种可直观验证光折变相移的方法；以纯扩散情况下Ce：SBN晶体TWC为例，给出了光折变相移的直观观测实验结果。     

光折变多量子阱的电吸收栅和电折变栅

在光折变多量子阱中，通过Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应可写入电吸收栅和电折变栅。基于二波耦合理论，精确求解了由这两种光栅引起的光强耦合方程，近似计算了Ｒａｍａｎ－Ｎａｔｈ高阶衍射光强。     

低玻璃化转变温度掺杂有机聚合物体系的光折变效应

报道了一种低玻璃化转变温度掺杂有机聚合物体系中的光折变效应。研究了ＰＶＫ－Ｃ６０薄膜的光电导特性，测量了ＰＶＫ－硝基偶氮苯的电光系数。在ＰＶＫ－Ｃ６０－硝基偶氮苯－邻苯二甲酸二丁胸（ＤＢＰ）厚膜中实现了光学简并四波混频和两束耦合，在较低的场强下（１６．４Ｖ／ｕｍ），获得高达１．５％的四波混频衍射效率。实验表明了ＤＢＰ增塑剂的引入有效地增加了取向对光折变效应的贡献．提高了材料的光折变性能。     

聚乙烯基咔唑掺杂低Tg体系的光折变研究

光折变效应在高密信息存取介质、相位共轭器、全息图像加工、神经网络及协同记忆的模拟、畸变图像复原等方面具有广泛的应用前景。近年来，人们对光折变新现象、新材料的研究日益深入。1991首次报道了聚合物光折变性质，由于聚合物光折变材料具有高光学非线性，低介电常数，低成本易加工等优点引起人们的极大重视。特别是1994年，H波耦合系数高达220cm‘，四波混频衍射效率高达100％的掺杂型聚合物光折变材料的报道，使得聚合物先折变的研究进入了应用的前期研究阶段。我们以电荷输运聚合物聚乙烯基咏叹（PVK）为主体掺杂生色团2，5一二甲…     

Ce∶KNSBN光折变光纤两波耦合特性研究

研究了掺铈钾钠铌酸锶钡 (Ce∶KNSBN)光折变光纤“扇”特性及两波耦合的基本特性。通过实验发现 ,当入射光的入射角为 8°左右时 ,“扇”最小 ,这与块状晶体有根本的不同。在信号光与抽运光的入射夹角 2θ小于 11°时 ,两波耦合增益随入射夹角的增大而增大 ,而当入射夹角大于 11°时 ,两波耦合增益随着入射夹角的增大而迅速减小。给出了在各个不同的入射夹角下 ,两波耦合增益中透射的信号光的时间特性曲线。两波耦合增益随信号 抽运比的增加而增加 ,在入射夹角为 8° ,信号 抽运比为 1∶10 0 0时 ,两波耦合增益达到了 77,比块状晶体相应条件下提高了 4倍。用两波耦合的理论公式对增益随信号 抽运比的实验数据进行了拟合 ,二者相符     

Ce:KNSBN光折变光纤两波耦合特性研究

研究了掺铈钾钠铌酸锶钡(Ce:KNSBN)光折变光纤"扇"特性及两波耦合的基本特性.通过实验发现,当入射光的入射角为8°左右时,"扇"最小,这与块状晶体有根本的不同.在信号光与抽运光的入射夹角2θ小于11°时,两波耦合增益随入射夹角的增大而增大,而当入射夹角大于11°时,两波耦合增益随着入射夹角的增大而迅速减小.给出了在各个不同的入射夹角下,两波耦合增益中透射的信号光的时间特性曲线.两波耦合增益随信号-抽运比的增加而增加,在入射夹角为8°,信号-抽运比为1:1000时,两波耦合增益达到了77,比块状晶体相应条件下提高了4倍.用两波耦合的理论公式对增益随信号-抽运比的实验数据进行了拟合,二者相符.     

KTN及其掺铜晶体632.8nm光折变性能研究

报道四方相KTN和KTN:Cu晶体的二波耦合实验结果,测得它们的二波耦合增益系数分别为5.6和6.8(cm~(-1)),衍射效率分别为34.2％和35％,主要载流子符号为正号。还给出了其它光折变参数的计算结果。     

BaTiO3相干光CW图象放大器

首次使用国产光折变晶体BaTiO3利用两波耦合效应，成功地攻得相干光CW图象（强度）放大。文中具体给出了放大率与泵浦功率，泵光与信号光比率，泵光与信号光相对晶体晶轴取回的依赖关系。     

KNbO3：Fe的红外光折变效应

利用1.15μm He-Ne激光对光折变晶体KNbO_3:Fe的二波耦合实验测量,得到二波耦合增益系数为1.4cm~(-1),频率响应时间为5ms.在红外波段的初步实验结果与可见波段的规律相符.     

同时测量Ce:KNSBN晶体两波耦合指数增益系数和吸收系数的一种方法

本文利用光折变晶体中双光束耦合的有关理论，提出了一种同时测量光折变晶体中双光束耦合指数增益系数和吸收系数的新方法，并用Ce：KNSBN晶体进行了实验研究．     

双光子光折变晶体中全息屏蔽空间孤子

为了得到双光子光折变晶体中全息屏蔽空间孤子的结果,基于双光束耦合耗散系统和双光子光折变效应,证明了外加偏压的双光子光折变晶体中存在一种新的全息屏蔽空间孤子。此类孤子需要满足两种平衡,一是损耗与增益之间的平衡,增益由抽运光通过两波耦合为信号光提供;二是衍射与非线性之间的平衡,非线性包括外加电场的非均匀屏蔽和两波耦合对折射率的周期性调制。在信号光远小于抽运光的条件下得出了全息亮和暗孤子的解析表达式。研究了全息屏蔽孤子的演化特性。     

聚合物分散液晶(PMMA:5CB:C60)光折变特性的实验研究

用溶致相分离方法制备了3种不同组分的聚合物分散液晶薄膜(PMMA：5CB：C60)，C60作为敏化剂。利用二波耦合实验测量了不同样品的衍射效率和响应时间等光折变特性，实验发现，液晶含量不同的薄膜光学性质有很大的不同。