HgCdTe自由载流子光电导过程中的热电子效应

用连续运行的可调谐CO_2激光器研究和观察N型Hg_0.78Cd_0.22Te在100K时的自由载流子吸收和光电导,发现光激发引起热电子温度和迁移率的增加。实验结果指出电离杂质散射是造成迁移率变化的主要原因,有可能发展成一种新型的远红外探测器。     

Hg_(1-x)Cd_xTe非线性光电导

利用连续运行的可调谐CO_2激光器,我们进行实验观察100K时N型Hg_(0.3)Cd_(0.2)Te带间跃迁的非线性光电导,着重研究了吸收系数、光激发非平衡载流子电子的浓度和复合寿命与光强的关系,分析指出,非线性光电导的产生可归结于动态Burstein-Moss效应和俄歇复合两过程.     

GaAs双光束耦合中的普克尔效应

本文报道在GaAs晶体中用1.15μm红外He—Ne激光进行相对传播的双光束耦合的实验研究,测量了透射光束偏振面的旋转角(?)与两束光强比β_0的关系,这些现象可归结于光感空间电荷电场引起的线性电光效应(普克尔效应)所造成。     

KNbO_3:Fe自泵相位共轭

本文提出KNbO_3:Fe光折变晶体的异形切割和最佳实验配置,首次在室温下获得内环腔自泵相位共轭,反射率高达～60％。     

GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效应

由于MOCVD、MBE等半导体材料生长技术飞跃发展,半导体多量子阱和超晶格的制备、研究和应用越来越引起广泛重视。GaAs多量子阱超晶格是较为成熟的一种结构。本文初次报道GaAs多量子阱超晶格表面激光辐照感生的光伏效应研究结果。实验样品是在〈001〉晶向半绝缘GaAs衬底上,MBE生长1.5μm n~+-GaAs缓冲层后,交替地周期生长两种阱宽和垒宽,不同周期数的掺硅GaAs层,构成GaAs多量子阱超晶格结构。激     

电流注入块状GaAs和GaAs膜近红外光学常数变化实验研究

电流注入块状ＧａＡｓ和ＧａＡｓ膜近红外光学常数变化实验研究王德煌，王威礼（北京大学物理系，集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１００８７１）庄婉如，段树坤（北京集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区，北京１０００８３）ＧａＡｓ是半导体光电...     

一种新型的低阻抗高压脉冲电源

本文描述一种简单地利用双层屏蔽同轴传输线获得低阻抗高压脉冲电源,同时介绍基于传输线输出端样品电阻上的入射和反射脉冲波形的分析,可以进行样品电阻和Ⅰ-Ⅴ伏安特性的毫微秒脉冲测量。