一种高精度过温保护电路的设计

基于UMC 0.25um BCD工艺,设计了一款高精度过温保护电路。通过基准电路中三极管的基极-发射极电压的负温度特性实现温度检测,调节电阻的比值产生迟滞温度量,避免了电路热振荡现象。经过HSPICE仿真验证,电路在温度130℃时,过温保护信号发生翻转,关断芯片,待温度降低到99℃时再次开启,具有31℃迟滞量。在电源电压变化时,过温保护电路的过温阈值和迟滞温度量偏差最大仅为0.24℃。     

一种高精度过温保护电路的设计

设计了一种高精度的过温保护电路。利用晶体管基极和发射极的负温特性实现温度检测,通过将检测点电压和设定的电压相比较,检测是否过温。由于使用了一个高、低阈值可调的高精度滞回比较器,并且阈值电压点电压由与温度无关的带隙基准提供,因此实现较高的精度和可靠性。通过Cadence Spectre工具基于某公司0.35μm CMOS工艺进行了仿真验证。该设计具有20℃温度迟滞,热关断点为125℃,热开启点为105℃,在3~5.5 V的电压范围内,热关断点和热开启点温度最大漂移不超过0.4℃。     

投影机高精度过温保护电路的设计

基于UMC 0.25μm BiCMOS工艺,设计了一款投影机过温保护电路。利用三极管BE结电压的负温度特性实现温度的检测,与传统的过温保护电路不同,该保护电路巧妙地利用比较器的内部正反馈实现热滞回,提高了迟滞的精确度。HSPICE仿真结果表明,该电路能很好地抑制电源电压变化造成的热关断和迟滞阈值点的漂移,性能稳定、可靠。电路能在温度过高时准确地将系统关断,达到保护光源和液晶板的目的,最大限度地保证了投影机的使用寿命。     

0.13μm CMOS高精度过温保护电路的设计

采用0.13 μm CMOS工艺,设计了一款过温保护电路.芯片内部温度超过109℃时,产生过温保护信号,电路停止工作,从而起到保护作用.为了防止产生热振荡,采用滞回方式.设计实现了在109℃时关断,78℃时再次开启,有31℃滞迟.仿真结果显示,在电源电压波动或工艺参数变化时,过温保护电路的热关断及迟滞阈值点漂移最大误差仅为2℃,稳定性好.     

基于迟滞比较器的过热保护电路设计

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路。由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好。利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7 V时,过温保护阈值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制。当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作;温度降低至90℃时,芯片恢复工作。此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生。     

开关电源芯片中过温保护技术的研究与实现

在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上，利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理，设计了一种新颖的过温保护电路。该电路具有迟滞功能，并且关断和开信阈值可调，同时输入电压变化对温度门限的影响很小。仿真波形显示该电路工作性能优异。最后该电路应用在DC-DC芯片中，采用1．6μm BiCMOS工艺，完全满足芯片设计需要，具有很大的应用前景。     

一种基于电流比较的新型过温保护电路

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,提出了一种改进的高精度、低功耗、具有迟滞功能且结构简单的过温保护电路。在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能。阐述了过温保护电路的工作原理,基于先锋国际半导体公司的BiCMOS0.5μm工艺库模型进行电路设计,采用Hspice软件并用先锋国际半导体公司的BiCMOS 0.5μm工艺库模型对该电路进行模拟仿真。仿真结果表明:当外界温度达到137℃时,过温保护电路输出发生翻转,从而关断芯片内的其他电路,降低功耗,使温度降低。当温度降到120℃时,芯片回到正常工作状态,温度迟滞量为17℃,性能稳定可靠。     

一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路

设计了一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路。采用具有正负温度系数的电流相减,得到随温度变化更加明显的电流,经过电阻分压控制三极管的通断,并采用推挽反相器整形滤波后得到输出信号,实现了芯片过温关断和迟滞开启的功能。采用HHNEC BCD 0.35μm工艺,使用Cadence软件进行仿真验证。仿真结果显示,在各个工艺角及电源电压波动情况下,电路均能在芯片温度上升到170℃时关断、在芯片温度下降到140℃时开启,迟滞值为30℃(±2℃)。     

一种高灵敏度过温保护电路的设计

提出了一种应用于LED驱动器的过温保护电路。该电路的温度检测模块通过调节电流镜两条支路上的电阻比值来提高温度系数,输出级采用共源共栅结构,具有温度系数高、受工艺参数变化影响小、电压稳定好等优点。基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,采用Hspice软件对电路进行仿真,结果表明,温度检测模块的工作范围为－45 ℃~135 ℃,CTAT输出电压线性度良好,最大偏差小于2%。当电源电压为5 V时,负温度系数达到11.2 mV/℃,温度感应转变时间小于20 ns;该过温保护电路能较好地抑制电源电压波动引起的阈值点漂移,其漂移系数仿真值小于2.5 ℃/V。     

一种改进的高精度低功耗过温保护电路

为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,文中提出一种改进的高精度、低功耗,具有迟滞功能,结构简单的过温保护电路.基于JAZZ BCD 0.5μm工艺库模型,采用Cadence的Spectre仿真器进行模拟验证,结果表明:当温度超过140℃时,电路输出信号发生翻转,控制芯片停止工作;当温度降至118℃时,恢复芯片工作.在电源电压VDD工作范围2.9～6V内,过温保护阚值变化量为0.275℃,迟滞阚值变化量为0.225℃.典型工作状态下,电路的静态电流为46μA.因此该电路适用于各种电源管理芯片.