GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

SMB焊接的无缺焊设计

表面安装技术(SMT)是继印制电路通孔插装技术之后,在电路互连与组装方面出现的一个重大变革。本文介绍的表面安装印制板(SMB)焊接的无缺焊设计,是SMT中的一个重要环节,是提高SMB可靠焊接的重要保证。其内容选材侧重于实用技术,但也相应地介绍了一些基本原理和理论,以帮助读者如何设计表面安装元器件(SMC/SMD)以便达到SMB焊接的无缺焊设计。     

探索表面分析的新领域

在本系列文章的前三篇中,我们已经向你展示了商用表面分析技术在制造、微区和研究与开发材料特性表征中的能力。这些技术在将来会有什么作用?本文详细研究了现有技术的极限,介绍了一些有希望突破这些极限的新技术。     

快速三维表面测量

表面粗糙度是影响工件表面功能特性的一个重要参数,在工业实践中日益显示出它的意义,因为它反映了加工方法与材料特性参数关系中的状态和影响.为了保证产品的竞争能力,有必要不断研究特殊的功能特性,随之对工件表面的显微测量的重要性也在增加.     

一种Ku波段/毫米波波段独立双通带微型化频率选择表面

为了满足现代通信设备多频带及集成化要求,基于三屏耦合机制和双屏谐振机制,设计了一种在Ku波段和毫米波波段具有独立双通带、微型化和"矩形化"滤波特性的频率选择表面(FSS).根据物理结构分析了其作用机理,并采用矢量模式匹配法计算了其传输特性.结果表明:该结构单元尺寸仅为第一通带谐振波长的0.104倍,具有微型化特征;第二通带在42.6 GHz和49.6 GHz时出现双峰,在47.4 GHz时出现-0.828 dB的"浅谷",具有"矩形化"传输特性;两个通带间隔约30 GHz且相互独立,在0°~60°扫描范围内均具有良好的角度稳定性.这种多功能的FSS可以满足工程应用要求.     

碳化硅表面硅改性层的特性研究

为了获得具有高质量光学表面的非球面碳化硅反射镜,需对碳化硅反射镜表面进行改性。介绍了离子束辅助沉积硅的碳化硅表面改性技术。对改性样片表面硅改性层的机械性能、光学加工性、表面粗糙度及反射率等特性进行研究。实验结果表明,碳化硅表面的硅改性层具有优良的机械性能和良好的光学加工性。光学抛光后,碳化硅表面硅改性层的表面粗糙度为0.85nm[均方根(RMS)值],在可见光波段反射率最高可达98.5%(镀银反射膜)。采用数控加工方法对口径为Ф600mm的表面改性离轴非球面碳化硅反射镜进行加工,最终反射镜面形精度的RMS值达到0.018λ(λ=0.6328μm),满足高精度空间非球面反射镜的技术指标要求。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

表面分析技术在研究与开发中的应用

在本系列的第一部分中,我们说明了如何应用常用的分析手段来解决实际过程中的问题。在第二部分中,讨论了这些技术是如何运用的,并着重讨论了它们各自的空间分辨率。本文列举了一个又一个的例子,来表明表面分析技术的巨大威力。     

（Hg0.69Pb0.31）Ba2Ca2Cu3O8＋δ的表面分析研究

本文采用溅射中性粒卫质谱仪，俄歇电子谱仪和Ｘ光电子能谱仪研究分析了汞系超导材料的表面状况，其中Ｈｇ元素在超导体表面的ＨｇＯ和游离态Ｈｇ并存，Ｐｂ元素在超导体表面的富集等分析结果表明，汞系超导材料存在着表面不稳定性和表面钉扎效应的表面特性。     

一种实现微型频率选择表面通带开关的方法

微型频率选择表面（MEFSS）基于感性表面（金属栅格）与容性表面（间隔的金属环形贴片）之间的耦合机制实现带通滤波功能。采用全波分析矢量模匹配法精确计算了耦合介质的相对介电常数εr、厚度d对MEFSS传输特性的影响：εr由3.5变为2时中心频点高漂2.8GHz,d增加0.4mm时中心频点往低频漂移1.4GHz且透过率降低2.6dB。由此可见,通过控制耦合介质厚度能够实现MEFSS通带开关的功能：当耦合介质厚度增加1mm时通带中心频点透过率降低8.173dB。在覆铜的聚酰亚胺膜上复制光刻制备感性表面、容性表面并分别置于0.2mm、1.2mm厚泡沫板两侧采用自由空间法测试了其传输特性。计算与实验结果均表明：通过控制耦合介质厚度变化能够实现MEFSS通带开关的功能,为实现有源FSS提供一种新的方向。     

小辞典：（四）表面活性剂的性能

从本期起将陆续把与清洗技术有关的知识、概念按专题编辑，以小辞典的形式发表。希望对读者有所帮助，读者在学习过程中如果遇到不懂的概念也请告诉我们，必要时将编辑到今后的小辞典中发表。     

表面活性剂在P型锗片磨削工艺中的应用

由于锗材料具有优良的抗辐射性能,在航天领域获得了新的应用。在锗单晶片的磨削过程中,砂轮磨损产生的颗粒以及磨削下来的锗屑容易将砂轮阻塞,从而对锗单晶片表面的磨削纹路产生影响。通过试验,在去离子水管路上增加一条表面活性剂管路,可有效减少砂轮阻塞现象,降低砂轮修整的频率,提高了锗磨削片的表面质量。     

（Hg_（0．69）Pb_（0．31））Ba_2Ca_2Cu_3O_（8＋δ）的

本文采用溅射中性粒子质谱仪（ＳＮＭＳ），俄歇电子谱仪（ＡＥＳ）和Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究分析了汞系超导材料的表面状况，其中Ｈｇ元素在超导体表面的ＨｇＯ和游离态Ｈｇ并存，Ｐｂ元素在超导体表面的富集等分析结果表明，汞系超导材料存在着表面不稳定性和表面钉扎效应的表面特性。     

激光表面织构化对电子标签粘接性能的影响

采用激光对ABS塑料板待粘接表面进行激光表面织构化,以研究其对电子标签粘接性能的影响。采用纳秒脉冲激光处理待粘接表面,在激光共聚焦显微镜下观察激光表面织构化前后基板的表面形貌,并分析激光表面织构化前后基板表面粗糙度变化,利用微机控制电子万能试验机检测激光表面织构化后其粘接表面的结合力,研究激光表面织构化对其表面形貌、表面粗糙度及结合力的影响规律,从而确定最佳激光表面织构化工艺参数。激光表面织构化可有效的提高待粘接表面粗糙度,激光表面织构化后基板的表面粗糙度较未处理前的0.077μm提高到1.222μm;激光表面织构化后的粘接力可到达35.5 N,较未处理表面的11.2 N提升了217%。最终确定最佳的激光表面织构化工艺为激光功率200 W,扫描速度6900 mm/s,重复频率50 kHz,脉冲宽度270 ns,填充线间距0.15 mm。最佳激光表面织构化工艺大幅度提高了材料的表面粗糙度,这使材料的粘接性能显著提升。     

表面安装技术的最新发展

随着电子技术的发展,电子设备日趋小、轻、薄型化、高性能、高可靠和智能化,适应电子设备组装技术革新的表面安装技术也应用而生。介绍了表面安装技术的特点、内容以及发展趋势。     

表面组装技术

一、前言 最近,表面组装技术普遍引起人们的注目。据今年三月日本印刷电路工业协会的调查报告,分立器件的表面组装率已达37％,估计在以后的三年中,将达到50％以上;有关集成电路器件也将和分立器件一样达到同等程度的表面组装化水平(表Ⅰ)。另外,这些表面组装器件的使用范围,以往是以民用     

红外区表面电磁波（IRSEW）技术

本文简要介绍了表面电磁波(Surface Electromagnetic Waves,简称SEW)的基本原理,红外表面电磁波的产生方法,它在光滑金属表面的传播及表面状况对传播长度的影响,最后指出它在表面无损检测中应用的可能性及前景。