陶瓷介质在微波技术中的应用

本文概述微波介质陶瓷材料的发展过程,着重介绍了微波介质陶瓷材料在微波技术中的应用.     

高Q微波介质陶瓷材料D3的研制

本文介绍了高Q微波介质陶瓷材料D3的研制成果。较详细地叙述了该样品制备过程中各种工艺的选择及控制方法。并列出用这种工艺制备的微波介质陶瓷材料D3的微波性能和测试方法。通过本文列举的利用D3材料制成的10．5GHz介质谐振器滤波器和8．3GHz介质谐振器振荡器的性能指标，说明该在X波、K波段制作介质谐振器振荡器、介质谐振器滤波等方面将被广播地采用。     

微波介质陶瓷介电常数测量的简单方法

应用等效网络法分别测量了空气、聚四氟乙烯及微波介质陶瓷材料片状试样的介电常数。理论分析计算与实验结果表明,该方法在无损测量片状微波介质陶瓷材料试样的介电常数中是可行的,且有模型简单、计算量小、精度较高及操作容易等特点。是一种无损测量片状微波介质陶瓷材料介电常数的简单方法。     

Ba(B'1/3 Ta2/3)O3微波介质陶瓷的研究进展

微波介质陶瓷是制作微波器件的关键材料。具有复合钙钛矿结构的Ba(B'_1/3 Ta_2/3)O₃(B'=Mg、Zn)型微波介质陶瓷在微波毫米波频率下具有较高的品质因数,是现代微波通信技术中被广泛应用的微波陶瓷材料。文中介绍了近年来此类微波介质陶瓷的发展与研究现状。     

高Q值、高稳定微波介质陶瓷材料制作方法的研究

为了研制一种高Qf值、高稳定性的微波介质陶瓷材料,在理论分析的基础上,通过对XCaO YLa2O3 ZAl2O3WTiO2材料组分重组,结合改进工艺实验方法,使介质陶瓷材料的Qf值、稳定性得到明显改善,从而确定了生产适合高频大功率微波器件用介质陶瓷材料新工艺方法。     

微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系

微波介质陶瓷材料的三个主要参数相对介电常数εr、品质因数Q和谐振频率温度系数之间存在一定的关系。采用一维双原子线性振动模型,分析了微波介质陶瓷材料的εr、Q影响因素和它们之间的相互制约关系;采用Clausius-Mosotti方程,分析了谐振频率温度系数的影响因素以及它和εr之间的相互制约关系。讨论了提高高介微波介质陶瓷材料性能的途径,发现采用同电价质量较轻的离子取代,在基本不影响介电常数的情况下具有提高材料的Q·f值的可能性。     

A位Sm取代对BiNbO_4陶瓷烧结及微波介电性能的影响

就Sm部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响进行了研究。实验结果发现,随Sm取代量的增加,BiNbO4陶瓷的烧结温度升高,其晶相组成及微波介电性能也随之改变。通过适量的取代,可以获得各项性能均较优异的微波介质陶瓷材料组成。     

微波介质陶瓷材料的发展

本文系统地回顾了微波介质陶瓷材料的发展过程,比较详细地介绍了各种微波介质陶瓷材料,探讨了微波介质陶瓷材料今后的发展方向。     

铁氧体金属化技术在微波介质器件中的应用

提出一种铁氧体金属化方法,解决了微波介质器件中铁氧体容易脱落的问题,为微波介质器件的发展开辟了一个新的方向。     

高Q中介微波介质陶瓷的研制

用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca(Zn1/3Nb2/3)O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分都具有良好的微波介电性能:εr为45～50,Q·f0>38000GHz,τf<10×10–6℃–1。     

（Pb,Nd）（Ti,Mn,In）O3陶瓷的微波介电性质

近年来，越来越多的具有高介电常数和低介质损耗的陶瓷介质用于微波领域。（Ｐｂ，Ｎｄ）（Ｔｉ．Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷是一种新型的微波介质材料。在本文中，作者致力于（Ｐｂ．Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷的微波介电性质的研究，并且讨论了Ｍｎ含量对微波介电性质的影响。     

一种微波介质谐振器复介电常数测试方法

介绍了一种简单的微波介质谐振腔的设计及性能参数的计算方法，给出了相对介电常数ε1、介质损耗tan δ的详细求解方程，为微波介质陶瓷性能参数的测量提供了一种简单而有效的方法。     

纳米粉体对低温烧结CMS微波介质陶瓷的改性

在低温烧结的CaO-MgO-SiO2(CMS)陶瓷中,引入粒径为50～100nm的Ca0.7Mg0.3SiO3纳米粉体,研究了纳米粉体对陶瓷烧结行为和介电性能的影响。研究发现:添加质量分数为5%的纳米粉体能有效促进陶瓷的烧结,拓宽其烧结温度范围,提高其微波介电性能。在890℃烧结后得到良好的介电性能:εr=9.31,Q·f=22574GHz。通过对电镀前后性能的对比发现,添加适量纳米粉体,可消除陶瓷中的大气孔,有效防止电镀过程中电镀液渗入陶瓷体,从而大大改善电镀后陶瓷的介电性能。     

LTCC低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

简述了Al2O3系、MO-SiO2(M=Ca,Mg,Zn)系、MO-TiO2系等相对介电常数为6～30的低温共烧陶瓷(LTCC)的结构和微波介电性能,介绍了自主研发的Al2O3系和Mg5(Zn,Ti)4O15系材料制作的多层陶瓷电容器(MLCC)的电性能。分析和讨论了目前LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,提出了其发展方向。     

掺杂Bi_2O_3对Ba_4Sm_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷性能的影响

以Ba4Sm28/3Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Bi2O3进行协调改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yBiy)28/3Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Bi2O3能很好地把Ba4Sm28/3Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降低至1260℃,当y=0.15时,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:εr约为81,tanδ约为5×10–4,τf为–21×10–6℃–1。     

A位非化学计量对BiNbO4陶瓷性能的影响

为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响,对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究,结果表明,A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长,使其烧结温度降低,烧结样品的晶相组成仍为正交-BiNbO4相,微波介电性能有所改善;A位Bi过量对BiNbO4陶瓷的烧结性没有明显影响,Bi过量达0.030时,烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3O15第二相产生,样品的微波介电性能急剧恶化。     

Zn位非化学计量对BaNb_(0.69)(Zn_(0.116)Co_(0.217))O_3微波介电性能的影响

采用传统固相反应法制备BaNb0.69[Zn0.116(1+0.025x)Co0.217]O3(BCZN)(x=0～4)微波介质陶瓷。研究了Zn位离子的微量添加对BCZN陶瓷性能的影响。结果表明:少量添加Zn,可以促进烧结致密化,改善BCZN陶瓷的介电性能。在1300℃下烧结3h,可以获得τf近零,介电常数εr为33、Q·f为51322 GHz的陶瓷。     

微波陶瓷凝胶注模成型工艺研究

研究了微波陶瓷凝胶注模成型工艺，包括浆料制备，成型工艺及用微波介质陶瓷制备成介质柱谐振器，观察了介质陶瓷的微观形貌，用Hakki-colernan开式腔圆柱介质谐振法对其性能参数进行测量，并与用干压成翌壬艺制备的样品进行比较分析，得出用凝胶注模法用于制备微波陶瓷（Ba6-3x（Sm1-y Ndy）8＋2x Ti18 O54），与干压法制备的样品有相当的介电常数，而无载品质因数值略高，且样品致密、缺陷少，组分更为均匀。     

新型低介微波介质陶瓷的结构及性能

介绍了相对介电常数低于15的四种低介微波介质陶瓷材料系列(R2BaCuO5(R=Y,Sm,和Yb等)系、Al2O3系、AWO4(A=Ca,Sr和Ba)系和Zn2SiO4系等)的结构和微波介电性能,并指出其目前普遍存在的问题和发展趋势。