共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

TCLL多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术制造多层微波互连基板,可以研制出高密度的T/R组件.讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点.     

LTCC曲面基板制造技术

电子电路曲面结构对于实现结构功能一体化有重要应用意义。针对LTCC多层电路基板,提出了一种曲面结构基板的加工制造方法。介绍其制造中曲面结构导体制作、曲面结构成形、曲面结构烧结等环节的关键制造工艺。通过X光和剖切方式对所制造的曲面基板进行测试分析,结果证实曲面基板中的多层布线均连通,且层间对位精度优于15μm。提出的曲面LTCC基板制造技术能够满足后续产品的研制加工要求,对于曲面电子技术和LTCC技术的发展都具有借鉴意义。     

多层陶瓷基板制造新技术

采用CuO浆料为布线导体材料是制造多层陶瓷基板的新技术。应用该技术不仅能彻底除去浆料中的有机粘结剂,而且容易控制各工序中的气氛。制成的Cu多层陶瓷基板性能非常良好,特别适合高速电路等的高密度化应用。制造成本低,有利于批量生产和推广应用。本文概述了CuO多层陶瓷基板材料及其制造技术,分析了各工艺对基板性能的影响,确定出了最佳技术条件。该技术的开发成功,极大地促进了各种电子装置的高密度、超小型化。     

内置电容基板及制造技术探讨

对平面埋置电容多种型号基板材料进行了性能及特点介绍。运用传统FR-4基板制造技术,结合挠性基板制造特点,针对实现平面埋容多层印制电路板加工技术,进行了阐述。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

埋置型薄膜多层布线技术研究

埋置型薄膜多层布线基板与其它多层布线基板相比有更高的集成度。本文讨论了埋置型薄膜多层布线基板制造工艺中的技术问题及解决措施。并成功地在埋置双层混合电路中进行了应用。     

低温烧成多层陶瓷基板

低温烧成多层陶瓷基板被作为第五代电子元件组装用基板而受到极大重视。本文概述了该基板的开发情况,介绍了它的制造技术,扼要分析了这种基板的主要性能,简述了基板的应用情况。实践表明,要制成性能优异的基板,除了选择合适的材料,采用先进的工艺技术和进行严格操作外,还要解决多层基板高密度、高强度、高绝缘、降低膨胀系数以及控制收缩等许多技术问题。     

微波器件高频多层板制造工艺研究

随着现代通讯技术的飞速发展,高频基板材料、以及高频基板材料印制板的制作工艺技术,成为现阶段业界同仁关注的焦点。本文就,高频多层印制板制造用原材料-泰康利公司高频介质材料TSM-DS3,进行了性能及特点介绍。在此基础上,对选用此类高频介质基板材料及半固化片Fast Rise-28,制造高频多层印制板的工艺技术,进行了较为详细的介绍。最后,还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述,其中包括有TSM-DS3-50OHM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、高频材料的多层化实现技术变形控制技术、多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术、以及多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。     

LTCC基板制造工艺研究

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是制造复杂微电子产品多芯片组件（ＭＣＭ）的重要部件。详细地讨论了ＬＴＣＣ基板制造工艺，介绍了多年研究之经验及国外的有关技术，还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。采用目前工艺，可做出２０层布线、线宽及间距均为０．２０ｍｍ、８０ｍｍ×８０ｍｍ的多层共烧基板     

Integrated RF architectures in fully-organic SOP technology

Future wireless communications systems require better performance, lower cost, and compact RF front-end footprint. The RF front-end module development and its level of integration are, thus, continuous challenges. In most of the presently used microwave integrated circuit technologies, it is difficult to integrate the passives efficiently with required quality. Another critical obstacle in the design of passive components, which occupy the highest percentage of integrated circuit and circuit board real estate, includes the effort to reduce the module size. These issues can be addressed with multilayer substrate technology. A multilayer organic (MLO)-based process offers the potential as the next generation technology of choice for electronic packaging. It uses a cost effective process, while offering design flexibility and optimized integration due to its multilayer topology. We present the design, model, and measurement data of RF-microwave multilayer transitions and integrated passives implemented in a MLO system on package (SOP) technology. Compact, high Q inductors, and embedded filter designs for wireless module applications are demonstrated for the first time in this technology.     

硅衬底上异质外延生长硅化钴研究进展

综述近年国内外在CoSi2／Si异质外延生长技术领域的研究进展,在半导体衬底上异质外延具有优良导电特性的金属硅化物,从基础研究和技术发展两方面都具有重要价值。利用Co／Ti／Si多层薄膜固相反应实现CoSi2／Si异质外延,是近年取得重要进展的新方法。应用这种方法在（111）和（100）硅衬底上都可实现CoSi2外延生长,无需在超高真空下进行,与硅器件基本工艺相容性好,可形成自对准硅化物接触结构,对发展新器件制造技术有重要作用。在简要介绍分子束外延和离子合成CoSi2外延薄膜生长技术后,重点介绍和评述新型固相异质外延方法的工艺技术、机理和应用研究进展。     

AlN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展,已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一,由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点,在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制,阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点,如粉料配制、流延、层压、烧结等,对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试,结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

液晶聚合物多层基板特性及应用

介绍了液晶聚合物(LCP)多层基板的工艺实现方法,在LCP多层基板上制作了阻抗变换器、谐振器等微波无源器件,针对频率较高时传统威尔金森功分器遇到的布线困难和隔离电阻难以实现的2个问题,提出了2种改进的功分器结构并用LCP多层基板实现,测试结果说明了设计思路的正确性和LCP多层基板的可用性。     

双面铝基板的层压工艺

双面铝基板的层压加工有别于目前普通的FR4多层板的层压生产,属于一种特殊工艺,主要原因就是它的层压结构有所不同。此文主要介绍了双面铝基板的层压加工的控制要点。     

A Novel Multilayer Partial H-Plane Filter Implemented With Folded Substrate Integrated Waveguide (FSIW)

A novel multilayer partial H-plane filter is proposed using folded substrate integrated waveguide (FSIW) and fabricated based on a standard LTCC technology. Evanescent SIW sections are utilized to form coupling structures, and no additional via-holes are introduced except those composing the filter boundaries, with its tolerance sensitivity reduced. The measured and simulated S-parameters of the filter samples are presented to show their superior performance, and good agreements are achieved between them.      

一种新型高效收发组件的研究与设计

对多层微波数字复合基板和宽禁带高效电路进行了研究,并设计了一种基于高效宽禁带器件和多层微波数字复合基板技术的收发组件。该收发组件的发射功率大于10W,发射通道射频功率效率超过60％,大大高于传统收发组件的效率。     

靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响

为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料，改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备，开发了由真空热预处理，非真空热后处理二种处理新工艺，制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶，使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级，而清晰度（分辨率）保持不变，介绍了CdSe蒸发工艺对靶面特性的影响。     

毫米波系统级封装中的基板功能化实现

阐述了毫米波系统级封装( SOP)架构中基板功能化的概念、作用及实现方法。提出了利用低温共烧陶瓷( LTCC)技术,在SOP多层陶瓷基板中一体化集成多种无源电路单元,使封装基板在作为表面贴装有源芯片载体的同时,自身具备相应的无源射频功能。最终通过设计实例的仿真、加工及测试对比,验证了在SOP架构下实现封装基板功能化的可行性,及其所具有的良好的射频滤波、层间信号互联、射频接口过渡等电气性能。