熔断电阻自动测试设备研究

为了解决熔断电阻器测试过程中人工因素影响大,测试结果离散性大的问题,提出一种熔断电阻器自动测试设备的设计方案,通过采用智能化设计,让设备自动地测量待测电阻的阻值,并加载所要求的测试电流,有效地解决了以上问题。与传统测试设备相比,熔断电阻自动测试设备具有测试精度高,重复性好,操作简便,可靠性高等多种优势。     

双功能熔断电阻器

系统扼要地介绍在线路中对过负荷起保护作用，且具有通用电阻器功能的熔断电阻器的类型和要求，并提出熔断电阻器的发展方向。     

大电流键合金丝熔断能力模拟分析

光纤通信用半导体激光器正朝着微型化、集成化方向飞速发展。激光器的集成化会产生大量的热量,为保证激光器的正常工作,就需要用制冷器来控制温升。当激光器通过金丝给制冷器供电时,金丝必须能持续通过几安培的直流电流而不至于熔断,所以金丝的热分析及热熔断实验就非常有必要。在金丝熔断电流理论分析的基础上利用ANSYS软件对金丝进行热模拟分析,并经过实验验证找出2.0 mm金丝工作时的熔断电流,对制冷型激光器的研制有直接指导意义。     

金属膜保险丝电阻器

这种电阻器适用于彩色电视接收机的行输出、帧输出电路中,在额定功率下是一种性能良好的电阻器,而在异常过荷时即迅速熔断,分别对行输出变压器、行输出管和帧输出管起到保护作用.本产品已由上无一厂试制成功,其性能达到了国外同类产品的水平.本产品规格和性能如下所列:额定功率:0.25瓦容许误差:J(±5%)额定温度:70℃阻值:1欧,2.2欧,10欧色标:白色1欧,红色2.2欧,黑色10欧温度系数:≤±500ppm/℃熔断特性:1欧电阻器在流过2.8安(交流)以上电流时,10秒钟以内其阻值为试验前的400倍以上.     

熔断电阻器的熔断特性

介绍熔断电阻器的熔断特性及影响熔断特性的因素。     

介绍一种片式厚膜熔断电阻器

介绍一种片式厚膜熔断电阻器膜层熔断区域的形状,当功耗增加到4W时,电阻体中心的温度;电阻膜层所用材料;压变效应;并讨论这种电阻器的稳定性。     

压敏电阻器的电阻值

压敏电阻器是一种限压型非线性电阻器,主要用于抑制浪涌过电压。通常不用电阻值而用电压(压敏电压、限制电压)或电流(漏电流、最大脉冲电流)来描述它的特性。但是,在有些问题中,例如在压敏电阻器的冲击电流试验中,要考虑它与冲击电流发生回路的匹配问题,这时用电阻值这个参数就更为方便。根据作者在研制压敏电阻器测试仪器中所进行的实验,对压敏电阻器的电阻值这个参数作一些讨论。     

共沉淀法制备ZnO压敏电阻复合添加剂

利用化学共沉淀法制备zn0压敏电阻器复合添加剂,讨论了新方法对ZnO压敏电阻器电学性能的影响.实验结果证明,合理的共沉淀配方.可以显著提高ZnO压敏电阻器的8/20μs通流能力以及2ms能量耐量值,并且对小电流性能也有部分提高.     

熔断线绕电阻器研制浅析

简要介绍了熔断线绕电阻器的特点、性能指标、应用及发展,阐述了如何对关键技术指标的解决方法。文中提出的观点为研制出综合能力更强、性能更好、成本更低、应用面更广的电阻器打下坚实的理论依据。     

溅射工艺对金属膜电阻器阻值及性能的影响

溅射工艺影响金属膜电阻器的阻值和性能。讨论了阴极溅射原理,阴极溅射与辉光放电密切相关,实验结果表明,最佳溅射电流是0．15A,溅射时间是2h。     

厚膜熔断器的电气特性模拟

利用ANSYS软件建立了高性能厚膜熔断器的有限元模型,并对其在正常工作状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,得到熔断器引脚温升为65.30℃,电阻为0.05719Ω,发热功率为0.91504W等参数,并进行了实验验证。结果表明:实验和数值模拟的误差率为3.00%~4.00%,为熔断器的设计制造提供了方法和理论依据。     

电阻阵列动态红外景像产生器

基于微机械加工技术发展起来的电阻阵列是动态红外景像产生器的一种。它可在半实物（HWIL）仿真系统中用来对红外摄像机、导弹寻的器以及各种红外探测系统的实时性能进行测试和评估。电阻阵列是以电阻元件为微辐射元,当电流流过时,电阻元产生热量,从而产生红外辐射。通过控制流过每个电阻元的电流就可以控制每个电阻的温度,从而达到显示红外图像的目的。电阻阵列具有其他红外景像产生器所不具有的特点,低功耗、大温度范围、高分辨率、高占空比等,适合于各种红外目标的模拟。文另介绍了其基本原理、发展现状、关键技术及发展动态等,给出了一些器件的典型参数。     

微桥电阻的辐射特性研究

随着微机械加工技术的发展,电阻阵列成为一种最具发展潜力的动态红外景象产生器。在半实物（HWIL）仿真系统中,它被用来对红外摄像机、导弹寻的器以及各种红外探测系统的实时性能进行测试和评估。电阻阵列采用电阻元作为其微辐射元,当电流流过时。电阻元产生热量进而产生红外辐射。通过控制流过每个电阻元的电流就可以控制电阻的温度,从而达到显示红外图像的目的。介绍了利用表面微机械加工技术研制的电阻阵列基本组成单元——微桥电阻的辐射特性．主要包括：微桥电阻介质膜红外光谱辐射率、等效黑体辐射温度以及温度分辨率等,并通过分析得出该微桥电阻具有低功耗、高等效黑体辐射温度的特点。能够满足中波和长波红外目标模拟的需要。     

DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。     

绕线式异步电动机转子串电阻电抗起动方法的探讨

根据异步电动机的T型等效是路对应的电流方程、电磁转矩方程系统转矩平衡方程，用数值方法通过实例计算了转子串电阻-电抗起动和转子串绕电阻起动两种情况下的起动电阻、起动时间和起动过程的能量损耗，通过对比分析计算结果得出了明确结论。     

MOS电阻阵下红外诱饵模拟仿真

为了能达到验证红外制导导弹对抗红外诱饵性能的目的,需要在半实物仿真过程中逼真地模拟红外诱饵在实际红外对抗场景中的能量变化和运动形式,即红外诱饵被投放后辐射变化以及其与目标的分离形式,为此利用MOS电阻阵进行红外诱饵模拟仿真研究。现有国产MOS电阻阵不小于200 Hz的刷新频率,不小于300℃的等效黑体温度能很好地复现红外诱饵燃烧时剧烈的能量变化,同时通过红外诱饵建模理论建立基础仿真运动模型,并且基于外场采集数据对所建立的红外诱饵运动模型进行修正,主要是对红外诱饵运动轨迹进行修正。最后,采用MOS电阻阵动态红外场景渲染和驱动软件完成红外诱饵的模拟。     

Dynamic electrothermal simulation of integrated resistors at device level

This paper presents the dynamic electrothermal simulation of a rectangular resistor integrated on a semi-conductor substrate. Due to the temperature dependence of the electrical conductivity of the resistive sheet, self-heating provokes a coupling between the electrical and thermal problem and gives rise to nonlinear phenomena. We introduce a time stepping iterative method to perform the calculations. The electrical and thermal solvers are based on FEM and Green's functions techniques, respectively. An extensive dynamic analysis of the device will be presented. The results include heating and cooling curves, Nyquist plot (complex locus) of the thermal impedance, time constant spectrum and structure function. Comparisons with the linear case, i.e. a temperature independent resistor, are made and accompanied by analytical approximations if possible. One key observation is that the nonlinearity may easily be overlooked: its detection is only possible in particular characteristics.     

On the temperature behavior of the logarithmic integrated circuit current source

The logarithmic constant current source in silicon integrated circuit form has been analyzed in detail. It is shown that the temperature behavior is critically dependent on the voltage developed across the emitter resistor of the source transistor. This resistor value can be chosen so as to over, under, or perfectly temperature compensate the current source. The results are used to design a current source and are verified by computer simulation.     

一种解决HBT功率器件热失控的新方法

提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析.基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中晶体管的电流,使高温HBT的热量向低温HBT传递,获得更为均匀的温度分布,较好...