MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.     

光纤对接波导阵列的自对准技术

自对准技术是一种新的光纤与波导的对准技术,它更适宜光纤、波导阵列的对接。这种方法是利用V型槽的硅片与波导表面重叠调整而实现。它消除了角调整,化6维调节为2维调节。自对准V型槽的参数设计及腐蚀必须十分精细,它也是自对准技术的关键。     

准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制

对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.     

准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制

对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件. 文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.     

具有对接的内部分布布喇格反射波导的GaInAsP/InP集成激光器

<正> 本文提出了一种具有对接的内部分布布喇格反射波导(缩写为BJB-DBR)的新型GaInAsP/InP集成激光器,并进行了实验。理论分析表明,在这种结构中通过使两个波导的传播常数和场分布相匹配,可以在有源区与对接外波导之问得到98％的有效耦合,从而给出较大的制造公差。已制造出发射波长为1.55μm的BJB-DBR集成激光器样品,并在室温下     

基于周期极化晶体的QPM-SHG技术发展及其应用

随着新型高质量的非线性晶体的出现,准相位匹配技术成为非线性频率变换的最有效的方法。从周期极化晶体准相位匹配二次谐波发生器（QPM-SHG）的基本原理出发,简要介绍了实现周期极化晶体的方法和技术,总结了准相位匹配技术在光子学微结构晶体材料和波导材料中的最新研究进展和发展趋势,展望了用微结构波导QPM-SHG实现飞秒光纤光源的发展应用前景。     

光纤耦合声光Ti:LiNbO3波导器件的研究

波导型声光调制器作为高功率全光纤调Q激光器中的调制器件,光纤与器件对接耦合损耗大是影响其性能的主要因素。通过分析波导端面的Ti条半宽度与光波导模场分布的关系,计算出Ti∶LiNbO3锥形光波导与光纤耦合损耗最小时对应的最佳Ti条半宽度。分析得到Ti∶LiNbO3波导端面的Ti条半宽度对耦合损耗的影响,以及光波导的不同切型对最佳Ti条半宽度的影响。     

光纤耦合波导器件中光波导深度的研究

声光波导光开关可以作为高速光通信网络中的开关器件,其中光纤-器件对接耦合损耗大是影响其性能的主要因素.从光波导模场椭圆度和不对称度对模场失配引起的耦合损耗出发,计算Ti:LiNbO3波导与光纤耦合损耗最小时对应的最佳Ti离子扩散深度.分析得到不同切型的Ti:LiNbO3,波导中扩散深度、光纤模场半径对耦合损耗的影响.结果表明,y切Ti:LiNbO3波导耦合损耗约为z切波导的3倍.研究结果为共面型声光波导调制器中光波导制作参数的设计提供帮助.     

SiO2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究

研究了等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）的光波导膜层的光学特性,论述了沉积工艺参量和退火处理对膜层性能的影响,优化工艺获得了高质量的波导膜层,成功设计制作了在1 550nm中心波长损耗低于0.1db/cm的平面光波导和阵列波导光栅（AWG）器件。     

对接波导的缝隙耦合特性

本文介绍由长缝隙耦合的端头对接的波导接头的电特性。利用伽略金法求解缝隙口面上等效磁流,获得散射场及其等效参量的通用表达式。波导尺寸,缝隙尺寸和位置是任意的。给出了数值计算实例和实验数据,二者相吻合。