光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

电子束光刻技术与图形数据处理技术

介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。     

电子束曝光技术发展概况

电子束曝光技术是近30年来发展起来的一门新兴技术,它集电子光学、精密机械、超高真空、计算机、自动控制等近代高新技术于一体,是推动微电子技术和微细加工技术进一步发展的关键技术之一,电子束曝光技术已成为一个国家整体技术水平的象征。先进的电子束曝光机主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光。电子束曝光技术广泛地应用于高精度掩膜、移相掩膜及X射线掩膜制造;新一代集成电路的研究及ASIC的开发;新器件、新结构     

液晶光学相控阵子阵列寻址电极的加工工艺

基于液晶光学相控阵(LCOPA)电极基板的子阵列连接方案,利用电子束直写和激光直写混合光刻技术,进行了通光区域电极条纹、外围电路和子阵列联络孔的微纳米加工工艺研究。结果表明利用激光直写技术,可以形成最小线宽0.5μm的液晶光学相控阵电极图案,曝光时长48 min,具备可制造性。利用富含导电颗粒的SX AR-PC5000/90.1涂层,可以有效解决电子束在绝缘玻璃基底上直写时由电荷积累所产生的电子束曝光场拼接偏移与火花放电等问题,保证了电子束直接曝光子阵列电极上下导电层之间的联络孔套刻精度。利用特定电子束直写对准标记,解决了绝缘体表面在混合光刻中套刻对位精度问题。     

国外半导体微细加工设备发展动向

1 曝光设备 由于集成电路由1M向16M进而向256M的方向发展,要求图形线宽跟着进一步缩小。以前较为流行的看法是光学曝光只能用到1μm,进入亚微米以后必须使用电子束等其它曝光技术,但是随着准分子激光光源的出现。光学曝光已突破1μm的禁区。因此,目前亚微米领域     

电子束和 X 射线曝光的发展概况

<正> 随着集成电路的高度集成化和大功率微波晶体管的发展,芯片图形越来越复杂,线条越来越细,传统的紫外曝光由于衍射效应的影响,已不能满足亚微米微细加工的需要,因此必须对原有的光刻法作重大的改革或采取新的技术。光学投影曝光已逐渐取代了过去的接触式紫外曝光;近年来远紫外线光刻又以其廉价和简便的特点迅速走向实用;从60年代至70年代,国外在电子束曝光和 X 射线复印方面的研究更为普遍。本文着重介绍国外电子束与 X 射线光刻的发展情况、目前水平和可能的发展趋势。二、电子束曝光     

VLSI曝光技术的现状与未来

本文简要介绍了用于超大规模集成电路微细加工的各种曝光技术，包括光学方法，电子束、离子束和Ｘ射线技术。比较了它们的优缺点，综述了国际上近年来在这些光刻技术方面的进步以及今后的发展趋势。     

第37届(1993)国际三束会议及顺访美国FEI公司

1.1 会议概况 国际三束会议是由美国真空学会(AVS)、美国电机和电子工程师学会(IEEE)、美国光学学会(OSA)联合举办的学术性年会。会议主要内容为电子束、离子束、光子束(三束)的科研、技术、工程和应用,涉及电子束技术、离子束技术、光学曝光和X射线曝光技术、微米和纳米加工、纳米结构和纳米器件、干法刻蚀和薄膜淀积、计量测量和诊断、电子离子光学、三束引起的化学物理过程等方面。这些内容直接应用于微电子学(硅集成电路)、     

大屏幕彩色显像管电子枪聚焦性能分析

电子枪聚焦性能是由电极结构决定的，本文通过计算机模拟的方式对3种典型的用于大屏幕彩色显像管电子枪的为形貌进行了系统的模拟，对各电子枪聚焦特性进行了分析和比较表明电子束形成区，主透镜结构对屏幕中心，角部的着屏光点及不同电流下了聚焦的稳定性都有较大的影响。     

光纤混色技术在大屏幕激光显示中的应用研究

简要介绍了大屏幕激光显示系统的原理，并且对利用光纤混色和分光镜混色进行了分析对比，详细阐述了光纤混色过程中对光纤的选择、端面处理、耦合条件及透镜的选择，指出光纤混色技术在实际大屏幕激光显示中的应用前景。     

偏转对电子束上屏束径的影响

彩色显像管中，电子束经偏转系统偏转后在屏的边角处的尺寸比中心部分尺寸大。为了解决偏转散焦，日本松下公司推出了ＤＡＦ枪。然而随着ＨＤＴＶ的发展，电子束束流和偏转角都越来越大，此时仅靠调节动态聚焦电压不能完全补偿过聚焦以及大束流下空间电荷效应的影响。本文研究了大束流、大偏转角情况下造成偏转散焦的原因，提出在调节动态聚焦电压的同时适当改变电子束进入主聚焦透镜的入射角，从而改善电子束经偏转后的上屏质量。     

用CCD测量彩色显像屏特性的光学成像系统设计

本文讨论了彩色显像管色纯漂移，电子束着屏误差，失会聚量测试用的光学成像系统的光路特点、设计原则、放大倍率的选定及光路选型及像差校正方法。     

动态聚焦技术及动态聚焦电子枪

截至目前，动态聚焦技术是改进大屏幕、大偏转角显像管边角分辨率和高清晰度彩色显示管分辨率均匀性的最有效方法。本文介绍与讨论了在荧光屏边缘处电子束点畸变原因以及几种典型动态聚焦电子枪的结构与性能。     

Three-dimensional analysis of cathode ray tubes for color television

Three-dimensional computer simulation demonstrates the principles used in the design of electron guns for color television tubes. A deformable-mesh finite difference analysis provides the electron trajectories from the cathode to the center of the screen. At the screen, the dimensions of the spot are obtained from the edge trajectory and from profiles of the current in the beam. Comparisons with measurements for three tubes show that the aspect ratios of the horizontal and vertical spot diameters agree within 14 percent or better. The computed beam currents are accurate to about 10 percent, and the optimum focus voltages to within 200 V.     

大功率AlInGaP红光LED的电子束辐照效应

通过实验研究和蒙特卡罗模拟方法,针对大功率AlInGaP红光LED开展了电子束辐照效应方面的研究。运用CASINO程序详细分析了电子束在LED芯片中的射程和能量损失分布,利用电子束辐照设备研究并总结了大功率AlInGaP红光LED在不同能量和剂量的电子束辐照条件下的光通量和光功率的变化表现为剂量效应。结果表明:在带电粒子辐照过程中,入射粒子与材料内部原子会发生弹性碰撞及电离作用,在AlInGaP材料内部引发结构缺陷形成色心。     

相位屏法仿真海洋湍流激光传输特性有效性

海洋湍流是制约水下激光通信应用的重要因素之一,相对于大气湍流,海洋湍流在较短距离内即可达到强起伏,针对强湍流传输特性及数值仿真的可靠性验证具有重要意义。基于大气湍流传输特性理论公式,利用大气湍流参数等效表达海洋湍流的方法给出了弱起伏到强起伏条件下海洋湍流传输特性的理论计算公式。针对相位屏法在海洋湍流仿真中的应用,给出了选取相位屏间距、网格尺寸和网格数目的基本要求,并数值仿真了海洋湍流不同参数条件下的传输特性,与理论计算结果进行了对比。结果表明:基于相位屏法得到的光强一阶矩传输特性参量与解析结果较为一致,但是在强闪烁条件下数值仿真光强闪烁特性与理论结果偏差较大。     

HB2电子枪中空间电荷效应的研究

以阴极射线管(CRT)为例,研究了在不同发射电流下空间电荷效应对荧光屏上电子束点大小的影响。研究结果显示,当阴极电流大于1mA时,空间电荷效应开始起显著作用,而当阴极电流小于1mA时,空间电荷效应的影响逐渐减小,以致可以不考虑。此外,除了空间电荷效应最严重的阴极区外,主透镜区和漂移区的空间电荷效应相对预聚焦区较为显著。     

Resolution, overlay, and field size for lithography systems

Resolution, overlay, and field size limits for UV, X-ray, electron beam, and ion beam lithography are described. The following conclusions emerge in the discussion. 1) At 1-µm linewidth, contrast for optical projection can be higher than that for electron beam. 2) Optical cameras using mirror optics and deep UV radiation can potentially produce linewidths approaching 0.5 µm. 3) For the purpose of comparing the resolution of electron beam and optical exposure, it is useful to define the minimum linewidth as twice the linewidth at which the contrast of the exposure system has fallen to 30 percent. 4) X-ray lithography offers the highest contrast and resist aspect ratio for linewidths above about 0.1 µm, but for dimensions below 0.1 µm, highest aspect ratio is obtained with electron beam. 5) With electron beam exposure on a bulk sample, contrast for a 50-nm linewidth is the same as that for 1-µm linewidth, provided the resist is thin. Higher accelerating voltages make it easier to correct for proximity effects and to maintain resolution with thick resist. 6) Ultimately the range of secondary electrons limits resolution in electron beam lithography, just as the range of photoelectrons limits resolution in X-ray lithography. In both cases, minimum linewidth and spacing in dense patterns is about 20 nm. Resolution with ion beams will probably be about the same because the interaction range of the ions will be similar to the electrons.