GaAs MMIC应用展望

ＧａＡｓ　ＭＭＩＣ应用展望本刊主编林金庭中图分类号：ＴＮ４５４ＰｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅｏｆＧａＡｓＭＭＩＣｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ￥ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ１９９０年以前，砷化镓（ＧａＡｓ）技术的８０％是用于军事，随着冷战结束，高性能的ＧａＡｓＩＣ向何处去...     

双频段应用的毫米波倍频一放大器组件

本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ｋａ波段ＧａＡｓＭＭＩＣ放大器芯片组成的倍频一放大器混合集成组件，输出功率可达２０ｄＢｍ。     

3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究

阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件。在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。     

日本毫米波技术的新进展

1　毫米波有源器件的关键技术近年来,在化合物半导体三极管(例如高电子迁移率晶体管(ＨＥＭＴ)、金属-半导体场效应晶体管(ＧａＡｓＦＥＴ)和异质结双极晶体管(ＨＢＴ)等)方面的进展,使毫米波电路更实用。不同于ＩＭＰＡＴＴ二极管和ＧＵＮＮ二极管等两端口器件,三端口器件已在输入和输出端间具有内隔离,这使它能满足毫米波段电路设计的要求。毫米波有源器件所要求的最基本测量是在阻抗匹配条件下,功率增益达到一最大振荡频率ｆｍａｘ,工作频率则小于ｆｍａｘ/2。此外,功率使用密度、最小噪声系数和相位噪声源(1/ｆ噪声)等都是其它主要的特…     

3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究

阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果，研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件，在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。     

Ka波段功率PHEMT的设计与研制

报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料,采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ;ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ;Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时,输出功率大于２８０ ｍ Ｗ,功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ,增益大于６ ｄＢ。     

Macintosh病毒的防治

Ｍａｃｉｎｔｏｓｈ病毒的防治李海雁目前人们对ＰＣ机上的病毒已有较为深入的认识，但是对Ｍａｃｉｎｔｏｓｈ（简称Ｍａｃ）机上的病毒却知之甚少。虽然Ｍａｃ机在国内不如ＰＣ机普遍，但是一些部门使用的也很广泛，而且装机数量也很大。Ｍａｃ病毒的危害不亚于ＰＣ机病...     

2.25Cr-1Mo钢焊接接头蠕变后焊缝中 M6C碳化物的析出位向关系

本文用透射电镜研究了２．２５Ｃｒ－１Ｍｏ钢焊接接头蠕变后焊缝中的Ｍ６Ｃ碳化物。结果表明,高温长期蠕变促进了Ｍ６Ｃ的析出长大,从焊缝内析出的Ｍ６Ｃ与α－Ｆｅ铁素体间存在Ｎ－Ｗ位向关系,即：（１１１）Ｍ６Ｃ∥（１１０）ａ「０１１）Ｍ６Ｃ∥「００１」ａ。文中还讨论分析了其他两种取向关系：（１１１）Ｍ６Ｃ∥（１１０）ａ;「１０１」Ｍ６Ｃ∥「１１１「ａ及（１１１）Ｍ６Ｃ∥（１１０）ａ;「１１２」Ｍ６Ｃ∥「１     

提高砷化镓功率MMIC中电容成品率的研究

金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容量影响ＧａＡｓ微波单元集成电路（ＭＭＩＣ）成品率的主要原因之一，ＰＥＣＶＤ氮化硅膜又是影响ＭＩＭ电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析，提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法，结果大大提高了ＭＩＭ电容ＧａＡｓＭＭＩＣ的成品率，降低了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的成本。     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...