低温热处理期间硅中砷的异常扩散

业已发现,对于硼在砷扩散层下面的情况来说,在低温热处理期间,砷的扩散被加速了。其扩散系数与一般扩散系数相比是非常之大的,而且与处理时间有关。在700℃、5小时的扩散条件下,砷的有效扩散系数是1×10~(-16)厘米~2/秒,对于700℃、170小时的扩散,其有效扩散系数为7×10~(-18)厘米~2/秒。这样一种现象可能是由于在这些处理过程中形成过量的空位。对于以砷做发射极掺杂剂的 npn 晶体管说来,这也会引起发射极陷落效应。     

采用干法刻蚀进行微通道板扩口理论模型研究

开口面积比是微通道板（MCP）重要的性能指标,在MCP输入面进行扩口,对于MCP的探测效率、噪声因子等参数有显著的提升作用,在微光夜视仪、粒子探测器等军用、民用领域具有巨大的应用潜力。采用湿法腐蚀进行微通道板扩口,面临工艺一致性差、选择性腐蚀造成锥度尺寸难以达标等难题,实质性批量应用非常困难。针对扩口MCP难以制作和应用的问题,提出一种采用干法刻蚀进行MCP扩口的方法,阐述了干法刻蚀进行MCP扩口原理及可行性。通过建立理论模型研究干法刻蚀工艺参数如刻蚀角度、刻蚀时间等对于MCP开口面积比、通道内刻蚀深度、通道内壁刻蚀锥度等性能参数的影响,计算出合适的工艺参数范围,为开展实验研究奠定了基础。     

平均失效间隔(MTBF)帮助预测器件失效

可靠性,失效率和平均失效间隔(MTBF)的概念常常被误解和滥用。它们之间虽有联系,然而每一概念都代表着器件工作寿命的不同方面;总的说来,它们能帮助预测一批器件在某一段时间内有多少器件将会失效。     

3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究

阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件。在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。