光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

带有-2V负脉冲冲击保护的SPDT模拟开关

飞兆半导体公司（ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，以前称快捷半导体公司）宣布推出一种可保护ＡＳＩＣ、微处理器及其它ＩＣ免受负脉冲瞬时电压影响的ＳＰＤＴ模拟开关元件。这种型号为ＮＣ７ＳＢＵ３１５７的单刀双掷开关可保护内部ＩＣ免受插头在插入ＭＰ３播放器、ＣＤ播放器、笔记本电脑、移动电话及其它带模拟或数字信号接口的设备时所产生的噪声或负脉冲冲击的影响。这种具有 -２Ｖ负脉冲冲击保护功能的ＮＣ７ＳＢＵ３１５７低压ＳＰＤＴ模拟开关整合了飞兆半导体的专利负脉冲器强化保护电路（ＵＨＣＴＭ）。这种电路…     

功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应

在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制调节脉冲频率效应。     

三端电压控制型负阻器件（3）

三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕｐ双极管作为反馈器件，将其集电极与另一纵向ｎｐｎ双极管（作为...     

宁波GSM系统LAC调整方案

宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,…     

高密度可编程逻辑器件ATV2500H／L简介

近年来，随着集成电路技术的飞速发展，出现了一种用户可定义其逻辑功能的器件－可编逻辑器件，简称ＰＬＤ器件。其发展经历了ＰＲＯＭ、ＦＰＡＬ、ＰＡＬ、ＧＡＬ，直至现在广泛应用的大规模ＰＬＤ器件ＥＰＬＤ、ＣＰＬＤ及目前最流行的可编程逻辑门阵列ＦＰＧＡ。本文详细介绍了美国受特梅尔公司的ＥＰＬＤ－ＡＴＶ２５００Ｈ／Ｌ的内部结构和功能特点。读者只要再学会ＴＡＮＧＯ－ＰＬＤ、ＡＢＥＬ、ＣＵＰＬ等语言中的一种，便能     

双管S型负阻器件的研究

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。     

数字电视技术英文专业词汇释义

ＡＤＲ地址键 　ＡＩＵ辅助设备接口单元 　ＡＭＥＰ高级运动估测处理器 　ＡＭＬＣＤ有源矩阵液晶显示器 　ＡＰ有效图像 　ＡＰＦＣ有源功率因数校正电路 　ＡＳＬ自动排序逻辑 　ＡＵＳＰ高级视频信号处理器 　Ｂｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌｌｙｐｒｅｄｉｃｔｅｄｐｉｃｔｕｒｅ双向预测编码图帧 　ＢＢＤ基带延迟线 　ＢＥＦ带宽抑制滤波器 　ＢＥＰ比特误码概率 　ＢＦＰ消色标志脉冲 　ＢＭＡ块匹配法 　ＢＭＣ双相标识编码 　ＢＭＰ块匹配处理器 　ＢＶＤＦ基本向量方向滤波器 　ＣＢＲ固定数码率 　ＣＣＤ氧化物介质电容器 　ＣＣ…     

AD转换器在数字测试仪上测试实现的探讨

近年来,出现越来越多的数模混合器件,或内部包含有模拟电路诸如ＡＤ转换器,ＤＡ转换器或滤波器的μＣＰＵ或ＡＳＩＣ数字器件。在纯数字测试系统上实现ＡＤ转换器的测试,对测试上述的包含一部分模拟电路的数字器件有十分重要的意义。本文以Ｔ３３４７Ａ为例,介绍在纯数字测试系统上实现ＡＤ转换器的测试。     

三端电压控制型负阻器件（7）

三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＭＯＳＤｅｖｉｃｅ）也称作“Ａ”微分负阻ＭＯＳＦＥＴ...     

Mechanical Method on Bimaterial Body Boundary with Crack-tip

The problem of biomaterial body boundary,especially, microcosmic and macroscopic boundary behavior of bimetallic boundary,ceramic and metal ,is paid close attention by many scholars in electronic device and communication,material science,aeronautical and astronautical engineering and et al .Modern photoelectric technology,such as laser technique,conveniently is used to measure geometrical stress field of biomaterial body,quantitatively analyse boundary mechanical behavior with crack-tip and composition of boundary matter element.One has put forward mechanical model ,which is used to analyze joint energy,atom transition of matter of medium layer, diffusion and solid solution,by means of energy theory of quasi-continuous body.     

光电对抗仿真试验系统综述

论述了研制光电对抗仿真试验系统建设的目的和意义,光电武器系统的现状和发展趋势,介绍了光电对抗仿真试验系统的一般组成,给出了光电武器系统的常规试验内容和试验流程,并论述了可能采用的试验方法。     

点状PN结中的光电转换

用Ｎ型硅单晶材料制作了点状ＰＮ结光电二极管，对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算，在同样的光辐射下，点状ＰＮ结光岂二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的２００倍以上。分析表明，在光探测机制上不仅要考虑平面结范围内的光电转换，更要考虑平面结周边一个少数载流子扩散长度范围内的光电转换。利用点状ＰＮ结光照电流的测量，可以 确定在衬底材料光一少了的扩散长度。     

基于荧光光谱分析的钞票识别研究

文中对钞票在紫外线的作用下激发出的荧光特性进行光谱分析,并设计了基于荧光光谱分析的钞票识别的光学系统、光电信号的检测和信号处理系统。荧光光谱分析方法具有灵敏度高、选择性强、式样少、方法简便的特点,已很好地运用于点钞机及有关金融器具的生产和制造中。     

位敏器件及在微小位移测量中的应用

介绍了半导体位敏器件的原理及特点，光切法测量微小位移原理以及利用ＰＳＤ的光切法测量的有关光路和信号处理电路。该装置可实现对金属及非金属表面位移的非接触测量。     

Gap－LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响

报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫（Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。     

对抗隐身进攻兵器的光电探测研究

采用低可见性技术或隐身技术制造的进攻兵器是21世纪防空系统重点对抗的主要目标威胁。隐身兵器并非不可探测,采用常规的长波低频雷达可以探测低可见性目标,采用激光雷达、光电探测和雷达组网等均具有探测隐身的能力。     

非晶硅基合金多结太阳电池光电特性的模拟计算分析

本文提出了以各子电池的载波子输运方程为基础、用串联等效的方法模拟多结电池的Ｊ－Ｖ特性，并用该方法模拟分析了Ｐ／Ｉ界面态。Ｐ／Ｉ缓冲层带隙梯度对Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／Ａｌ双结电池光电特性的影响，各子电池本征层为常数带隙的Ｇｌａｓｓ／ＴＣＯ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ／Ａｌ三结电池的光电特性及其所存在的优势。     

背电场硅太阳能电池离子辐照效应

空间太阳能电池受电子、质子，以及重离子辐照后，要受到损伤。文章对背电场太阳能电池低能质子、高能质子、碳、氧离子辐照效应进行了研究，对辐照前后太阳能电池光电参数进行测量，并用Ｍａｔｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法对辐照粒子的硅中的能量损失过程进行了模拟计算。结果表明，各种离子辐照技术电池的损伤是不同的，低能质子对开路电压的损伤比对睡电压的损伤大得多，而高能质子 地开路电压的损伤较低能质子的反而要小，对短路电流的     

AN INVERSE DESIGN OF ELECTROSTATIC FOCUSING FIELD FOR ELECTROSTATIC AND MAGNETIC IMAGING

An inverse design of electrostatic focusing field for electrostatic and magneticimaging is investigated.Using the potential superimposition theorem of electrostatic field inmulti-electrode system,a mathematical model has been developed and an optimization methodhas been introduced into computation for designing the electrostatic focusing field of the imagingsystem.