长腔式Cd扩散条形In GaAsP/InP DH激光器纵模特性的实验研究

本文报道了1.3μm Cd扩散条形长腔式In GaAsP/InP DH激光器的制作和特性测试.实验结果表明,长腔激光器能在较大的注入电流范围内实现单纵模工作.     

短波长自由电子激光的分析与研究

本文根据自由电子激光的基本理论分析了各种可能获得短波长自由电子激光的利与弊，在此基础上，提出了新型波动器，分析了该波动器获得短波长自由电子激光的可能性。最后，文章指出了短波长自由电子激光尚待解决的一些困难。     

长波长面发射激光器的现状及其发展前景

回顾了适用于未来并联光通信系统的工作波长为１．３μｍ和１．５５μｍ的垂直腔面发射激光器在近年来的发展概况。讨论了改进上述激光器激射特性的关键问题，其中有高反射镜面、温控、电流限制结构等问题。     

国外可见光半导体激光器概况

一、可见光半导体激光器的提出 随着对半导体激光器应用研究的不断深入,要求其波长向长波和短波两方扩展,于是人们着手研究光通信光源用的InGaAsP系长波长半导体激光器和光信息处理光源用的可见光半导体激光器。在可见光半导体激光器问世以前,光信息处理,光印刷,视频唱片等的光源均采用波长为632.8nm的He—Ne气体激光器。随着红外光半导体激光器的发展,逐渐提出了用可见光半导体激光器取代可见光He-Ne气体激光器的要求,因为前者比后者具有无可比拟的优点,例如体积小,工作电压低,适于高速率调制工作,有利于集成     

1.3μm DCPBH激光器的千兆赫直接调制

本文报到了1.3μm激光器的射频直接调制实验;获得了频率为1GHz、脉宽小于120Ps,调制度为80%的实验结果。并对DCPBH激光器结构对调制特性的影响进行了讨论。     

长波长量子阱LD的实用化研究

长波长量子阱ＬＤ的实用化研究李同宁，刘涛，金锦炎，丁国庆，郭建委，胡常炎，吴桐，李明娟，赵俊英，魏泽民（武汉电信器件公司）近十年来，ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ工艺研究在半导体超薄层材料制备行业中非常活跃。国际上长波长多量子阱激光器件多采用ＭＯＣＶＤ工...