全文获取类型
收费全文 | 87篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
电工技术 | 2篇 |
综合类 | 1篇 |
建筑科学 | 1篇 |
矿业工程 | 4篇 |
水利工程 | 9篇 |
无线电 | 72篇 |
一般工业技术 | 3篇 |
出版年
2019年 | 1篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 2篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 2篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 7篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 5篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 4篇 |
1994年 | 4篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
排序方式: 共有92条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
自改革开放以来,中国经济30年来的经济高速增长,中国低廉的劳动力成本起到了勿容置疑的支撑作用.但在中国经济发展到现在的水平以后,廉价的劳动力成本对中国经济起飞是否具有可持续性,面对日前席卷全球的金融危机,中国是采取低工资政策,还是逐步提高工资刺激内需,已经成为专家学者和政府开始关注的话题,也是中国经济、社会发展必须做出的抉择.本文主要就在中国工业化达到较高程度、社会供给不足已经基本消失的情况下,如何看待职工工资收入现状、如何保证职工工资收入的增加、如何看待职工收入分配不公的问题及如何采取应对措施,提出自己的看法. 相似文献
3.
4.
本文论述了暗电流I和光倍增因子M_p与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与M_p-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10~30倍;而由20℃升至60℃时,光倍增因字M_p将减小1/3左右。文中还建议以严格的高低温循环来淘汰可能早期失效的SAGM-APD管芯。 相似文献
5.
本文报告了采用全离子注入技术制作的p~+n平面型结构的Ge-APD,保护环注Be~+,P+层注B~+(或In~+)形成.测量结果表明,击穿电压Vs在37至50伏,光敏面直径为90μm,在0.9V_B下,带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA,典型值为0.2至0.5μA,光电流倍增因子M在 12至 17,M=10时,过剩噪声因子 F<10,光响应度大于 0.5A/W. 相似文献
6.
幸福灌区是一古老的灌区,至今已有2 400余年的历史。文章从灌区的概况,生态林规划范围、技术要求和资金等方面,对生态林进行规划;同时对生态林的管理及其生态、经济、社会效益加以阐述;形成一种人与自然和谐统一,打造幸福灌区渠道两堤岸绿色长廊,防治灌区水毁工程发生,确保灌区生态环境的良性循环,从而实现灌区的可持续管理。 相似文献
7.
1.3μm应变多量子阱激光二极管 总被引:1,自引:0,他引:1
已研制成用于Gb/s传输而勿需温控的无偏置1.3μm激光二极管。由于采用了应变多量子阱(MQW)和短腔结构,在30mA的激励电流下,在-20℃和+85℃之间的功率变化只有2dB。在-40至+85℃的温度范围内和1Gbit/s零偏置调制下可看见眼图的眼开很大。 相似文献
8.
9.
端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报告了具有DC-PBH(双沟平面掩埋异质结构)的MQW-LD(多量子阱激光器)端镜面镀膜对阈值电流Ith和激射波长γp的影响。指出:端镜面镀高反射膜HR(反射率R2=75% ̄90%),Ith可降低3.8 ̄5.1mA,γp加长4nm左右;端镜面镀增透膜AR(反射率R1=10% ̄15%),Ith将增加3mA,波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。 相似文献
10.
本文介绍X射线晶体衍射的测试原理,讨论了半导体薄片异质结构材料X射线晶体衍射测量中正、负失配,晶片微弯曲,摇摆曲线的对称性,复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对MOCVD、LPE工艺调整的重要性。 相似文献