混响室条件下无线电引信敏感度测试方法研究

针对国内各类标准及实验中提出的开阔场环境下敏感度测试方法无法满足线度较大弹体及高场强测试需要的问题,利用混响室在测试空间和强场模拟等方面的优势,提出了混响室条件下无线电引信敏感度测试方法.这种测试方法也可以为其他大型装备的敏感度测试提供方法借鉴.该方法基于混响室步进工作模式,测量受试引信在测试频点不同采样点处的临界发火场强.试验证明,取各测试频点在不同采样点处测量值的最小值作为混响室条件下无线电引信的敏感度阈值,不仅在数值上接近于开阔场条件下的测量结果,而且两种实验环境的测试结果保持了很好的相关性,体现了这种测试方法的可行性.     

金属材料的成形——动态超塑性成形不锈钢

基于某些金属材料在经受交替地升高与降低温度到其固态相变温度以上和以下时,施加很小的应力即能被伸长并呈现高的延伸特性的现象,称为动态超塑性。本发明一方面提供一种能利用动态超塑性成形金属材料(如上定义的)的方法。此法包括使材料受到一系列温度——时间循环处理,将材料加热和冷却到相变温度以上和     

铜纳米线的制备及其场发射特性研究

采用水合肼还原硝酸铜的方法制备了高长径比铜纳米线,在此基础上,通过导电双面胶带将铜纳米线转移至阴极表面,基于二极场发射器件结构研究了铜纳米线的场发射特性。结果表明:铜纳米线是一种优良的场发射冷阴极材料,其开启场强为2.18 V/μm,阈值场强为3.69 V/μm,经过2 h老练后具有良好的发射稳定性。     

铜纳米线的制备及其场发射特性研究

采用水合肼还原硝酸铜的方法制备了高长径比铜纳米线,在此基础上,通过导电双面胶带将铜纳米线转移至阴极表面,基于二板场发射器件结构研究了铜纳米线的场发射特性.结果表明:铜纳米线是一种优良的场发射冷阴极材料,其开启场强为2.18 V/μm,阈值场强为3.69 V/μm,经过2h老练后具有良好的发射稳定性.     

基于Chroma8000的DC/DC电源模块测试

介绍了DC/DC电源模块的通用测试方法。基于Chroma 8000测试系统,通过对DC/DC电源模块测试要求进行分析,设计了某款DC/DC电源模块测试夹具与测试外围,实现了对该DC/DC电源模块主要性能参数的测试。该方案能够作为通用测试方法为DC/DC电源模块测试设计提供参考。     

中高温熔点金属材料固–液相变点导热系数测量

设计了一种中、高温熔点金属材料固-液相变点温度附近热物性动态测算方法,并与计算机实时数据采集和测控技术结合起来,研制了相应的动态测试仪。通过实验测定相界面的移动速率与相变导热反问题的数值计算相结合的办法来确定被测材料的热物性。分别对相变室、炉体、相界面探测器、温度在线检测与控制系统、测试过程进行了设计,对测试系统的测量误差进行了定量分析,发现采用此方法测试的系统误差不超过3%。用已知热物性的锌、铝金属对此方法进行了检定,得到了较为满意的测试结果。     

中高温熔点金属材料固–液相变点导热系数测量

设计了一种中、高温熔点金属材料固-液相变点温度附近热物性动态测算方法,并与计算机实时数据采集和测控技术结合起来,研制了相应的动态测试仪。通过实验测定相界面的移动速率与相变导热反问题的数值计算相结合的办法来确定被测材料的热物性。分别对相变室、炉体、相界面探测器、温度在线检测与控制系统、测试过程进行了设计,对测试系统的测量误差进行了定量分析,发现采用此方法测试的系统误差不超过3%。用已知热物性的锌、铝金属对此方法进行了检定,得到了较为满意的测试结果。     

脉冲激光沉积非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射研究

利用脉冲激光沉积技术制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,并观察到其场发射阈值场强(4V/μm)比类金刚石薄膜(>12V/μm)有较大的降低,最大发射电流密度为1.2mA/cm~2.利用透明导电薄膜阳极技术可观察电子在薄膜阴极表面的发射位置.并对该复合薄膜的场电子发射机理进行了初步探讨.实验表明该复合薄膜有可能作为一种新型的场发射冷阴极材料.在平面显示器件中得到应用.     

平板介质的微波分裂腔法介电常数测试技术

为实现微波频段平板类介质材料的介电常数的无损测试,研究了分裂式圆柱形谐振腔测试方法。介绍了分裂式圆柱形谐振腔的电磁场分析理论,采用模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场分布的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电常数之间的准确关系。在理论分析的基础上,制作了空腔谐振频率为10 GHz的分裂式谐振腔,并与前期研制的闭式谐振腔进行对比测试,介电常数实部测量结果相对误差小于1%。与国外同类产品进行对比测试,介电常数实部结果基本一致,损耗角正切测量结果更接近于文献参考值。因此,微波分裂腔法能够实现平板介质板材的无损测量,具有准确度高,使用方便等突出优势,可在微波频段内实现介电常数为1～20,损耗角正切为1×10^-3～1×10^-5,板材厚度为0.1～2.0 mm的各类平板介质材料介电常数的准确测试。     

集成电路振动试验夹具的设计与测试方法综述

详细地介绍了集成电路振动试验夹具的设计和测试方法,包括母夹具的结构类型,夹具的总重量、大小、 材料和结构等夹具设计的原则,以及测试夹具性能的方法.     

All‐Metallic Vertical Transistors Based on Stacked Dirac Materials

It is an ongoing pursuit to use metal as a channel material in a field effect transistor. All metallic transistor can be fabricated from pristine semimetallic Dirac materials (such as graphene, silicene, and germanene), but the on/off current ratio is very low. In a vertical heterostructure composed by two Dirac materials, the Dirac cones of the two materials survive the weak interlayer van der Waals interaction based on density functional theory method, and electron transport from the Dirac cone of one material to the one of the other material is therefore forbidden without assistance of phonon because of momentum mismatch. First‐principles quantum transport simulations of the all‐metallic vertical Dirac material heterostructure devices confirm the existence of a transport gap of over 0.4 eV, accompanied by a switching ratio of over 10⁴. Such a striking behavior is robust against the relative rotation between the two Dirac materials and can be extended to twisted bilayer graphene. Therefore, all‐metallic junction can be a semiconductor and novel avenue is opened up for Dirac material vertical structures in high‐performance devices without opening their band gaps.     

Programmable Persistent Interfacial Metallic State Induced by Frozen Ions in Inorganic–Glass Solid Electrolyte

Electric field control of charge carrier density through dielectric layers has long been a key technology in the semiconductor industry and condensed‐matter physics. The new carrier‐doping method by the electric double layers (EDLs) opens up the route to access clean carrier doping with high carrier density, but this method is not practical for a switching device due to its slow response to the electric field. However, if this slow response could be stopped at room temperature as an extreme case, the EDL method can become the practical means for materials design, which produces a persistent carrier‐doped state without impurity introduction or continuous supply of external electric fields. Here, it is demonstrated that the thermally programmable persistent interfacial metallic state can be realized around room temperature by all‐solid heterointerface devices using an inorganic–glass solid electrolyte as a gate insulator. The proposed device, in this study, could pave the way for designing a new category of a highly carrier‐doped semiconductor.     

On‐Demand Nanoscale Manipulations of Correlated Oxide Phases

Controlling material properties at the nanoscale is a critical enabler of high performance electronic and photonic devices. A prototypical material example is VO₂, where a structural phase transition in correlation with dramatic changes in resistivity, optical response, and thermal properties demonstrates particular technological importance. While the phase transition in VO₂ can be controlled at macroscopic scales, reliable and reversible nanoscale control of the material phases has remained elusive. Here, reconfigurable nanoscale manipulations of VO₂ from the pristine monoclinic semiconducting phase to either a stable monoclinic metallic phase, a metastable rutile metallic phase, or a layered insulating phase using an atomic force microscope is demonstrated at room temperature. The capability to directly write and erase arbitrary 2D patterns of different material phases with distinct optical and electrical properties builds a solid foundation for future reprogrammable multifunctional device engineering.     

基于屏蔽暗箱窗口法材料快沿电磁脉冲屏蔽效能测试*

为满足材料强电磁脉冲场屏蔽效能的测试需求,搭建了基于屏蔽暗箱窗口法的材料电磁脉冲屏蔽效能测试系统.首先采用连续波对某种金属织物材料进行了频域测试,通过测试空箱和加载材料内部场强大小,计算了该材料的频域屏蔽效能.然后采用快上升沿电磁脉冲源对该材料进行了时域测试,计算了强场作用下材料的峰值屏蔽效能.对测得的时域信号进行降噪处理和快速傅里叶变换(FFT),得到了该材料频域屏蔽效能曲线,与频域试验所测曲线进行了对比,结果基本一致.实验表明该测试系统能够可靠评价强电磁脉冲作用下材料的屏蔽效能.     

金属环状波导激光电磁场的数值分析

基于麦克斯韦方程组,导出金属环状波导内电磁场的数学模型,在此基础上分析了环状波导内电磁场的模式特征,并以TE模式为例详细分析了其分布特性,近、远场特性.     

Reliability considerations for recent Infineon SiC diode releases

Silicon carbide (SiC) has long been shown to be one of the most promising materials for high-voltage power semiconductor devices. New device technologies and products have lead to an ever increasing size and variety of the markets addressed by SiC. The specific material properties and the new applications served by SiC devices give rise to specific reliability requirements, reaching beyond the scope of standard tests established for silicon based devices. Here, we show details of Infineon’s strategy to ensure high device reliability even under extreme operating conditions encountered in the field. E.g., an especially tailored dynamic reverse bias test shows that Infineon’s new 1200 V SiC Schottky diodes can be continuously operated at high voltage slopes of 120 V/ns under the conditions specified in this paper.     

基于电磁超材料的微波单向传输圆波导设计

微波隔离器是微波系统中不可或缺的器件,常见的隔离器都采用了铁氧体旋磁材料配合吸收负载实现电磁波的单向传输。这种器件虽然可以使电磁波单向传输,但是并不能改善能量的浪费问题,还增加了系统的复杂度。针对上述问题,本文基于电磁超材料设计了一种微波单向传输的圆波导,使用波导内壁涂覆折射率逐渐变化的材料来影响电磁波的传输特性,从而实现电磁波单向传输。本文给出了微波单向传输的电磁计算模型和超材料结构及属性,并通过简化这种超材料使其易于实现;最后通过电磁仿真分析了这种材料的电磁特性并给出了这种材料的实现方法。     

电磁环境复杂度等级评估模型

综合考虑靶场复杂电磁环境适应性试验的特点和实际需求,研究了电磁环境复杂度等级分类和评估方法。首先分析了电子装备类型及电磁环境适应性特点。其次提出基于电子装备类型的电磁环境复杂度等级评定方法,即对于雷达类和通信类设备基于信噪比、侦察类设备基于信号脉冲流分别制定复杂电磁环境等级。第三考虑用频装备天线扫描,给出了电磁环境复杂度等级动态统计分析表达式。该研究可为电磁环境适应性试验和作战指挥研究提供重要支撑。     

带孔缝矩形金属腔体屏蔽效能研究

针对带孔缝矩形金属腔体在电磁辐射下的屏蔽效能问题,利用基于时域有限积分法的电磁仿真软件CST,建立了平面波辐照条件下含孔缝金属腔体的耦合模型,重点研究了电场极化方向,腔体材料,矩形孔缝的长度、宽度和深度,孔缝填充介质介电常数及其厚度等参数对屏蔽效能的影响规律.研究结果表明:典型金属材料对屏蔽效能的影响差别不大,垂直于电场极化方向的孔缝边长更能影响腔体的屏蔽效能,孔缝尺寸会影响矩形金属腔体的谐振点,孔缝深度能够通过衰减入射波在一定程度上影响屏蔽效能,孔缝填充介质会降低屏蔽效能,介质厚度及其介电常数会影响屏蔽效能峰值点.研究结果对金属腔体的电磁兼容设计有一定的指导意义.