离子注入中的硅片冷却

1.前言近几年来在半导体制造业中使用离子注入工艺已显著增加。这一迅速增长的主要因素是在注入工艺中采用光刻胶作掩蔽。最大分辨率是由正胶,即光刻时暴露在其中的部分显影时被去掉的那种胶取得的。通常,正胶对于温度相当敏感,在注入中过高的温度会使光刻胶产生气泡,改变临界尺寸并在其后工艺中使胶难以去除。大多数光刻胶在100℃以下不受影响。注入时几乎没有什么正胶能经得起150℃以上的温度。     

聚酰亚胺在集成电路工艺中的新应用

聚酰亚胺做为一种新型材料正在半导体集成电路工艺中得到越来越广泛的应用。目前集成电路工艺中用的最多的是做为表面钝化材料。不久前美国MIT Lincoln Laboratory的技术人员把聚酰亚胺用于VLSI的离子注入工艺中,做为一种离子注入掩蔽膜得到了十分理想的效果。目前通用的光刻胶做为离子注入掩膜有其自身的缺点、一是在大剂量、高能量的注入下,掩膜发生形变,从而使VLSI的精度降低。     

超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布

离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。     

微电子制造科学与技术计划中的光刻工艺研究

微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）计划中光刻工艺研究的主要对象是光学步进式光刻机，包括ｉ－线（３６５ｎｍ）和激发物激光深紫外线（２４８ｎｍ）光刻机。对于多数图形层，采用普通的光刻胶加温法显形；而对关键的栅和金属层，则采用扩散－增强甲硅烷基化光刻胶（ＤＥＳＩＲＥ）工艺的表面成像干法显形光刻胶。在光刻工艺过程中，如果对所有关键工序，特别是曝光，都用实时传感器进行监控，即可达到对工艺控制实现完全自动化这一     

适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS

本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较,表明FUTIS在精度上有明显改进,在功能上有很大扩展,是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。     

采用离子注入法制作高精度掩模版

日本电气公司最近研制采用离子注入法制作高精度掩模版的技术,去年12月已在华盛顿举行的国际电子器件会议上发表。在集成电路和LSI制造工艺中,用于光刻工艺的掩模版是使用银乳剂的乳胶掩模和使用金属铬、氧化铬、氧化铁等金属或金属氧化物形成暗区的所谓硬掩模。采用贴紧或者投影的方法,让这些光掩模与涂敷了光刻胶的硅片相叠合,并用紫外线曝光,经过显影,光掩模上的电路图形就复印在硅片上。由于乳胶掩模使用了卤化银,     

硼离子注入退火过程对表面迁移率及薄层电阻的影响

本文利用与退火条件有关的离子注入杂质分布,得到了在硅中硼离子注入退火条件对载流子表面迁移率的影响。还得到了硼离子注入薄层电阻与注入条件及退火情况的关系。在这些关系中,注入剂量对迁移率及薄层电阻有最主要的影响。这些结果可在设计和制造VLSI中用以确定工艺条件。     

后段工艺干法去除光刻胶研究

干法去胶是用等离子体将光刻胶剥除,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好、速度更快.在现代集成电路制造中,干法去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺,含氟气体产生的氟离子可以防止光刻胶硬化.但在后段干法去胶工艺中,由于含氟气体的引入,会产生一系列的问题.因此,文中提出了对去胶气体组合配比进...     

利用兆频超声波实现无损伤清洗

我们在实施晶片的前段工艺处理（front-end-of-line简称FEOL）和后段工艺处理（back—end—of-1ine简称BEOL）的时候，往往需要采取无数次的清洗操作步骤。清洗的次数多少取决于晶片的设计和所需要的互连层数。实施清洗工艺的目的不仅是要剥离晶片表面的光刻胶，还要考虑去除各种复杂的蚀刻残余物质、金属颗粒物，以及其它的污染物，为此需要不断探索新的、更加精细的化学试剂。在考虑这些工艺操作的时候，     

一种新的基于水蒸气和水混合流体去胶方法

随着半导体器件尺寸越来越小,光刻胶的剥离,尤其是对硬烘后和离子注入后的光刻胶剥离,被认为是现代半导体器件制造过程中最具挑战的工艺之一。本文提出了一种新的湿法去胶技术从而可以替代现有的湿法剥离工艺和等离子灰化工艺。并针对固化后的光刻胶以及金膜和铬膜,进行了相关实验。然后给出了光刻胶的剥离图片,并分析和讨论了该过程的机理。结果表明,利用水蒸气和水的混合流体射流清洗技术可以很容易去除固化后的光刻胶和金属膜。