微电子器件的现状和未来

电子器件的尺寸到底小到什么程度,才算是微电子器件,至今还没有一个明确的定义。但微电子器件的重要性,其发展速度的迅速,以及对人类生产、生活的影响,已被世人所瞩目。微电子器件的发展,从晶体管发明(1947年)算起,已有44年;从锗集成电路问世(1958年)算起,已有33年;从硅双极型单片集成电路问世(1960年)算起,已有31年;从硅 MOS 动态随机存取存贮器(DRAM)的出现(1968年)算起,也已有23年历史了。根据美国市场调查公司——Data Quest 公司今年年初公布的1990年情况来看,全世界微电子器件的总产值约为582亿美元。由于规模生产的特点和剧烈     

二维离子注入的改进模型及数值模拟

本文提出了一个改进的二维离子注入模型.对于在任意形状掩蔽边界下的离子注入分布,我们在纵向采用联结的半高斯分布或修改过的Pearson-IV分布,在横向采用余误差函数分布,并且考虑了在多层掩蔽情况下各种材料阻止本领的不同.利用这一模型发展起来的离子注入模拟器能连续计算多次不同能量、剂量和杂质类型的注入分布,并考虑了多种不同掩蔽边界的影响.通过与其它工艺模拟器的比较,表明我们的模拟器在精度和功能上都有明显的改进.     

MOSFET模型及其参数提取(下)

四、模型参数提取程序概述 PEMP是专为提取MOSFET模型参数而设计的,由FORTRAN语言.写成PEMP读入以数据文件形式装人计算机的实测端电压、端电流数据,根据开关指定情况,执行运算,给出所需要的全部模型参数.还给出用所提取的模型参数计算得到的输出特性曲线和击穿电压值,供与实测比较.     

集成电路工艺、器件及电路的模拟

目前,集成电路的设计方法基本上有两大类:一类是独创性较强的设计,一类是以模仿为主的设计.无论那一类设计,在设计过程中,都有必要利用计算机进行工艺、器件及电路的模拟,因为事实已经表明,通过模拟可在不同程度上收到提高设计精度,缩短设计周期及预估设计可行性的效果.     

砷化镓半导体器件

一、引言锗、硅元素半导体在器件制造中已得到了很广泛的应用,在制造高频、大功率、高速开关晶体管方面也取得了非常可观的进展.为进一步改进晶体管的频率、功率、开关速度、使用温度等性能,以及扩展半导体器件的种类和应用,国外对新型半导体材料及其器件的探索相当重视.特别值得提出的是Ⅲ-V族化合物半导体及其器件.1952年Welker就已开始了Ⅲ-V族化合物半导体的研究,他指出这种化合物半导体有类似于锗、硅等Ⅳ族元素半导体的特性.十余年来,国外对这种半导体进行了许多研究工作,利用这种     

基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

提出了一个新的小尺寸CMOS倒相器延迟模型,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据,模型计算结果与SPICEBSIM1模型的模拟结果吻合得很好.     

深亚微米VLSI电路中互连线的几何优化设计

基于三维 L aplace方程的 Silvaco Interconnect3D模拟程序数值解 ,对互连寄生电容进行了计算 ,其结果用于 0 .2 5μm CMOS技术互连延迟及串扰的 SPICE模拟中。模拟结果表明 ,基于W/ P=0 .3～ 0 .4的布线准则可以获得最优的互连延迟与串扰 (Crosstalk)特性 ,通过优化互连线及驱动管的几何尺寸可以显著地减小互连线的延迟及串扰噪声。     

ANSYS在VLSI互连模拟中的应用

介绍了ＡＮＳＹＳ程序在ＶＬＳＩ互连几何最佳化设计中的初步应用,应用表明：ＡＮＳＹＳ的模拟精度高,图形显示功能强,应用ＡＮＳＹＳ自动寻优功能使延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观。     

用于SPICE模拟高频互连效应的RLC电路模型

提出了一个用于ＳＰＩＣＥ模拟高频互连 应的ＰＣＬ互连电路模型,该模型考虑了频率对互连电感、电阻的影响,适用于从芯片间互连到芯片内互连高频效应的分析。基于所提出的互连模型,对频率达１０００ＭＨｚ时芯片内长互连线的延迟、串扰、过冲等互连寄生效应进行了分析,并指出了抑制互连效应的技术途径。