BenQ S620i手机

BenQ前身为Acer，S620i是其自BenQ去年底成立后的首部大作。S620i以机面银色铝板挂帅，面板下方设有信号灯，可闪出红、蓝及紫三款颜色，以显示不同状态。机身颜色大胆用上黑色，近期少有。论功能，黑摺龟不太突出，不能跟OKWAP或TCC等台湾机媲美。最特别的还是其短讯功能，S620i内置二十九款图案，可随文字短讯送出，还有如ICQ般的短讯聊天室，用家可以短讯跟朋友Chat餐饱。另外机内亦有五首自编铃声，编成后的铃声可以短讯送出，实行公诸同好。BenQ S620i手机     

豪迈风格功能强劲中兴ZTE i620

从功能上来说，中兴i620与我们本期评测的LG G912区别不大。外观上的差距就比较大了，i620只是一款普通折叠机的模样，好在做工还算不错，不会给人以不牢靠的感觉。     

Polk Audio（普乐之声）TCi

Polk Audio TCi系列入墙式音箱的问世是为了打造一个可展现多声道逼真音效的音箱系统,解决传统音箱系统占用空间多的问题,包括TC265i、TC625i、TC65i、TC80i、TC60i和TC620i等多款型号。TCj音箱利用墙内空间作为“无限障板”,打造出入墙式音箱的惊人低音延展效果。     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。     

采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET

针对S i/S iG e p-M O SFET的虚拟S iG e衬底厚度较大(大于1μm)的问题,采用低温S i技术在S i缓冲层和虚拟S iG e衬底之间M BE生长低温-S i层。S iG e层应力通过低温-S i层释放,达到应变弛豫。XRD和AFM测试表明,S i0.8G e0.2层厚度可减薄至300 nm,其弛豫度大于85%,表面平均粗糙度仅为1.02 nm。试制出应变S i/S iG e p-M O SFET器件,最大空穴迁移率达到112 cm2/V s,其性能略优于目前多采用1μm厚虚拟S iG e衬底的器件。     

三星SGH—i640V

虽然向来都是业界流行时尚的代表．但三星偶尔也会有独树一帜的惊人之作诞生．典型的代表就是在今年5月发布的Windows Mobile 6.0系统智能手机SGH—i620，该机由于别出心裁地采用了滑盖设计结合QWERTY键盘的另类设计引起了人们广泛的关注。而这次在沃达丰圣诞新机系列之中亮相的SGH—i640V则可以看作是i620的改进版，它的主要变化是机身变成了白色．并且在一些局部细节上进行了重新设计。比如将屏幕镜面装饰范围扩展到导航键部分，     

方正S620——国内首款“人脸识别”笔记本

对于经常处理机密文件的工作单位以及个人来说,文件、档案资料的保密是十分重要的,复杂的密码、安全锁、指纹加密……我们以各种方式保护着自己的信息,如今,方正科技推出了国内首款具备“人脸识别”功能的笔记本S620, 为用户提供了一种新的加密模式,让用户加倍放心。方正S620是一款“身怀绝技”的     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的 Zn S:L i2 O蓝色薄膜电致发光 ;烧结了新型的蓝色发光材料 Zn S:L i2 O,用电子束蒸发制备出 Si O2 夹层结构的 Zn S:L i2 O蓝色电致发光器件 ;通过吸收光谱、电致发光光谱、激发电压与发光强度的关系等研究了 Zn S:L i2 O薄膜发光特性。认为 Zn S:L i2 O薄膜电致发光可能是由 Zn填隙和氧替硫引起的 ,氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强     

脉冲雷达使用极化信息进行信号处理的可能性

极化雷达(PR)能够测量一个反射目标(RO)的散射矩阵(SM)S,从而得到该目标远场中的全部信息。这个散射矩阵取决于所选择的极化基线、单色雷达信号的发射频率与雷达-反射目标的视线(LOS)。鉴于视线的轨迹仅在一个围绕预计值的有界区域内变化,在时间(i)的散射矩阵S(i)可以看作是一个平稳随机矢量过程S(i)的样本值,这里矢量S(i)=(S_(11)(i),S_(21)(i),S_(12)(i),S_(22)(i))~T包含作为矢量分量的散射矩阵元S_(ii)(i)。矢量序列〔S(i)|k(i=1,…,N)是对k个不同的反射目标的测量数据,它们就是下文叙述的信号处理的输入序列。如果一部雷达仅仅能够测量散射矩阵的一部分,我们则称这部雷达为一部接收的极化雷达(RPR)。在这种情况下,信号处理的输入序列是〔S(i)〕|k=(S_(11)     

华硕CRW-3212A刻录机

著名主板生产厂商华硕,这次分别送来了24倍与32倍速的刻录机机种参加评测特集的测试。内部的缓冲存储器为8MB(测试机的规格,上市后为2MB),不仅具有两个LED状态显示灯号,同时也加入了目前刻录机中少见的面板播放功能。     

自然简约——三星Digimax S系列数码相机

与Digimax i6同时推出的3款S系列主要针对家庭用户设计，它们分别是Digimax S500、Digimax 5600，Digimax S600，这三款相机都采用了3倍变焦镜头，除了CCD的有效像素不同以外，它们在其他方面差别很小，突破了三星数码相机长条型设计的惯性思维。     

第六代硅电视调谐器

正S i2151和S i2141电视调谐器满足全球数模混合电视和数字电视市场的需求,同时支持模拟和数字视频广播接收,并符合全球所有的地面/有线电视标准。S i2151/41调谐器完全符合中国GB/T 26686-2011数字地面电视接收机通用规范的标准要求,同时基于GB/     

数码影音

索尼HDR—TG1；索尼ICD—P620；理光G600；尼康S52。     

新声代真本色——摩托罗拉全中文双频2088

摩托罗拉2088是摩托罗拉公司新近推出的一款全中文双频手机,它配备的可随个人喜好而随意更换的面板和智能卡等应用工具为其增添了不少独特的风采。红、黄、绿三色背景显示灯摩托罗拉2088提供了红、黄、绿三种颜色背景灯供用户选择,从而可以在话机号码薄上预先设定不同灯的颜色以     

基于VHDL语言的按键消抖电路设计及仿真

为了解决FPGA／CPLD系统的按键抖动问题,用VHDL语言有限状态机的方法,在S0状态下检测到有按键操作则转入延时状态S1,延时结束后,用状态S2,S3,S4对按键进行连续三次取样,如果三次取样均为低电平,则转入状态S5,并输出按键确认信号,否则,返回状态S0。电路经仿真分析,并下载到EPM7128ATC100芯片进行了验证,能够确保每次按键操作,产生一次按键确认,有很好的按键消抖效果,性能稳定。主要创新点是用VHDL语言有限状态机设计按键的消抖。     

网卡驱动引起网络不通

笔者最近需要安装一台方正科技文祥E620电脑，其配置：CPU i3-3220@3．30GHz，内存：4GB，硬盘：500GB。安装好操作系统后，     

索尼爱立信发布本年度王牌之作Xperia arc S LT18i

日前,索尼爱立信在德国柏林国际电子展(I FA)上发布最新性能的And roid 2.3.4智能新机Xperia arc S LT18i。作为XPERIA系列旗舰新机,Xperia arc S LT18i不仅秉承了Xperia arc LT15i获     

Tensilica公司在HiFi II音频引擎中加入QSound的micro技术

自动化设计方案的供应商─T e n s i l i c a(泰思立达)公司宣布与音视频软件解决方案开发商Q S o u n d L a b s公司就Q S o u n d可应用于移动设备的m i c r o Q音频引擎签署技术授权协议。Tensilica公司新一代XtensaHiFiII音频引擎已经采用并运行了Q S o u n d的m i c r o Q音频元件,现在O E M厂商可以通过授权使用部分或者全部的m i c r o Q特色功能,从而令其移动设备的功能更加丰富。Q S o u n d杰出的音频技术可以用于M I D I音乐合成、3D音频、音频均衡以及用于游戏、音频播放、和弦铃声的低音和高音效果。“通过对Xtens…     

S60新同学Samsung i408

在采用S60界面的手机中,诺基亚已经修炼了独孤求败。不过,三星不久前在市场上推出了一款采用S60界面的Symbian系统新手机i408,似乎有意改变S60手机市场的现有格局。下面iM将对S60的“新同学”三星i408做一次全面测验     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。