一种新型的集成激光器

在光纤通信中，波长区域为1.5~1.6微米的超低耗单片集成光学器件是很引人注目的。最近,利用集成双波导结构，已把波长为1.5~1.6微米的GaInAsP/InP激光器和分布式布拉格反射波导集成在一起。波长为1.58微米的分布布拉格反射-集成双波导(DBR-ITG)激光器，具有纯动态光谱特性，实验证明它能提高光纤的传输带宽。     

MESFETs集成的二极管激光器

集成光学研究者们已经在光纤系统元件的集成化方面，向前迈进了两大步。国际Rockwell微电子研究和开发中心的一个研究小组，用集成法制造了具有金属半导体场效应晶体管（MESFET)发射器的量子阱半导体激光器。他们采用了与单片制造技术一致的方法，Ortel公司的一个小组和加州理工学院研究人员，用集成法制造了光电二极管，金属半导体场效应晶体管放大器以及二极管激光器，以组成集成中继器。     

极低阈值GaInAsP激光器与MISFET在半绝缘InP衬底上单片集成

本文报道了采用单一液相外延(LPE)生长工艺制得1.3微米沟槽形激光器与金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（简称MISFET)单片集成器件。当激光器腔长为300微米时，所获得的阈值电流低至14亳安。在LPE生长的InP层上具有n沟道金属绝缘半导体(MIS)耗尽型场效应晶体管(FET)典型的跨导为5~10亳欧姆。在两倍阈值电流以上演示了由FET电流调制激光器的情况。     

基于PDH技术的光学传递腔的锁定

要实现分子激光冷却,一般需要多束频率稳定的窄线宽激光。提出采用Pound-Drever-Hall(PDH)技术将冷却激光通过光学传递腔的方法锁定到铷原子饱和吸收稳频的半导体激光上,从而实现冷却激光线宽压窄和频率长时稳定的实验方案。设计并制作了法布里-珀罗(F-P)光学腔,建立了光学稳频系统,实现了光学腔到参考光源的锁定。     

移动式激光光反射折射透镜成像演示组合装置

移动式激光光反射折射透镜成像演示组合装置,由安装磁性底座的半导体激光发射器,安装磁性底座的配套用的光学组具,亲磁性示教板,水平、垂直量尺和光屏等组成。半导体激光发射器包括能发射一束光线的半导体激光发射器和能发射两束光线的半导体激光发射器。使用时,半导体激光发射器和光学实验配套用的光学组具,通过磁性底座吸附在亲磁性示教板上、可任意移动组合成各种光学演示实验。不需暗室,可在教室演示光的直线传播、光反射、光折射、透镜成像规律以及光的干涉、衍射等50多个光学实验。     

模折射率透镜光学特性的计算分析

本文从传统几何光学原理出发,用光线追迹的方法来计算研究准直光束斜入射到模折射率透镜(MIL)上产生的像差,以及当半导体激光器与波导端射耦合以MIL作为准直透镜时,输出准直光束的发散情况,并探讨MIL在集成光学频谱分析仪(IOSA)中作为准直或会聚透镜的适用性。计算表明MIL在IOSA中作为准直或会聚均是可行的。     

InGaAsP/InP激光晶体管

日本松下电器制作出InGaAsP/InP激光晶体管,在室温附近已实现连续振荡。激光晶体管是具有半导体激光器和异质结双极晶体管(HBI)两种光功能的集成器件,该公司着眼于研制在饱和时发光的HBT。该器件的光电子集成度很高,光学器件和电学器件的外延结构相同。器件结构是:在n-InP衬底上用液相外延法依次生长集电极层、基极层、发射极层,顶层。基极层由p-InGaAsP构成,厚0.2μm,宽几μm,杂质浓度是1×10~(17)cm~(-3)。发射极层、集电极层是n-InP(5×10~(17)     

第四次欧洲集成光学会议

集成光学装置和开关电路中的波导是用微电子技术在半导体及其他光学材料上制成的。这些波导结抅能控制光线通过集成光学单元的光路。这种装置可用于光的调制、转换和滤光，这里应用的是电-光、声-光、光-光的相互作用。     

半导体集成光学技术

半导体集成光学器件,或者更广泛地说成半导体集成光电器件,愈来愈引人注目,这主要是由于它有利于: (1)降低成本和大批量生产; (2)高可靠性和小型化; (3)改善速度和噪声特性; (4)实现光学外差探测系统,光学开关系统和光学处理器等新的功能器件。目前,在半导体芯片上制造集成光电器件的可行性已由LD/FET,LD/HBT,PD/FET,LD/modulator等的研制成功而得到证     

光电子学微系统—集成光学在硅片上的新工艺

利用硅—微机械元件,可实现光学结构的校准元件(如微光学台),其公差在微米级。这一技术可以有利地与集成光学件组合在一起,以便传输、分路和转换光学信号。机械功能件、电子学和光电子学半导体元件,以混合制造和连接技术,相互拼合在同一块硅     

欧盟圆满完成微加工计划

由欧盟BRITEEURAM计划投资的研究激光亚微米加工的三项计划已圆满结束。借助激光亚微米加工的高精度微型零件和光学模具结构系列以及大批量生产计划(COMPALA计划)在具有一系列令人难忘的革新下已于1999年初完成,其中包括用激光切割0.2mm厚、10μm宽的金属片,用激光在1mm厚...     

红外光学纤维

透2～10微米红外光的光学纤维受到重视,研究工作十分活跃。在信息传输方面。可望传输损耗能比目前1微米液段用的石英光学纤维低二个数量级左右,达到10~(-3)分贝/公里,并希望用来传输加工和医疗用的CO_2激光(波长10.6微米)。目前的工作重心是寻找最佳材料和选择制造方法。主要的材料有重金属氧化物、硫硒碲化合物和卤化物。除玻璃之外,尚在研究多晶或单晶材料。目前已经能制作芯径50～250微米、长100米、损耗300分贝/公里的卤化玻璃纤维,能透20瓦CO_2激光的多晶纤维,以及长1.5米的单晶纤维。     

日富士通公司开发成功256兆位DRAM

<正> 日本富士通公司于今年(1993年)1月在日本电子情报通讯学会召开的“半导体材料、器件研究会”上宣布开发成功第一块256兆位DRAM。 这种新开发的256兆位DRAM芯片采用准分子激光光源的光学片子步进机与电子束直写系统混合曝光技术制成,最小线宽0.2微米,芯片面积为400平方毫米(16.1×24.9mm),单元面积0.67平方微米,存取时间为40纳秒。     

一九八七年美国西南半导体激光器专题会议

Ⅰ、关于第十届IEEE半导体激光器会议情况的报告(1986年10月在日本金泽市举行)。Ⅱ、噪声、线宽和稳定性1.半导体激光器中的相位噪声及用光学方法减小相位噪声。2.激光二极管线宽与端面反射率和输出功率的关系。3.光栅外腔半导体激光器功率不稳定     

表面激光器

本文报导了PrCl3和PrBr3中的室温可见激光作用,用波长可调的染料激光器完成了上激光能级的直接光学泵浦。阈值小于1微焦耳。聚焦在晶体的解理面上的激励光在几微米的厚度内引起超辐射激光作用。并指出它可以在光集成网络中作为有源元件,每平方吋内可有10⁶只以上的独立激光器。     

专利

半导体激光泵浦固体激光系统由半导体激光器阵列、梯度折射率透镜阵列组成.半导体激光器阵列有很多激发激光的条形结构,激光阵列发出激光通过梯度折射率透镜会聚到固体激光器的端面上实现用光学方法泵浦固体激光.(美国专利号:5369661)     

亚微米分辨率的激光照相记录仪径向位移系统的分析和实验研究

衍射元件(开诺型)激光制作工艺的发展在光学上同工艺用成套设备的程序和仪器装备的完善密切相关。这些成套设备的仪器手段中独特之处属于激光图像生成器(ЛГИ)和激光照相记录仪(ЛФи)。目前保证亚微米分辨率和提高生产率的新一代的ЛГИ已被深入研究。对用极坐标系工作的、例如在光信息记录位置或存储盘格式编排位置工作的ЛФи观测了类似的过程。     

集成化光盘用读取光学头

大阪大学工学部西原浩教授所在的小组，开发了单片集成的光盘用读取光学头。这一试制品还未达到完全实用程度，而且，由于固定在衬底上的衍射光栅作为透镜使用，必须用稳定工作的单纵模半导体激光器。但这展示了象大规模集成电路的制造一样批量生产小型、轻量光盘用读取光学头的可能性。     

PIN PD+InP MISFET

随着半导体激光器、发光二极管和光探测器等半导体光电器件的高性能化和高可靠性化,在这个领域内,对以实现更高速、多功能器件为目的的单片集成回路的研究工作也逐渐活跃起来。这里介绍的PIN—FET就是将PIN光电二极管(PIN PD)和MIS结构的FET放大器在半绝缘衬底上单片化的器件,是一种旨在用于目前正在成为光纤通     

新环形半导体激光陀螺仪

介绍了一种新型半导体环形激光陀螺仪,它集合了传统He-Ne激光陀螺仪简单的结构方案和光纤陀螺仪成本低廉的优点。从理论上分析了该陀螺仪的精度,及其与各参数之间的关系,并提出了信号读出和转向判别的处理方法。最后,从集成光学的角度,给出了单片的半导体激光陀螺仪的设计结构。理论计算表明,当无源环形波导谐振腔的直径为40mm时,单片的集成光学半导体激光陀螺仪的精度可以达到0.032rad／s。