半导体科学技术的发展预测和对策

半导体科学技术的发展预测和对策石家庄电子工业部第１３研究所（石家庄０５００５１）金圣东在今后一段时期，半导体科学技术的发展仍会突飞猛进，产品的更新换代依然日新月异，市场的竞争将更加激烈，向应用领域的渗透无所不及，其在产业排序中将占居首位。如不了解空前...     

与时代同步的半导体工业——美国半导体公司访问记

从空中俯瞰硅谷，街道纵横、错落有秩，宛如一枚巨型芯片，道路上穿梭的汽车好似其高速涌动的电流，生生不息。 美国半导体工业发展离不开技术的创新，而其旺盛的生命力就更离不开技术成果的快速上市。记者受美国 ＧＬＯＢＡＬＰＲＥＳＳ公关公司邀请，与１０多位来自亚太地区的记者一同访问了位于美国加州硅谷和亚历桑那州的多家半导体公司。给记者印象最深的是，几乎所有半导体公司的产品都离不开高速增长的通信、互联网及消费类电子产品市场，他们都各自盘算着该如何闯荡，求取生存发展。Ａｌｐｉｎｅ：独特的封装技术开新业 Ａｌｐｉｎ…     

2005/2010年的全球半导体

讨论了2005/2010年的全球半导体市场、半导体工艺、半导体设备和中国半导体产业。同时, 还介绍了ITRS2001、摩尔定律对2005/2010年全球半导体的预测。     

半导体物理的一些新进展

<正> 1980年第15届国际半导体物理会议上,日本物理学家植村泰忠曾预言半导体物理研究的对象将从晶态转向非晶态,以体内转向表面,从天然存在的材料转向人工设计的材料,对半导体中缺陷的研究将从浅能级转向深能级。对稳态过程的研究逐步转向对瞬态的研究。将近十年的工作大致是沿着他的预测发展的。在异质结构、量子阱、表面和界面,半导体中的缺陷以及非晶态半导体等领域的理论和实验研究都有些饶有兴趣的结果,不仅加深了对物理现象     

半导体致冷技术概述

本文在简要叙述了温差电三个基本效应之后,回顾了半导体致冷技术的发展概况,然后着重叙述半导体致冷材料和微型半导体致冷器的实验研究所取得的基本结果。     

用于Ⅱ──Ⅵ族半导体材料光学双稳特性测试装置

本文介绍了研究Ⅱ—Ⅵ族半导体超晶格光双稳特性的实验装置以及实验结果。     

宽禁带GaN基半导体激光器进展

宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系,其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。     

中国半导本设备业寄望于技术创新

据SEMI统计，2006年全球半导体产业、半导体设备业和半导体材料业的市场总额分别为2490亿美元、410亿美元和360亿美元。2007年，全球半导体总产能将比2006年增加17％。从2000年到2007年，中国半导体产业生产总值增加了859％，增长速度居全球首位，消费类电子产品成为半导体市场主要的推动力量。[第一段]     

金属氧化物气敏半导体表面受感性能的研究

本文提出了用化学反应动力学理论研究半导体统计分布的方法，并用此方法对在气敏材料表面可能产生吸附氧离子Ｏ２＾－，Ｏ＾－的几种历程进行了研究，导出了浓度比［Ｏ２＾－］／［Ｏ＾－］随温度的升高而下降的事实，通过对吸附氧离子麦德隆势的计算，得出了在完整离子晶体表面上不可能产生氧离子Ｏ＾－的结构，并讨论了可能产生离子Ｏ＾－的途径。     

分立器件发展继续呈稳健态势 中国市场更具潜力

<正>1分立器件市场的现状半导体产业的发战士于分立器件,是半导体产业的最初产品,尽管集成电路的发明和集成电路的迅速发展使一些器件已集成进集成电路,但由于分立器件的特殊性,使之仍为半导体产品的重要组成