压电微位移器在超微定位系统中的应用

介绍了压电微位移器在超微定位系统中的应用，给出了一种二维超微定位机构及其控制系统，实验结果：定位系统行程１０μｍ，定位精度１０ｎｍ，定位分辨力２ｎｍ。     

激光星间通信终端精瞄微定位系统研究现状

激光星间通信是未来通信的最佳解决方案之一,激光束的捕获、瞄准和跟踪技术(APT)是激光星间通信的关键技术。精瞄微定位系统是APT系统的重要组成部分,与粗瞄系统配合执行激光束的捕获、瞄准和跟踪任务。该文介绍了精瞄微定位系统的关键技术,详细阐述了精瞄偏转镜机构、驱动检测技术及控制方法等关键技术的国内外研究现状,指明了系统的发展趋势,对进一步研究微定位系统具有指导意义。     

通信

0626575激光星间通信终端精瞄微定位系统研究现状〔刊,中〕/邵兵//压电与声光.—2006,28(4).—393-396(L)激光星间通信是未来通信的最佳解决方案之一,激光束的捕获、瞄准和跟踪技术(APT)是激光星间通信的关键技术。精瞄微定位系统是APT系统的重要组成部分,与粗瞄系统配合执行激光束的捕获、瞄准和跟踪任务。该文介绍了精瞄微定位系统的关键技术,详细阐述了精瞄偏转镜机构、驱动检测技术及控制方法等关键技术的国内外研究现状,指明了系统的发展趋势,对进一步研究微定位系统具有指导意义。参271310电信业务及其传输技术0626576基于空间的信…     

二维时差定位系统时差对分布研究

研究了二维时差定位系统在平面中各点对应于三站的两组时差即时差对的相互关系，得到了二维时差定位系统时差对的分布规律。     

钕玻璃微球荧光谱中共振结构的分析

本文在理论上模拟了钕玻璃微球在８１０ｎｍ波长附近的共振光谱，并通过与实验结果的比较识别和分析了出现的模式。发现序数为１５、１６的模式在光谱中占主导地位。     

基于ROS与三维点云图像的室内物体精准定位

考虑到ROS SLAM构建的地图只能描述环境的二维信息,三维点云图像只能描述物体独立的三维信息等特点,本文融合了ROS SLAM的Gmapping算法构建的室内二维地图与物体的三维点云图像信息,提出了一种复合坐标定位系统。首先对不同室内进行分类,进行一维坐标的标定,其次通过对Gmapping算法构建好的地图等进行二三维坐标标定,再结合空间信息构成外部坐标系φ,最后通过对采集到的物体三维点云坐标进行仿射运算获得物体基于外部坐标三维坐标,结合一维坐标,对物体进行复合四维坐标定位。整个定位实验数据表明,物体室内的位置平均测量误差只有4.2cm,其定位精度比起常见的超声波与红外线定位系统提高6.7%,比基于蓝牙角度测量的定位系统定位精度提高20%,比超宽带定位系统提高72%。物体定位误差小,定位精准。     

大面积循环扫描投影光刻对准系统设计和分析

设计了大面积循环扫描投影光刻的高精度对准系统,由CCD传感器、图像识别软件和共焦显微镜组成的光学测量系统和对掩模和基片的相对位置作二维和角度及时修正的精密定位系统两部分组成.标记图像的二维方向扫描分别借助光刻平台的移动和振镜的高频振动来完成.理论分析了标记位矢对准、共焦成像和CCD信号相关双采样关键技术.根据掩模和基片对应位矢的夹角余弦值大小控制基片的旋转和平动,对准更方便快捷;由共焦成像系统二维响应函数的推算,针孔滤波对提高成像分辨率很重要;对CCD像元电荷包实时准确地采样,是排除噪声干扰的关键.     

三维多芯片微组装组件

三维多芯片组件（3D-MCM）是在二维多芯片组件（2D-MCM,通常指的MCM均系二维）技术的基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于：3D-MCM是采用三维(x,y,z方向）结构形式对IC芯片进行三维集成的技术,而3D-MCM则是在二维(x,y方向）对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进入高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向,是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术。     

动力定位系统应用技术研究

动力定位系统是深海作业的船舶配套关键技术。文中介绍了海洋工程船舶动力定位系统的发展和目前我国海洋工程船舶的动力定位系统现状,同时分析了动力定位系统的控制技术和基本构架,并对动力定位控制技术的发展难点做了初步分析和展望。     

压电驱动三维纳米这位系统的研究

在纳米科学与技术领域,纳米定位技术是实现纳米加工与测量的关键技术.本文作者采用柔性铰链为弹性导轨、压电陶瓷为微位移驱动器,设计了一种新颖的三维纳米定位机构.给出了其刚度公式和动力学模型,对压电陶瓷的压电误差及其补偿方法进行了分析.结合激光干涉仪微位移检测装置.设计并研制了数字闭环控制的三维纳米定位系统.验表明,该纳米定位系统定位精度优于±0.03 μm,定位分辨力3 nm.最大定位时间40 ms.     

叠层片式电感的短路失效模型

通过对叠层片式电感器短路失效样品的电性能测试和显微分析可知,叠层片式电感器的短路主要为引出端短路和介质层短路,其根源在于铁氧体的粒度、浆料分散性、丝网制作及烧结工艺,通过完善球磨工艺、改变加料方式、减少丝网乳胶厚度、控制成型和烧结工艺,可使短路率由15%以上降低为6%以下。     

3-GHz 15-W Silicon Bipolar Transistors

Silicon bipolar transistors delivering 15-W CW output power with 4.8-dB gain and 38-percent collector efficiency have been developed at 3 GHz. The transistors have been fabricated by boron ion implantation for base region and arsenic diffusion from doped polysilicon for emitter region. Chemical dry-etching techniques for fine patterning and internal-matching techniques have been applied.     

二相编码信号旁瓣抑制的频域处理方法

本文研究了雷达脉冲压缩信号中二相编码的距离旁瓣抑制问题，分析了二相码的频谱结构，采用频域数字处理技术，提出了一种基于网络综合的旁瓣抑制滤波器（SSF）的频域设计方法。并以15位M编码为例，对SSF的处理性能进行仿真分析。通过仿真实验表明，使用这种方法，能够达到非常理想的副瓣指标。     

电子 ID身份鉴别技术——卡技术及其应用

文章介绍了电子ID身份鉴别的主要密码技术,并简要介绍了有关基于IC卡的电子令牌应用规范,并描述了PKCS＃15电子令牌信息格式。     

MEMS THz滤波器的制作工艺

基于MEMS技术制作了太赫兹(THz)滤波器样品,研究了制作滤波器的工艺流程方案,其关键工艺技术包括硅深槽刻蚀技术、深槽结构的表面金属化技术、阳极键合和金-硅共晶键合技术。采用4μm的热氧化硅层作刻蚀掩膜,成功完成了800μm的深槽硅干法刻蚀;采用基片倾斜放置、多次离子束溅射和电镀加厚的方法完成了深槽结构的表面金属化,内部金属层厚度为3~5μm;用硅-玻璃阳极键合技术和金-硅共晶键合技术实现了三层结构、四面封闭的波导滤波器样品加工。测试结果表明,研制的滤波器样品中心频率138GHz,带宽15GHz,插损小于3dB。     

The subtleties and intricacies of building a constraint length 15convolutional decoder

A series of algorithms, circuit designs, and analytical techniques as well as a few tricks are presented. Each is essential to the design, which created a constraint-length-15, 1-Mb/s Viterbi decoder. The focus is the maximum-likelihood decoding of very-long-constraint-length convolutional codes, but many of the concepts will find other applications ranging from extremely fast constraint-length-7 decoders to software simulations of codes with constraint lengths even longer than 15. The constraint-length-15 decoder is now working and will form the basis for the coding system used in the next generation of deep space probes     

Special Issue on Remote Sensing of Building Interior

The 15 papers in this special issue focus on remote sensing of building interior and can be categorized into: 1) system design and instrumentation; 2) advanced imaging techniques for elimination of glint from large flat wall structures; 3) radar polarimetry; 4) passive microwave radiometry; 5) advanced forward models based on high-frequency methods as well as full-wave solutions based on finite-difference time-domain technique for large-scale problems; and 6) detection and identification techniques of behind the wall stationary and moving concealed and unconcealed targets.     

α-Si-H TFT及有源矩阵选址平板液晶显示

本文报道了用于平板液晶显示(LCD)的氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)的研制结果,此晶体管开态电流约10~(-6)A,关态电流<10~(-11)A,开启电压～15V.用此α-Si:H TFT矩阵已封装出具有20×20个有效象素单元的液晶显示平板,并成功地实现了有源选址与动态显示功能.同时,对如何进一步提高TFT性能作了一些分析与讨论.     

Electron and hole mobility enhancement in strained SOI by waferbonding

N- and p-MOSFETs have been fabricated in strained Si-on-SiGe-on-insulator (SSOI) with high (15-25%) Ge content. Wafer bonding and H-induced layer transfer techniques enabled the fabrication of the high Ge content SiGe-on-insulator (SGOI) substrates. Mobility enhancement of 50% for electrons (with 15% Ge) and 15-20% for holes (with 20-25% Ge) has been demonstrated in SSOI MOSFETs. These mobility enhancements are commensurate with those reported for FETs fabricated on strained silicon on bulk SiGe substrates     

Design considerations for databus charge recovery

The charge recovery databus is a scheme which reduces energy consumption through the application of adiabatic circuit techniques. Previous work gives a solid theoretical analysis of this scheme, including quantitative data assuming random bus values. We extend this earlier work by presenting a quantitative analysis of the charge recovery databus using 15 benchmarks and four high level bus coding schemes. We show that a very simple implementation of the charge recovery databus is capable of reducing average energy consumption by 28% beyond traditional high-level bus encoding techniques. In addition, we examine delay and energy consumption in the added hardware