国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应

功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措施,使器件的抗单粒子能力显著提升。结果表明：对250 V KW2型功率MOSFET器件进行Bi粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到250 V;对500 V KW5型功率MOSFET器件进行Xe粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到400 V,并且当栅压为-15 V时,安全工作的漏极电压也达到400 V,说明国产中、高压功率MOSFET器件有较好的抗单粒子能力。     

面向嵌入式应用的混合信号示波器

AUIRS2016S是一款高电压功率MOSFET高侧驱动器,具有内部电压尖峰对地充电NMOS。这款器件的输出驱动器配备一个250mA高脉冲电流缓冲级。相关沟道能够在高侧配置中驱动一个N沟道功率MOSFET,可在高于地电压达150V的条件下工作。AUIRS2016S还可提供负电压尖峰免疫性（VS）,防止系统在大电流切换和短路情况下发生灾难性事件。     

证明功率MOSFET低泄漏的简单触发器电路

图1中的新颖电路表示出当代典型的功率MOSFET有极低的栅极泄漏电流。你会发现，在适当干燥的环境中，这些器件可以保持自身状态数天之久。工作中，如果MOSFET Q1关断，负载（也许是一个灯或蜂鸣器）将Q1漏极拉到接近12VDC电源电压。R2将C1充至接近相同电压。     

功率MOSFET参数测试仪的设计

功率MOSFET参数测试仪是用来测试功率MOSFET电特性参数的仪器设备（如阈值电压、跨导等）。以单片机为核心，介绍功率MOSFET参数测试仪的原理、设计及实现，设计了电特性参数测试的具体电路，编写了测试控制程序，通过对设计出的测试仪系统进行实验和调试，可以准确测量功率MOSFET的阈值电压、跨导、栅源漏电流、零栅压漏极电流及耐压。     

低Rds(on)P沟道技术

功率MOSFET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏极－源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。同时，便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小，因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来，为同时减小Rds(on)和封装尺寸，生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进，功率MOSFET是典型的立式器件，漏极位于芯片的底部，源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成，先进行一次体…     

三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法

二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。     

英飞凌30V车用MOSFET具备全球最低通态电阻

英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS—T230V MOSFET是一款N沟道器件,在10V栅源电压条件下,漏极电流为180A,而通态电阻仅为0．9毫欧。     

一种新型的3kw推挽DC-DC变换器

摘要：针对推挽DC/DC变换器,功率超过1kw时,随输出功率增加,开关管关断时次级漏感引起MOSFET尖峰增加,同时MOSFET开通损耗加大。提出一种双变压器LC串联谐振软开关电路,两个变压器采用初级绕组并联,次级绕组串联,实现LC串联谐振软开关,实现MOSFET在零电压下开通或零电流下关断,从而降低开关管开通与关断漏感引起的尖峰。给出了电路结构图和软开关原理,并分析电路工作过程,根据原理,电路采用两个EE65B高频磁芯变压器,制作48V输入、380V直流输出的3kw的DC/DC LC串联谐振变换器。实验证明,通过对比MOSFET的漏源极电压实验数据,串联谐振电路可以大幅度减小MOSFET开通损耗与关闭时漏感引起的尖峰值。     

600V单通道高压端驱动IC

AUIRS2123S和AUIRS2124S高速功率MOSFET和IGBT驱动器符合AEC—Q100标准,可以提供10V至20V的栅极驱动电源电压。输出驱动器具有适用于最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲过程,而浮动通道可用来驱动在600V电压下工作的高压端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。这两种器件均具有负电压尖峰（V5）免疫性,可防止系统在大电流切换和短路情况下发生损坏事件。     

带有肖特基漏极和场板结构的反向阻断垂直MOSFET研究

提出了一种采用肖特基漏极(SD)与场板相结合、实现硅基垂直MOSFET器件反向阻断应用的技术。基于该技术,采用二维仿真提出并研究了两种新型垂直MOSFET器件,即带有垂直场板(VFP)的SD-VFP-MOS器件和带有倾斜场板(SFP)的SD-SFP-MOS器件。相比采用肖特基漏极的MOSFET (SD-MOS)和采用超结和肖特基漏极的MOSFET(SD-SJ-MOS),所提出的SD-VFP-MOS,尤其是SD-SFP-MOS,反向击穿电压有显著提高,且几乎不影响导通特性。开展了器件的开态电流密度、关态电势分布、关态电流密度和电场分布分析,揭示了VFP和SFP提高器件反向阻断能力的内在机理。详细讨论了场板结构参数对器件反向击穿电压和场板效率的影响,研究结果对于SD-VFP-MOS和SD-SFP-MOS的设计具有重要意义。