片式元件三层端电极技术

研制出了ZF410低应力镀镍、ZF305中性纯锡电镀液和添加剂,并在片式元件三层端电极上获得成功应用。介绍了该工艺的主要性能及具体工艺配方。该工艺解决了片式元件基材腐蚀问题,所镀产品质量稳定可靠,各项指标均符合IEC—384—10标准;实现了片式元件无损电镀工艺的国产化,降低了生产成本。     

电子元件、组件

TN60 2003030760片式多层电容电阻复合元件的研制/周少荣,陈世忠,陈锦清介电子元件与材料.一2002,21(6)一6一7,19采用低温共烧陶瓷(LT CC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和颇率特性.结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值.图6表1参6(刚)TM53 2003030766电化学电容器最新研究进展1.双电层电容器/杨红生.周啸,冯天富,汤孝平(清华大学)11电子元件与材料一2 003,22(2).一13-16,1…     

片式MLC三层端电极工艺技术

我厂研制成片式多层陶瓷电容器三层端电极已有五年多了。其中镍和铅锡镀液、制造工艺、微型电镀设备等全部自行设计，并生产出大量适用于ＳＭＴ，如电子调谐器，厚膜电路、电子手表中用的产品。近期又地该工艺的成熟性进行研究，即电镀后产品的电性能提高，镍和铅锡镀液的维护，片式电阻和电感三层端电极材料研制，使片式元件三层端电极技术系统化。     

电子元件、组件

TN60·95020654片式阻容元件的现状和发展方向/戴富贵(宏明电子实业总公司)11电子元件与材料一1 994,(5)一6一11 在国外的片式元器件中,片式阻容元件发展最快,主要表现为片式化率迅速上升,文章综述了国外阻容元件在这方面的进展,指出我国的差距,提出了我国如何发展的措施.图2表2参5(许)代瑛,李同泉,陶文成(昆明贵金属所)11电子元件与材料一1994,(6),一16~21 通过在钉系电阻浆料配方中加人多种金属及金属氧化物粉末的大量实验,推出了制备高性能钉系低阻值厚膜电阻浆料的方法。图8参3(许)TM54 95020655高性能钉系低阻值厚膜电阻浆料的研究/…     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。     

多层片式Zn0压敏电阻器的现状与发展方向

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用，介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO—Bi2O3系、ZnO—玻璃系、ZnO—V2O5系及ZnO—Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状，并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解．     

电子元件、组件

TN6 0005049421世纪之初我国电子元件发展战略探讨/张如明(电子部43所)11电子元件与材料一2000。1D(l)一32一33在世纪之交时,结合世界电子元件发展总趋势,对我国电子元件工业发展提出了新的要求,也指出了新世纪初的三个难得的机遇:(l)移动通信业的国产化率大幅度增长;(2)计算机市场的高速增长;(3)片式元件及相关技术的发展潜力很火并设想了几种我国电子元件发展的模式、强调人才在电子元件企业中的重要作用参2(许)1入6U 0005(〕组95编带电子元器件点数仪的设计/邓浩(苏州有线电一厂一)刀电一子工程师(江苏).一2000.(4)31一32介绍了编带电…     

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TN60 00010561高场强下铝阳极氧化膜中相关元素的分布及其介电性能/袁战恒,孙海君,徐友龙,曹婉真(西安交通大学)It电子元件与材料.一1999,18(4)一11一12,15利用俄歇电子能谱仪(AES)分析了高场强下不同条件形成的阳极氧化膜中相关元素的分布,分析表明膜中不同程度存在B、C、P等相关元素.测试其相应的介电性能表明氧铝比R(O:AI)接近于1.5时其介电性能较好.图5表3参4(许)电子元件与材料.一1 999,18(4)一34一4()根据多层瓷介电容器的结构特征,全而概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势,重点论述了多层压敏电阻器,多层…     

电子元件、组件

TN6 01020587真(华中理工大学)11电子元件与材料一2()(川,19(3).-电子元件与材料/曲喜新(电子科技大学)I]电子元件与材23一24料一2()()0,19(4).33一36极化电极、电解液和隔离膜是液体双电层电容器的主要组成部系统介绍了电子元件与材料,论述了它们的类别、发展历程及分.实验分析了它们对电容器电性能的影响.在此基础上,试最新发展.表3(许)制出的模型电容器的电容量C超过IF、漏电流I以ZV偏 压下)小于0 .smA,等效串联电阻ESR低于11)几.图3TN6 01020588表2参3(许)浅谈电子元器件失效/陈旭标11电子元件与材料一2 000,.19(4).一42一43 TA/…     

电子元件、组件

TN6 02020520新型片式元器件在电子信息技术领域的应用/向勇,谢道华(天津大学)11电子元件与材料一2001,20(3)一16一18综述了片式元器件的最新发展动态.重点讨论了现代电子信息产业全面促进新型片式元器件在体积微型化、结构复合化;以及在高频段、精密微调等高性能化应用方面的新进展.表1参8(刚)的优点.尽管ZnO的电容量不及SrTIO3,但由于ZnO压敏电阻的制备属常规工艺月成本低廉,在要求价格低的直流微电机应用领域,只要提高2 no环形压敏电阻器的压敏特性,它仍具有较高的实用价值.图4表1参4(刚)〕’N60 02020521电子元件参数漂移的M中Ito…     

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TN6() 950]0651MOD一snoZ酒敏元件研制/林海安,吴冲若,邱洁真(东南大学)lI电子元件与材料一1994,(4)一24~27 采用金属有机物热分解MOD法制备sno:酒敏元件、XRD和AES谱表明热处理后已酸亚锡已转化为sn02.此外还证实了sn02元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势.图8表1参3浒)流量,能够制造出性能优异的ZnO压敏电阻器.图3表2参4(许)TM54 95010652铂热电阻温度测最电路的设计/丁胜群,张时帆11集成电路应用一1994,(5)一6~7,5 介绍一种铂热电阻温度测量电路,该电路采用恒定电流给四线制铂热电阻供电,利用高阻输人放大器,减小了导线电阻的…     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

电子元件、组件

丁N6 94050689高频电子陶瓷元器件在移动通信中的应用及发展动向/薛泉林(电子部7所)lj电子元件与材料一1994.(2)一1一4 移动通信产品是当前发展迅速的热门电子整机产品.它的使用频率高、且要求轻巧、便于随身携带.高频电子陶瓷元器件能很好地满足上述要求,在移动通信产品中已获得应用,移动通信的发展将进一步促进电子陶瓷元器件的发展.表3(许)丁M54夕4U今U6,4保护玻璃对片式电阻的影响/白勇祥,张国春刀电子元件与材料一1994,(2)一54一55 厚膜片式电阻器用保护玻璃除考虑保护玻璃的热匹配性、化学稳定性、电绝缘性和密封性外,玻璃的组成、…     

电子元件、组件

TN6O Zt川4U匕U吕,U第+七届(2 004)中国电子元件百强经济分析/中国电子元件行业协会信息中心(中国电子元件行业协会信息中心)11电子元件与材料一2004,23(4)一51一55从销售收入、出口创汇、产品集中度、不同经济成分、行业发展特点等方面分析了第十七届中国电子元件百强企业的经济状况.探讨了元件企业面临的机遇与挑战.本届百强企业共完成销售收入58 5 .63亿元,首次突破5 00亿元,比上年度净增123.23亿元,增长26.25%出口创汇30.05亿美元,增长了37.21%百强企业主要集中在浙江、广东、江苏、福建、上海五省市.百强企业中各种所有制企业销售收…     

电子元件、组件

TN6() 95060643双绞线的应用技巧/张捍东(华东冶金学院)11电子技术应用一1995,(9)一31 (金)TM54 95060644快速烧银工艺一一200压敏电阻器银电极制备/史利民(西安无线电二厂)11电子元件与材料一1995,14(4)一60~62 对MYD一7K820氧化锌压敏电阻瓷片银电极制备工艺进行了研究,介绍一种快速烧银工艺,不仅可提高生产效率,还有效改善产品可靠性,降低生产成本.表3(许)’TM54 95060645新型高能z一0陶瓷线性电阻/袁方利,徐业彬,程杰,季幼章(中国科学院等离子物理所)11电子元件与材料一1995,14(4)一18~21 ZnO陶瓷线性电阻是一种新开发的电气元件.…     

多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

介绍多层片式znO压敏电阻器的材料组成、电板材料、生产工艺及电性能，并与圆片引线型压教电阻器进行了比较。多层片式znO压教电阻器具有许多优点，如体积小、通流容量大，响应速度快，表面安装性好和实现低压化等，流延和电镀是多层片式压敏电阻器生产中比较重要的工艺。最后指出多层片式压敏电阻器的方向。     

磁性材料、超导材料和器件

TM271 00020056多层片式抗EMI滤波器工艺研究/周海涛,张怀武(电子科技大学信息材料工程学院)11磁性材料及器件一1999,30(4)一12一14,62以NIZnCu铁氧体为原材料,通过适量掺杂BiZO3作为降温烧结剂,将铁氧体烧结温度降至920℃,从而实现NiznCu铁氧体与Ag内电极的共烧匹配.再经特殊设计及技巧改良,制作出磁性能优良的多层片式电感器(MLCI)和非常适合高密度表面封装技术(SMT)要求的多层片式滤波器(MLCF).图4参3(午)均匀准方形Q一Fe203颗粒的制备/李冬妹,李明辉,王卉,曲胜春,贺强,刘旭东(吉林大学)刀吉林大学自然科学学报.一1999,(3)一…     

片式元件多层化技术概论

矩形片式元件在众多表面贴装元件(SMC)门类中,开发应用最早,产销量最大,始终保持领先地位。其中包括两大类代表品种:其一,以厚薄膜工艺制造的具有基片、电阻体、玻璃和导电体单层组合结构的片式电阻器;其二,以多层厚膜共烧工艺制造的具有交叠电介质与电极层独石一体化(Monolithic)结构的片式多层瓷介电容器(MLCC),或称片式独石电容器。MLCC源于有     

国外部分片式体声波和声表面波器件的近况

近年来,国外采用表面贴装技术把片式元件固定在印刷电路板上,取代了标准的DIP和带轴向/径向引线元件的组装技术。这一技术的更新,导致了片式电子元件的迅猛发展,并广泛用于各种消费类电子产品中。本文主要介绍日本新近生产的几种片式体声波(BAW)器件和声表面波(SAW)器件的结构、制法,及其主要性能和应用。     

片式MLC端电极电镀技术

为提高片式多层瓷介电容器(MLC)端电极对焊料的浸蚀性、耐热冲击性和可焊性,需在其底电极上施镀Ni和Sn/Pb合金层。本文着重介绍片式MLC端电极镀Ni与镀Sn/Pb电解液配方及其工艺参数,并就镀液中的某些成分、载流媒体的选择等进行较为详细的讨论。