Bi2Te3热电材料研究现状

Bi2Te3热电材料是半导体材料,室温下具有良好的热电特性,能够实现热能和电能的相互转化,应用前景十分广阔。Bi2Te3热电材料的转换效率低是影响其应用的瓶颈之一,目前世界范围内的研究热点主要集中在如何提高热电材料的能量转换效率上。综述了热电材料的种类、国内外关于Bi2Te3热电薄膜的制备方法和性能研究,对多种典型制备方法进行分析对比,探讨了影响Bi2Te3热电薄膜质量的因素及机制。结合Bi2Te3热电薄膜在温差发电和热电制冷方面的应用,如果微型热电制冷器实现与大功率LED芯片集成封装,那么芯片级低温散热问题有望解决。     

如何选择热电冷却器--了解冷却器件的工作原理,可以为过热的系统降温

热电冷却系统问世已经很久了，但到目前为止它们仍是不用空气或压缩机进行电路冷却的最有效方式。它们的工作原理是什么?怎样使用?如何为具体的应用选择合适的热电器件?     

SnSe的制备方法、热电性能及潜在应用

硒化锡(SnSe)具有极低热导率、高功率因子和高热电优值,是一种性能优异的热电材料。SnSe的热电性能与其结构和掺杂状态密切相关。从SnSe的基本特性出发,介绍了SnSe的典型制备方法,综述了SnSe的热电性能及光(热)电性能,讨论了SnSe在光伏、锂离子电池、柔性热电器件及相变存储器等领域的潜在应用,总结了目前SnSe研究中存在的问题,并对提高其低温热电性能的方法进行了展望。     

热电制冷技术的研究进展北大核心

热电制冷（TEC）已成为制冷领域的一个重要发展方向,但是由于其转换效率过低且材料成本较高,目前难以得到广泛应用。对热电制冷技术进行了简要介绍,并综述了热电制冷技术的研究进展,包括热电材料、结构优化和散热方式。讨论并分析了有机热电材料和无机热电材料的热电性能、不同结构设计所导致的性能系数、不同散热方式对制冷效率的影响。最后,对热电制冷技术的优化进行了简单总结,只有不断提高热电材料的优值系数,并选择合适的结构设计和散热方式,才能使热电制冷技术在各个领域拥有更大的发展空间。     

高速通信光模块热控系统设计

为了测试高速通信光模块在极端环境下的工作性能，并提升其出厂测试效率，设计了高速通信光模块热控系统。使用该系统不仅可以实现单独测试QSFP-DD封装模式的光模块，还可以实现双通道并行测试QSFP-28封装模式的光模块，成功使光模块测试效率提升一倍。首先，根据半导体制冷器的特性设计了待测试件热电制冷器组件，Flotherm的仿真结果表明热电制冷器组件可用。接着，根据半导体制冷器的原理及特性，设计了热排散系统。最后，将热控系统与水冷机的控温效率和效果做对比。实验结果表明：热控系统可以在110 s内实现光模块壳温在0～65℃之间的快速调控。热控系统基本满足对常用封装方式的高速通信光模块的控温需求，且相对于水冷机而言，具有小型化、低噪音、零震动的优势，更利于光模块集成化测试。     

无机及有机高分子材料的热电特性测量

为了发展无污染的热电转换清洁能源,近年来国内外加速对无机和有机热电材料的研究,而对于高阻值无机和有机热电材料的宽温区热电转换性能测试方面,目前很多研究学者仍遇到一些困难。本文论述了最新研制的一种高阻值、宽温区塞贝克系数测量系统,该系统设计制造了具有高真空度和多重电磁屏蔽的真空测试环境,一个高稳定度、高精度的温差控制平台以及在高阻条件下的微弱电压信号检测的电路系统,从而为无机、有机高分子材料薄膜或块状样品提供一种准确、稳定、精度高?操作方便、快速的测量装置,实现温度从低温 80Ｋ到高温大于500Ｋ的宽温区范国内连续变化,可准确测量超高电阻>1012Ω的材料的塞贝克系数。     

自供电可穿戴碲化铋基照明电子设备

5G通讯、电子皮肤等“新基建”产业迫切需要发展可穿戴柔性热电器件，用于捕获环境微能源发电实现电子设备自供电。为提高热电器件的发电性能和柔韧性，通过焊接技术结合掩膜工艺制备了一种基于热电效应的自供电可穿戴碲化铋基照明电子设备。采用高热导率的硅胶柔性基底，将碲化铋和碲化锑热电颗粒分别焊接在铜电极上，实现整个电路的连通，获得可穿戴柔性热电器件。该热电器件在温差为11.2 K时，可输出电压为214 mV,最大输出功率可达3.64 mW,且经历1000次弯曲循环后发电信号输出稳定。将该热电器件贴在人体皮肤上并与升压芯片连用，无须散热器就能正常点亮二极管。所研制的柔性热电器件表现出较好的发电性能、较高的可靠性且具有良好的应用前景，这为自供电可穿戴电子设备的开发提供理论基础与技术支撑。     

红外探测器性能一览表

本报导根据一些制造厂家所提供的数据概要列出了各种探测器的特性和价格,对它们进行了比较。但主要限于只对红外信号有响应的热电器件和半导体探测器,也包括有一些探测器阵列数据。表Ⅰ所列为热电探测器。这种器件具有很宽的波长响应(一般由100毫微米以下到几百微米),但这种响应常受探测器所用窗的     

一种测试半导体制冷器的瞬态方法

ZT值、最大制冷温差和响应时间是表征半导体制冷器性能的重要参数.文中介绍了一种能同时测量这三个参数的瞬态方法,并讨论了热沉对测试结果的影响.利用一个由恒流脉冲发生器和数据采集卡组成的简单测试系统测得制冷器在小电流下的电阻电压和塞贝克电压,通过这两个电压推导出ZT值、最大制冷温差.这种瞬态方法是非接触式测量,准确度高,可用于薄膜热电器件测试;另外瞬态方法耗时短,可大大缩短半导体制冷器可靠性测试的周期.采用这种方法对4mm×4mm×2.4mm的热电制冷器进行实验,环境温度300K时,测得ZT值为0.39,最大温差58.5K,响应时间20s.     

一种测试半导体制冷器的瞬态方法

ZT值、最大制冷温差和响应时间是表征半导体制冷器性能的重要参数.文中介绍了一种能同时测量这三个参数的瞬态方法,并讨论了热沉对测试结果的影响.利用一个由恒流脉冲发生器和数据采集卡组成的简单测试系统测得制冷器在小电流下的电阻电压和塞贝克电压,通过这两个电压推导出ZT值、最大制冷温差.这种瞬态方法是非接触式测量,准确度高,可用于薄膜热电器件测试;另外瞬态方法耗时短,可大大缩短半导体制冷器可靠性测试的周期.采用这种方法对4mm×4mm×2.4mm的热电制冷器进行实验,环境温度300K时,测得ZT值为0.39,最大温差58.5K,响应时间20s.     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

光交叉连接和光插分复用技术及其应用

目前所谓的全光网络一般指基于DWDM传送技术的光传送网络（OTN）。由于OTN的节点采用OADM和OXC技术,为解决目前点到点的DWDM技术在应用中不能实现灵活组网和当网络失效时不能有效进行保护的问题提供了一种解决方法,使得OTN具有传输容量大、组网灵活、网络具有可扩展性和可重构性、易于升级等特点,可透明传输具有代码格式的不同速率等级的用户数字信号,能够同时适应用户信号种类用服务种类不断增长的需求。     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。     

“信号与系统”课程建设与教改的探索

信号与系统课程是高等院校电类专业一门重要的专业基础课程,本文以西安明德理工学院智能制造与控制技术学院的信号与系统课程建设与教学改革为例,介绍了我院在信号与系统课程资源建设和教学改革中的探索和实践。实践证明,本文提出的五维一体化线上线下课程资源建设和混合式教学改革能够有效推动教与学两个方面的变革,有效提高课程教学质量,为同类兄弟院校的同类课程建设和教学改革起到一定的借鉴作用。     

压电／电致伸缩材料及驱动器的新技术与应用

压电／电致伸缩驱动器是一种广泛使用的驱动器,文章概括总结了几种压电／电致伸缩新材料的发展方向,同时还介绍了几种新型驱动模式和超声电机的研究动态,并对压电／电致伸缩驱动器的发展前景予以展望。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices